清除浸没式光刻缺陷

来自台积电(TSMC)的工程师们已经找到通过比较光学显微镜图像和扫描电子显微镜(SEM)图像来跟踪缺陷来源的方法．从而成功地将浸没式曝光的300mm硅片上的平均缺陷数目从19．7减少到4．8个微粒／硅片。包括TSMC的Lin-     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

浸没技术拓展光刻尺度

2006年3月，IBM公司宣告实现了最小尺寸（29．9am）的高质量光刻图样（见本刊2006年第5期），Jacqueline Hewett解释了其光刻技术的工作原理和对于重大突破之处。     

监测基于浸没式光刻的晶圆边缘缺陷

与浸没液、光刻胶和顶部涂层的相互作用,以及边缘水珠去除工艺有关的缺陷都会影响到工艺成品率。自动边缘检查揭示出几种浸没式光刻所特有的缺陷模式。     

193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点

2002年之后,浸没式技术迅速成为光刻技术中的新宠.因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大,获得了人们的极大赞赏.     

浸没式光刻技术

综合叙述了浸没式光刻技术的基本工作原理和相对于157nm干式光刻技术的优势,简要介绍了当前的研发动态并对其具体实现的问题进行探讨。     

浸没式光刻技术的研究进展

浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理,讨论了液体浸没带来的问题,最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。     

光刻区缺陷管理

浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进，光刻变得更为复杂；随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用．对缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用PCM（Photo Cell Monitoring）缺陷检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式．对光刻缺陷进行监控，以减少缺陷产生。     

分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大。而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小。因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移。     

高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米

在今年的SPIE Microlithography年会上,与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是,尽管有人心存疑虑,但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术,普遍的问题是如何妥善地解决图形套     

浸没式ArF光刻中杂散光影响的研究

由于浸没液体和大数值孔径的引入,杂散光对光刻性能的影响更为显著和复杂,对杂散光进行分析和控制是获得良好光刻性能的关键之一。利用Prolith 9.0软件研究了不同数值孔径(NA)条件下,浸没式ArF光刻中杂散光对65 nm特征图形的光强分布、图像对比度、线宽均匀性、图形位置误差和工艺窗口的影响,研究结果表明,大数值孔径会导致光刻性能对杂散光更为敏感。同时还分析了偏振方向与曝光图形方向一致(Y偏振)的线偏振光对不同杂散光和数值孔径条件下的光刻工艺窗口的影响,研究结果表明,采用Y偏振光可以降低杂散光对工艺窗口的影响,使工艺窗口得到相应拓展,提高了光刻性能。     

光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

非球面技术在浸没式光刻照明系统中的应用

NA1.35浸没式光刻照明系统是超大规模集成电路的核心设备,为了实现从ArF激光器发出的光束经过一系列模块传输后到达掩模面的能量满足光刻曝光系统的要求,需要在系统中引入非球面透镜,以减少镜片数量,提高能量利用率。为解决现在非球面透镜具有的加工难度和控制精度不足的缺陷,设计出一种优化控制保证非球面加工和检测的方法。在光学系统设计中优化非球面的形状,保证非球面度,满足非球面变化率在可加工和检测的范围内,并控制非球面拐点的产生。照明系统中镜片数量最多的模块是耦合镜组,通过非球面的优化,镜片数量从12片减少到9片,系统能量利用率提高近25%。此外,提高了系统像质NA一致性,像方远心度,弥散斑直径和畸变,满足了曝光光学系统对掩模面的能量要求,故该非球面控制技术具有良好的可加工性和可检测性。     

光掩膜厂商在浸没式光刻时代的生存之道

在不久前召开的SPIE Microlithography（国际光学工程学会微光刻技术年度会议）上，BACUS（国际光掩膜技术学会）组织了一次圆桌会议，来自光刻技术领域的专家们就193纳米浸没式光刻技术中光掩膜工艺的发展趋势展开了激烈的讨论。会议的中心话题为光掩膜制造商是沉是浮？     

300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势

采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律.300mm晶圆与90nm工艺是互动的.90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势.     

以浸没式技术引领光刻设备市场

在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和提升,ASML公司为芯片制造商开创了一个满足更小设计尺寸要求的生产芯片的新局面     

先进光刻技术大步向前

正如半导体国际杂志上所说的那样,在今年的SPIE Microlithography会议上,光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点,而近来公布的一些     

迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》光刻技术研讨会

2006年10月24日，上海张江开发区龙东商务酒店，继“成品率提升研讨会”“晶圆清洗技术研讨会”后，《半导体国际》年度第三个研讨会“光刻技术研讨会”成功举办。