Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究

介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,在９００℃,３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析结果显示,ＰＺＴ铁电薄膜的晶化很完善。研究了ＰＺＴ铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备ＰＺＴ铁电薄膜的低温改进工艺。     

高取向度PZT铁电薄膜的研制

用无机盐替代锆卤,通过Ｓｏｌ＝Ｇｅｌ方法,合成均匀、稳定的ＰＺＴ溶胶。采用Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｐｉ基片加入ＰＴ过渡层,经快速热处理制备出沿（１００）高度定向的ＰＺＴ陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射ＰＺＴ铁电多层薄膜进行了分析。结果表明：通过多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现，制备多层较理想的溅射条件是衬底温度Ｔ＝６５０℃，薄膜子层厚度约为３００ｎｍ，衬底则以ＭｇＯ（１００）单晶、Ｓｉ２（１００）单晶为佳。结构分析的结果显示出：ＰＺＴ以铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大，     

钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应的研究

本文测量了钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应，在这些以钛薄片为衬底，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备的铁电薄膜上可测到明显的热释电响应，同时，对这些薄膜的牡民Ｉ－Ｖ特性也进行了测试，对敏感元工之间的热传导以及材料中发现的光效应对热释电响应的影响进行了分析和讨论。     

钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试，研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响，结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构；常温下，薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低，其介电常数和介质损耗却随掺镧量的增加而增大。     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析，结果表明：通过对多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜的性能，为进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现。制备多层膜较理想的溅射条件是衬底温度Ts＝650℃，薄膜子层厚度约为300um，衬底则以MgO（100）单晶、SiO2（100）单晶为佳。结构分析的结果显示出：PZT多层铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的电畴呈180°。通过比较可以发现，子层厚度及总厚度超薄，膜的介电常数越大，弛豫频率也越高。但薄膜总厚度对多层膜的绝缘性能影响不大，这说明薄膜的绝缘性质主要是由金属－铁电薄膜的界面决定的。在不同的电压下，多层膜的传导性能影响肖特基势垒的穿透和Fowler－Nordheim隧穿。     

Sol-Gel法制备氧化镍电致变色薄膜研究

以镍的醇盐为前驱体并加入催化剂和各种添加剂制成涂膜溶液,采用浸涂-提拉法(dip-coating)制备NiOx电致变色膜。讨论了先体胶液的性质、热处理制度及变色参数对薄膜表面微观结构和变色性能的影响。     

反提拉Sol-Gel法制备PZT薄膜及热处理工艺对薄膜性能结构影响的研究

通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体,采用Sol-Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2/Si上制备PZT铁电薄膜.本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响,比较了在不同的退火速率,退火温度及退火气氛工艺中,制备的PZT铁电薄膜结构、性能的差异,并对其形成原因进行了分析.     

锆钛酸铅铁电薄膜的制备及性能研究

本文用无机锆盐代替锆的醇盐，研究了溶胶－凝胶技术制备锆钛酸铅（简称ＰＺＴ）铁电薄膜的热处理工艺、结构和电性能。研究结果表明，在Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＺＴ薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜，其晶粒细小、致密，且具有良好的铁电性能，适合于制备铁电存贮器。     

溶胶-凝胶法合成PZT-TiNi复合膜

以醋酸铅、异丙醇锆和钛酸正丁酯为先驱物,利用溶胶-凝胶技术在TiNi形状记忆合金箔基片上成功合成PZT铁电陶瓷薄膜,并研究了PZT薄膜的晶化过程.结果表明,所得PZT薄膜属钙钛矿结构无裂纹,与TiNi合金基片结合牢固.     

