电雷管及其起爆系统

本文介绍通过了技术鉴定的一种“电磁雷管及其起爆系统”。电磁雷管的结构:是一个普通电雷管的两根脚线分别与绕在环状磁芯上的一个线圈的两端连在一起,构成一个电磁雷管。其特点是整个雷管无裸露导线,桥丝回路始终处于闭合状态,使用时将一根单芯连结导线穿过雷管的环状磁芯孔,然后将这根导线的两端接至高频发爆器就可起爆。该系统安全性能好、可靠性好、使用简便。此外,本文还介绍了电磁雷管专用检测器。     

工业雷管轴向飞片速度理论

文章结合近年来飞片速度研究现状，提出了工业雷管轴向飞片速度新的理论方程。工业雷管爆轰过程简化为一维物理模型，运用“装药参数贡献法”推导的理论公式，其计算与实验值符合较好，所以，在计算工业雷管轴飞片速度时，考虑装药条件是必要的。     

国外民爆器材(连载)

四、新的起爆方法 1.电磁、微波起爆装置日本油脂公司研制成功了电磁起爆方法,它将天线和起爆药管(或基本药管)中的传爆电磁元件相连接,接收电磁波起爆。微波雷管起爆方法则是向雷管內的天线发射微波,由天线感应的微波电流加热起爆。美国专利公布的使用电磁起爆电雷管的延期爆破起爆药包组件适用于露天矿、地下矿和采石矿中的大直径垂直炮眼。西德专利报导了由起动器发出高频电磁波起爆雷管系统,包括提供高频脉冲信号的起动装置和一个起爆元件,起爆元件由一个起爆电阻和接     

电子雷管起爆技术研究进展与发展建议

电子雷管提高了延期精度以及起爆网路设计的灵活性，可实现“生产-运输-储存-使用”全生命周期安全管控，成为民爆行业重点发展方向。本文从产品结构、应用场景、智能化水平、爆破设计理论、拒爆失效机理等方面着手，梳理了电子雷管起爆技术的发展现状，总结了系列化和标准化、智能化、短延时设计、大规模起爆网路等技术发展趋势；结合工程应用实践，凝练了复杂环境下拒爆现象频发、爆破应用研究脱节、产品类型单一、标准体系不健全等电子雷管起爆技术与应用问题。着眼民爆行业发展需求，提出了电子雷管起爆技术的重点研究方向：电子雷管精确延时控制爆破破岩理论，信息技术与电子雷管起爆技术融合，差异化的电子雷管产品体系，电子雷管标准体系。     

分布式雷管填装流水生产线控制系统的设计

了解雷管的生产工艺，使用S7-200可编程控制器及其组成的RS-485网络对其进行改造，设计了分布式雷管填装流水生产线控制系统。     

高强度和高精度导爆管雷管的研制

文章通过对高强度导爆管、雷管延期药配比及加工工艺、延期元件制造工艺、雷管装配结构、连接块及应用软件设计等诸因素的系统分析，全面介绍了高强度、高精度导爆管雷管的综合性能。     

炸药和雷管同载运输车的研究

文中介绍了炸药，雷管同载运输车及其核心部分夹套式抗爆容器的结构，设计原理，计算方法和主要性能。试验表明：同载运输车能保证炸药，雷管同车运输的安全，从而证明研究的设计是正确的。这种方法也可和于其它抗爆容器或结构物的设计。     

工业雷管抗弯性能试验装置与方法设计

为了研究工业雷管的抗弯性能,设计了一种测试工业雷管抗弯性能的试验装置及试验方法,研究了国内部分生产企业的工业雷管的抗弯性能。结果表明:设计的试验装置安全、可靠、操作简单,能够满足工业雷管抗弯性能测试要求;我国工业雷管的抗弯性能整体质量能够满足欧盟有关技术标准和规范的要求,抗弯性能质量达到了国外发达国家同类产品的水平。     

