基于神经网络的RF MEMS移相器面向设计参数建模

以毫米波段MEMS移相器为研究对象,提出一种直接面向设计参数的建模方法。该方法直接选取分布式RF MEMS移相器的关键设计参数作为建模目标,通过HFSS仿真获得人工神经网络建模的样本数据,并使用三种神经网络对移相器的S参数及设计参数进行建模。实验结果表明,与HFSS仿真数据相比,面向设计参数直接建模的方法对于移相器中心频率f0、10dB带宽B和插入损耗最小值(33~37GHz)建模误差绝对值均值分别在0.094~0.171GHz、0.085~0.159GHz和0.040~0.048dB之间。相比于基于S参数间接建模方法的准确率均至少提高了50%。     

5层工艺技术可以制造更可靠,更复杂的MEMS

5层多晶硅表面微加工工艺可以制成更为可靠,能够完成更为复杂作业的微机电系统(MEMS)。此项首先在美国能源部所属Sandia国家实验室(位于美国新墨西哥州的Albuquerque)实现的工艺技术,可望成为工业界的标准工艺技术;并将取代现在普遍采用的2     

微波电路的MEMS天关进展

开关是微波信号变换的关键元件,和传统的半导体开关相比,射频微机电系统（RF MEMS）开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点,而且其制作工艺和传统的CMOS工艺相兼容。本文较为详细地了串联悬臂梁开关、并联悬臂梁开关和膜开关的工作原理及典型的性能参数。由于其优越的微小特性,MEMS开关已在许多电路和系统中,包括微波前端电路、数字电容器组和移相网络中得到应用。     

基于ACIS的MEMS工艺几何仿真的关键算法

针对微机械系统(MEMS)工艺几何仿真提出了一种算法,该算法通过设置实体模型上表面的实体和高度两个属性,解决了MEMS工艺几何仿真中产生的多个实体模型之间相对位置定义的问题。该算法在工艺几何仿真系统中的实现表明,使用此算法后,系统运行稳定可靠,仿真速度快。     

基于MEMS工艺的微型制冷器

微机电系统MEMS(micro-electro-mechanical system)是一种集合了微电子与机械工程技术的新型高科技装置,其制造工艺可以进行最小至纳米尺度的加工以及高度集成化的微型制造.其产品微小体积、高度集成化以及高性能高产热的特性也决定了其需要匹配相应的制冷解决方案,本文重点阐述了基于MEMS制造工艺并...     

一种微电磁驱动的MEMS可调光衰减器

介绍了一种电磁驱动型MEMS可调光衰减器,该器件通过调节微挡光片在光路中的位置控制衰减量.以铜作为牺牲层,由电镀铁镍作为结构层的非硅表面微加工微技术被应用于挡光片的制作上,此项技术与硅的体加工技术相结合有望降低器件的加工成本.此外,还分析了该可调光衰减器的衰减机理,理论计算结果与实验数据基本吻合.实验测得样机性能为,插入损耗低于3 dB,动态范围大于40 dB,回波损耗大于40 dB.     

三维金属MEMS器件电化学制造技术

EFAB技术是微加工领域一项重大的突破,开辟了MEMS金属器件加工的新天地,与其他微加工技术相比,EFAB技术的主要优点是:可实现MEMS中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造。基于快速原型思想,EFAB利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来,可以加工任意形状的金属三维微结构。介绍了EFAB技术原理,并对其加工设备、分层技术、实时掩模、过程监控等关键技术进行了剖析,最后给出了应用实例。     

三维金属MEMS器件电化学制造技术

EFAB技术是微加工领域一项重大的突破，开辟了MEMS金属器件加工的新天地，与其他微加工技术相比，EFAB技术的主要优点是：可实现MEMS中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造。基于快速原型思想，EFAB利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来，可以加工任意形状的金属三维微结构。介绍了EFAB技术原理，并对其加工设备、分层技术、实时掩模、过程监控等关键技术进行了剖析，最后给出了应用实例。     

3D MEMS全光交换系统

全光交换被誉为通讯网络迈向宽带网络中必不可缺的关口,AGERE SYSTEMS(原朗讯科技微电子部)已经推出实际商用化的全光交换产品,使得MEMS光开关逐步从实验室走向市场商用化。从目前业界不断涌现的技术方向看,MEMS似乎会成为大容量交换技术的主流;尽管,液晶交换和别的技术同样也可适用于未来的全光网络。     