溶胶凝胶法制备的PbTiO3薄膜的表面层

利用Ｘ射线光电子能谱研究了溶胶凝胶法制备的ＰｂＴｉＯ３薄膜表面态。结果表明薄膜表面会出现一层在烧结过程中形成的富含ＰｂＯ的非计量的表面层，厚约４０ｎｍ。薄膜经溅射及空气中６００℃热处理后，其表面转化为化学计量比的ＰｂＴｉＯ３。     

用溶胶—凝法制备锆钛铅铁电薄膜：1994年7月1日收到,8月20日修回

利用溶胶－凝胶法在镀铂硅片上制备了ＰＺＴ铁电薄膜，利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了ＰＺＴ薄膜的组成与形貌，测定了ＰＺＴ薄膜的电学性能。防防止薄膜发生龟裂，在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂，并采用慢速变温的热处理过程，ＰｂＴｉＯ３过渡层保证了ＰＺＴ薄膜晶完好。     

溶胶-凝胶法合成锆钛酸铅陶瓷材料及其特性研究

以丁醇钛、乙醇锆、醋酸铅为原料,采用溶胶-凝胶新工艺,成功地制备出锆钛酸铅陶瓷材料。本文主要对成胶规律.粉末的特性及陶瓷材料的电性能进行了研究。结果表明:用溶胶一凝胶法制备的陶瓷粉料具有纯度高,合成温室低等特点,由此所制备的陶瓷样品具有优良的介电和压电性能。     

淬火对BiFeO3薄膜电效应的影响

采用溶胶．凝胶法和快速退火方法在LaNiO3/Si（100）衬底上制备了BiFeO3（BFO）薄膜。研究了淬火冷却与随炉冷却两种不同的冷却方式对BiFeO3薄膜的结构、形貌与电性能的影响。XRD研究表明淬火未对薄膜的结晶产生显著的影响。扫描电镜研究表明，淬火导致薄膜表面出现了裂纹，同时粗糙度增加。铁电性测试表明，淬火冷却的薄膜的铁电性得到了增强。通过对薄膜漏电流的观察发现，淬火的薄膜的漏电流相对自然冷却的薄膜减少。     

锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应

用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基片上制备了近等原子比的压电ＰＺＴ薄膜,在准同型相界附近的ＰＺＴ薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应,内电场导致薄膜的自发极化定向,使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。     

用溶胶凝胶法制备PZT铁电体薄膜

本文选择非极性溶剂ＡｃＡｃ在大气中保护金属醇盐制备钛锆酸铅（ＰＺＴ）铁电体薄膜，当ＰＺＴ〈０．５ｍｏｌ／Ｌ时可生成稳定溶胶，ＰＺＴ能均匀分散在溶剂中，在４００℃除去残余有机物，然后在４００￣７００℃使薄膜晶化生成钙钛矿结构为主的多晶薄膜。本文利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＩＲ及热分析技术对ＰＺＴ薄膜的形成及晶化等变化进行了分析和探讨。     

溶胶—凝胶法合成了PZT—TiNi复合膜

以醋酸铅、异丙醇锆和钛酸正丁酯为先驱物,利用溶胶－凝胶在ＴｉＮｉ形状记忆合金箔基片上成功合成了ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜,并研究了ＰＺＴ薄膜的晶化过程,结果表明,所得ＰＺＴ薄膜属钙钛矿结构无裂纹,与ＴｉＮｉ合金基结合牢固。     

用溶胶－凝法制备锆钛铅铁电薄膜

利用溶胶－凝胶法在镀铂硅片上制备了ＰＺＴ铁电薄膜。利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ观察了ＰＺＴ薄膜的组成与形貌，测定ＰＺＴ薄膜的电学性能。为防止薄膜发生龟裂，在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂，并采用慢速变温的热处理过程。ＰｂＴｉＯ３过渡层保证了ＰＺＴ薄膜结晶完好。     

溶胶—凝胶方法制备铁电薄膜及其力学性质的研究

本文介绍用溶胶-凝胶方法制备钛酸铅镧(PLT)铁电膜,采用划痕法测定PLT膜在Si基片上的附着力,并通过x射线衍射(XRD)测定在各种工艺条件下PLT薄膜的晶格畸变,并计算内应力。实验表明溶胶-凝胶方法的工艺因素对薄膜的力学性质有很大影响。通过控制溶液浓度,热处理温度及薄膜的厚度可得到附着力强,内应力小,品格畸变小的优质膜。