露天矿电子雷管与普通雷管爆破振动对比试验研究

为研究电子雷管相比于普通塑料导爆管雷管在爆破振动控制方面的优势，在爆破参数以及岩体条件一致的情况下，开展了电子雷管起爆和普通雷管起爆的对比试验研究，结果表明：相同爆心距条件下，电子雷管的峰值质点振动速度比普通雷管的小，电子雷管的爆破振动主频比普通雷管的高，电子雷管爆破振动能量集中分布，主要分布于40～60 Hz和80～200 Hz频带，普通雷管爆破振动能量分布较电子雷管均匀，主要分布于低频频带。电子雷管不仅振动幅值小，且主频及能量占比高的频带均较普通雷管高，对保护建(构)筑物有利。     

数码电子雷管延时精度误差影响因素及改进措施研究

性能优良的数码电子雷管应具有高安全性、高可靠性、高精确性的特点。针对高精度延期时间技术这一数码雷管研发当中的关键问题进行了论述,指出了影响数码电子雷管精度的主要因素,并针对性的在主控芯片设计、电子电路设计、起爆药剂、引火头药剂几个主要方面提出了几项可靠的技术改进措施。通过采取这些改进措施,JL数码雷管取得了十分理想的延期精度,延时精确性达到了±1 ms(雷管延期时间小于1 s时)和2‰(雷管延期时间大于1 s时)。     

环境扫描电镜中电荷环境的测量

在环境扫描电镜(ESEM)中,采用高灵敏度的pA-表测试系统,测量法拉第杯,以及Cu-Zn合金、单晶Si、单晶Al2O3三种样品的样品电流(ISP)。ISP值反映出由电子流和离子流控制的ESEM样品室内的电荷环境。法拉第杯的ISP反映出入射电子和离子所控制的电荷环境;样品的ISP反映出入射电子、信号电子和离子所控制的电荷环境。由ISP值可确定ESEM在不同操作和环境条件下的离子化效率、离子化饱和程度,以及气体分子的散射作用。     

分段线性补偿型CMOS带隙基准电压源设计

设计了一种高精度CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了共源共栅电流镜和自偏置技术,通过运放的负反馈分别获得正温度系数的电流IPTAT和负温度系数的电流ICTAT,通过电流的减法运算将在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,并完成对带隙基准电压的分段线性补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准电压.     

Li(Ni,Co,Mn)O_2合成过程中的结构变化

根据Li(Ni,Co,Mn)O2晶体中Li+和Ni2+的阳离子混排占位模型进行模拟计算,建立了(I003/I104)1/2、(I101/I012)1/2(、I101/I104)1/2等特征衍射线强度比与混排占位参数x的线性方程式。结合实验测得的X-射线衍射谱和混排占位模型研究了Li(Ni,Co,Mn)O2合成过程中的结构演变过程。     

Achieving the high phase purity of CH3NH3PbI3 film by two-step solution processable crystal engineering

To date,it is still a great challenge for highly efficient perovskite devices to realize the high quality perovskite films with high purity,high coverage ratio and good crystallization by two-step scalable solution method.In this study,a series Pb I_2films with tunable micro-architecture of Pb I_2crystals are prepared via solution processable crystal engineering.The perovskite film,prepared by optimized pit spacing in gas pumped Pb I_2film at 1000 Pa,shows the highest film quality,including no residual Pb I_2phase,compact morphology,and improved photoluminescence intensity.A transformation kinetics shows that the pit spacing strongly influences both the mass transfer and the sequential intercalation reaction between CH_3NH_3I and Pb I_2crystals,which ultimately determines the full reaction state of the perovskite film.The perovskite solar cells assembled by the perovskite film show both high power-conversion efficiency and good reproducibility of photovoltaic performance due to the restrained charge recombination arising from the high quality perovskite film.     