MEMS中几何量的测试方法

MEMS测试技术及方法是MEMS设计、制造、仿真及质量控制和评价的关键环节之一，讨论了应用于MEMS几何量测量的微视觉、扫描探针、光切、干涉、共焦、光栅投影等方法及基于材料和微结构特性的特殊测量方法，并详细论述了在MEMS微几何量测量中的微视觉检测原理及方法。结合干涉测量技术的微视觉测试方法能够涵盖从纳米级到毫米级的几乎全部的微几何量分布范围。     

Refinement of the Subthreshold Slope Modeling for Advanced Bulk CMOS Devices

We present here a simple analytical model of the subthreshold slope of CMOS devices that successfully describes the long-channel plateau, the initial improvement for medium gate lengths, and the final degradation for short gate lengths. The model is based on the voltage-doping transformation (VDT) that leads to a new term in the subthreshold slope expression, explaining the degradation of the slope at very short channels. The potential minimum at the virtual cathode was expressed using a semiempirical expression that allows our model to fit to data that were extracted from simulation in a wide range of device parameters. Finally, the new slope model successfully reproduced experimental data that were measured on devices based on 90- and 65-nm technologies, demonstrating the validity of our model for advanced bulk CMOS technologies.     

ST面向手持设备的MEMS解决方案

MEMS是英文Micro Electro Mechonical System的缩写，是指采用微型制造工艺及尺寸的电子和机械部分整合在单一芯片中的系统。     

Silicon Deep Etching Techniques for MEMS Devices

Silicon deep etching technique is the key tabrication step in the development of MEMS. The mask selectivity and the lateral etching control are the two primary factors that decide the result of deep etching process. These two factors are studied in this paper. The experimental results show that the higher selectivity can be gotten when F- gas is used as etching gas and A1 is introduced as mask layer. The lateral etching problems can be solved by adjusting the etching condition, such as increasing the RF power, changing the gas composition and flow volume of etching machine.     

RF MEMS器件面面观

RF-MEMS器件的出现,适应了现代光刻技术和硅IC技术、无线通讯技术的发展的需要,因此很快引起学术界和工业的巨大的重视。可以预言,RF-MEMS器件将很快从实验室走向生产实际,在国民经济的各个方面包括通讯、航天航空技术、交通技术、生物医学领域以及国防工业中发挥重要作用。     

MEMS器件在航天领域的应用及发展

介绍了MEMS器件在航天领域的应用及发展,通过航天应用的一些要求和特点,分析了MEMS器件在航天应用中重点关注的一些可靠性问题,如辐射、真空、热冲击和机械振动。根据MEMS器件在当今航天领域的实际应用状况,展望了MEMS器件的前景。提出MEMS器件已成为航天应用领域不可缺的重要器件,在实现系统的小型化、低成本化和性能改善上发挥着巨大的作用。最后预测MEMS器件的发展趋势是取代空间载体、通信和导航平台及有效载荷上体积大而笨重的器件,最终实现航空航天系统的小型化、智能化和集成化。     

Finite Element Modeling of Surface Acoustic Wave Devices Using COMSOL

Russian Microelectronics - The results of the research and analysis of wave acoustic processes in piezoelectric substrates based on the solution of wave equations of piezoacoustics by the finite...     

A Novel Wafer-Level Hermetic Packaging for MEMS Devices

Some emerging microelectromechanical systems (MEMS) devices such as high-performance inertial sensors and high-speed actuators must be operated in a high vacuum and in order to create this vacuum environment, specific packaging is required. To satisfy this demand, this paper presents a novel method for hermetic and near-vacuum packaging of MEMS devices. We use wafer-level bonding technology to combine with vacuum packaging, simultaneously. For this packaging solution, the wafers with air-guided micro-through-holes were placed on a custom-built design housed in a vacuum chamber maintained at a low-pressure environment of sub-10 mtorr. Packaging structure is then sealed by solder ball reflow process with the lower heating temperature of 300degC to fill up micro-through-hole. Experimental results shown the hermetical packaging technique using solder sealing is adapted to the wafer-level microfabrication process for MEMS devices and can achieve better yield and performance. Thus, this technique is very useful for many applications with high performance and low packaging cost can be obtained due to wafer-level processing.     

微电子机械系统的研究进展

本文从微电子机械系统（MEMS）的基本加工技术和MEMS器件等方面介绍了MEMS的发展过程;综述了国内外MEMS加工技术,特别是新型MEMS器件与系统方面的最新研究进展,介绍了欧美日等发达国家和我国为MEMS的发展所作的努力,提出了“只有产业界及时介入才是中国MEMS研究的唯一出路”。