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本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明:密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗,而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。 相似文献
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用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场分布、磁场对硅单晶中杂质的分布、磁场对硅单晶中氧、碳含量、磁场对硅单晶中微缺陷等的影响。发现:VMCZ的结果与资料报导的HMCZ数据相比有较大差别。通过调整拉晶参数也只能有限度地改善硅单晶的性能。 相似文献
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宋大有 《有色金属材料与工程》1988,(5)
FCCZ 法是由日本东芝公司研究开发的一种生产硅单晶的新技术。东芝公司于1988年4月7日首次公布了一些简单数据,宣称:①用本技术生产的硅单晶头、尾电阻率偏差可控制在3%以内;②片子内电阻率偏差可减少到6%;③用这种技术生产硅片的成本,IC 用硅片可减少30%,大功率用硅片可减少35%。东芝公司半导体技术部部长平野均在 相似文献
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武汉钢铁集团公司开发的“球墨铸铁冷却壁”和“新型上引式气力输送仓式泵”两项新技术新近在武汉通过原冶金工业部科技司组织的专家鉴定。 相似文献
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1.连铸中间包等离子加热钢水新技术等离子是一种非常清洁、高效、且易控制的热源。将等离子弧用于连铸中间包钢水加热,可降低转炉出钢温度,提高转炉生产率和炉龄;防止发生低温浇铸事故,改善两罐钢水接头处铸坯的质量。 相似文献
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目前在单晶硅制备中,国外多采用纯氩气氛拉晶工艺(或在氩中掺1—5%的微量氢气)。氩气性能的稳定,不仅可以将炉中结晶潜热及时排出,造成炉内合理的温度梯度分布,有利于优质晶体的生长,而且也避免了用氢气拉晶所产生的氢脆及引入其他缺陷。 然而,电子工业需用的氩气要求纯度高,(>99.999%)并且消耗量大(20—22米~3 相似文献
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冶金部委托上海冶金局于1985年5月6~11日对以下三项节能新技术进行了技术鉴定。 (1)上钢一厂的高回收低油耗轧钢加热炉 该厂采用加大换热面积的方式使烟气余热回收率提高到50%以上,预热温度达400~500℃,有时达550℃;在国内首先应用了QRF型高风温、全热风新型烧嘴和横水管 相似文献
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介绍了低频电源矿热炉、以煤代焦冶炼铁合金、直流矿热炉三项新技术,指出广泛推广这三项新技术有利于我国铁合金工业的技术进步和提高铁合金企业的经济效益。 相似文献
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《有色金属(冶炼部分)》1978,(3)
我矿对MQG1200×1200球磨机进行了两项技术改革,取得了良好效果。 (一)球磨机给矿方式的改革在运转中联合给矿器有一偏心负荷,电流波动大,能耗增加,动球荷不均匀,同时返砂勺头极易磨损,影响运转率和磨矿效率,有必要改革。我矿MQG1200×1200与FLG500的机组配置,原来分级机坡度为14°,排矿流槽坡度17%,返砂流槽坡度40%。前年九月,我矿重新调整了分级机的配置,使球磨机和分级机中心线尽量靠近,分级机坡度为19°,球磨机排矿流槽坡度10%,返砂流槽坡度25%,从而取消了联合给矿器,实现了球磨机自流直接给矿。 相似文献
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元英 《有色金属材料与工程》1992,(3)
日本三菱材料公司和三菱硅材料公司共同开发出半导体用硅单晶的连续制造法,在该公司中央研究所进行的拉制试验中,成功地制造出直径6英寸、长2米的世界最长的高质量硅单晶。 相似文献