Toward 1000-Pixel Superconducting-Tunnel-Junction Detectors for X-Ray Absorption Fine Structure Spectroscopy

Superconducting tunnel junction (STJ) detectors have excellent energy resolution, high detection efficiency, and high counting rate in the soft X-ray energy range. These properties are suitable for synchrotron radiation facilities. However, in order to achieve a high throughput analysis for dopants with a lower concentration, the pixel number of STJ array detectors should be further increased to enlarge the sensitive area. As a first step, we have fabricated 400-pixel STJ array detectors and checked the operation yield and the uniformity of leakage current ( \(I_{leak}\) ) values. Fabricated STJs showed excellent current-voltage curves having low subgap current. The operation yield of STJs with \(I_{leak}\) values of less than 10 nA was 96 \(\%\) . The average \(I_{leak}\) of 3.6 nA is roughly equivalent to that of the 100-pixel STJ array detector, which is open to users at synchroton radiation beam lines and have 12 eV energy resolution at 400 eV.     

利用SEM、EDS及WDS对铜及其氧化物的价态效应研究

利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线波谱仪(WDS)研究了铜及其氧化物的I_(Lα)/I_(Kα)和I_(Lα)/I_(Lβ)谱线强度比的价态效应。结果表明,不同价态铜的I_(Lα)/I_(Kα)和I_(Lα)/I_(Lβ)谱线强度比按一定的规律随价态而变化,即谱线强度比值随价数增加而减少。     

温度和多重项耦合对Er3Ga5O12在强磁场中磁化的影响

用量子理论计算了Er3Ga5O12在[100]和[111]方向的基态磁化强度随温度的变化情况，证实了实验的结论，计算了^4I13/2和^4I15/2两个多重项耦合对基态磁化强度的影响，进一步从理论上分析了Er3Ga5O12磁性非线性产生的微观机制。     

镁合金阳极氧化及其耐腐蚀性研究

采用正交试验,开发出一种新型环保型镁合金阳极氧化的电解液配方,此工艺下形成的阳极氧化膜有良好的耐腐蚀性,其自腐蚀电流密度为0.1586μA/cm2,电解液的pH值是影响氧化膜耐腐蚀性的主要因素。采用EDAX、XRD、SEM对阳极氧化膜的成分、结构和形貌进行了研究,分析了氧化膜具有良好耐腐蚀性的原因。氧化膜主要由MgO组成,另外还含有Al和Si的复合氧化物,SEM结果显示氧化膜与基体的结合良好。     

Wide PRIME-current range for all-magnetic shift registers

In an all-magnetic resistance-type shift register, a PRIME current pulsei_{p}(t), of amplitude Ip, is applied to Npand Nbturns through the minor and major apertures, respectively. For given operation frequencyf, the ratioR = I_{p}^{max}/I_{p}^{min}, whereI_{p}^{min} < I_{p} < I_{p}^{max}is the PRIME range of bistable operation, is maximized by matchingN_{p}/N_{b}so thatI_{p}^{max}values determined by spurious ZERO buildup and ONE dropout are the same. For a rectangular (or dc)i_{p}(t), the matchedN_{p}/N_{b}is fixed by the core properties, and R^maxis limited (e.g., <7). However, ifi_{p}(t)rises gradually, the matchedN_{p}/N_{b}depends also on the rise time Trofi_{p}(t). The lowerfis, with corresponding larger Tr, the smaller is the matchedN_{p}/N_{b}, and the larger is R^max. Calculation ofRis carried for ramp and half-sinusoidali_{p}(t)waveforms. The latter, for instance, atT = 25degC yields R^maxvalues of 14.0 and 22.0 forfof 1.0 and 0.5 kc/s respectively. Such wide PRIME ranges permit reliable register operation in a wide temperature range without resorting to temperature compensation of Ip. Experimental results are in agreement with the calculation.     

ED-XRF法对镀金饰品的测定

本文使用ED-XRF荧光能谱仪,利用金原子在X射线激发下所发射的L_β线和L_α线的强度比值来识别样品是镀金的还是K金。同时,利用这个比值的大小来测定镀金层的厚度。可测镀金层厚度0～5μm。最大相对标准偏差15％。