一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析

基于300 mm 0.18 μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器件的保持特性进行建模。通过225 ℃、250 ℃和275 ℃条件下的高温老化加速实验,拟合样品最大数据保持时间曲线。在生产过程中可能出现的最差产品条件下,对1/(kT)与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算在不同失效条件下的浮栅电荷泄漏的激活能和最大数据保持时间。     

非易失性静态随机存储器研究进展

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。     

新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。     

华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域保持领先

正华虹宏力的0.13微米嵌入式自对准分栅闪存技术(含标准版和微缩版),在器件结构、器件工艺、电路设计等方面均有创新,达到国际先进、国内领先水平。IP闪存面积小,设计优化,可保证100K的可擦写次数,数据保持可达100年,达到国际汽车电子AEC-Q100标准,产品良率超过95%。尤其是0.13微米微缩版嵌入式闪存技术存储单元面积     

Synopsys推出用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

新思科技有限公司日前宣布:推出面向多种180纳米工艺技术的Design Ware AEON非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)IP、射频识别(RFID)IP多次可编程(MTP)IP和可擦可编程只读存储器(EEPROM)多次可编程(MTP)IP等多种IP解决方案。Synopsys提供的DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先     

用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

这些用于180纳米工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先工艺技术并具有100多种不同的存储配置,     

高速、小型非易失性SRAM系列存储器 符合RoHS标准，无须电池就能实现内部数据存储

非易失性SRAM（nvSRAM）在断电情况下，无须电池就能实现内部数据存储。nvSRAM理想适用于要求连续高速数据写入且确保非易失数据绝对安全的任何应用，如独立磁盘冗余阵列（RAID）应用、复印机、PoS终端、手持式仪表和消费类电子产品等。     

非易失性存储芯片的两点应用注意

<正>1.引言非易失性存储芯片历史悠久,如ROM、PROM和EPROM等等。当今,随着便携式低功耗电子设备的大量使用,这类存储器几乎天天伴随着我们。U盘、手机、随身听都是再好不过的例子。不过,我们在感到它们带来的方便和实用的同时,对它们的要求和主要特点也应该心中有数。本文以两类主要的存储芯片EEPROM和FLASH为例,总结了两个不     

金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证

金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注.对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数据保持能力.在综合考虑金属纳米晶量子限制效应和库仑阻塞效应的基础上,提出了金属纳米晶存储器件数据保持能力分析模型,并通过与相关研究文献的实验数据对比分析,证实了本模型的合理性.