首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
ESD是潜在的电磁干扰源,通常情况下难以预测,并且严重的FSD现象会产生高能EMI脉冲,可以扰乱附近电子系统的工作。当未接地的ESD敏感的(ESDS)设备接地时会引发ESD现象,从而通过高能或高电压激励使设备内部发生潜在的或灾难性的损害。为了减少这个潜在的问题,必须控制接地时的放电率。减小放电率将限制潜在的ESD现象的电流密度。在接触电极(构成放电的两种材料)上,无论是增大电容还是增大电阻都能减小放电率和降低ESD效应。  相似文献   

2.
3.
基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路   总被引:5,自引:0,他引:5  
朱朝晖  任俊彦  徐鼎 《微电子学》2000,30(2):130-132
介绍了ESD保护结构的基本原理,并提出一个基于CMOS工艺用于IC卡芯片的保护电路.讨论了一些重要的设计参数对ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释.  相似文献   

4.
向勇  张昊  谢道华 《今日电子》2001,(12):28-29
进入21世纪,以数字式语音通信为代表的现代移动通信技术和以计算机与网络为核心的现代信息技术分别达到前所未有的新高度,进而呈现进一步融为一体的新趋势。兼具语音通信和电子邮件、证券、金融业务等数据通信以及PDA功能三位一体化的手机也已问世。WAP(Wireless Application Protocol)已进入商业化运行阶段。笔记本电脑、PDA等便携式终端通过调制解调器即可连接Internet。第三代移动通信最终将使高速率(2Mbps)无线传输的数据通信和多媒体通信实现真正的无缝漫游,全面推动现代通信与信息技术的个人化、移动化和全球一体化。顺应通信与信息终端的便携化、小型化与多功能化发展潮流,新型元器件呈现微型化、复合化、高频化、高性能化等趋势。片式元件的小型化、微型化与高频化  相似文献   

5.
祝勉 《上海半导体》1990,(1):50-52,55
  相似文献   

6.
深亚微米结构下的IC设计的电磁干扰(EMI)问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
在深亚微米结构下,集成电路IC的线路延迟和电磁干扰现象对于系统的影响更加突出,尤其是对超大规模集成(VLSI)电路系统。本文仅就深亚微米结构下IC设计的电磁干扰问题,详细分析了其产生的主要来源:宇宙射线、噪声干扰和静电放电ESD.以及预防措施。  相似文献   

7.
《电子元器件应用》2006,8(1):128-128
CM1419是带ESD保护、基于电感的两路EMI滤波器阵列,是一种可为移动音频提供完整高性能解决方案,集成了两个Pi滤波器(C—L—C),每路的元件数值为117pG-3.0nF-117pF,典型的串联电阻为0.28欧姆。在所有的输入,输出引脚集成有ESD保护二极管,可提供+/-30KV的ESD尖峰,超过IEC61000-4—2国际标准的要求,在800MHz-2.1GHz频率范围内的衰减优于-40dB,5  相似文献   

8.
9.
ST的ESD保护解决方案 ESD即静电可能对手机造成的危害基本上有以下三种:(1)造成手机中的芯片发出击穿;(2)可能会使 PCB板中相邻的金属极发生击穿; (3)可能会损害PCB板上的绝缘层。如果手机中不设置适当的保护电路,那么静电便会使手机上的某些部分甚至整体功能失灵。而今后随着手机向着小型化以及多媒体功能集成方向发展,PCB的布线将会更加紧凑,各类处理芯片将更加敏感, 这就要求我们要更加重视ESD对手机所造成的危害,并且要在尽可能小的空间内提供高效的解决方案。  相似文献   

10.
《电子测试》1998,11(3):30-31
IC在交付给客户前必须经过测试,以检验IC在制造过程中是否产生了缺陷。制造缺陷有很多种,人们可以用一种故障模型来描述其逻辑性能。由输入激励和可预期输出组成的测试向量,可用来确定芯片是否有毛病。随着芯片越来越复杂,测试生成和应用变得越来越费时,而且费用也越来越昂贵。在很多情况下,如果不把可测性作为设计目标,并在设计项目初期就把它考虑进去,那么,故障覆盖率就不会满足质量需求。可测性是用可控性和可观察性来衡量的。可控性是内部逻辑可由芯片输入控制的程度;可观察性则是内部逻辑可在芯片输出  相似文献   

11.
集成电路ESD设计验证技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具.分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数.  相似文献   

12.
本文讨论了IC进入深亚微米(DSM)阶段后,数字IC端口的设计所面对的困难。主要介绍了ESD保护、驱动电路设计以及端口设计的SPICE模型仿真验证。  相似文献   

13.
14.
《电子质量》2009,(6):31-31
安森美半导体推出业界首款共模扼流圈及静电放电(ESD)保护集成电路(IC),应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使这方案远优于典型的电磁干扰(EMI)滤波器及分立可选方案,同时有助显著减少元件数量。  相似文献   

15.
随着便携式和无线设备的日趋复杂化.此类设备越来越容易受到静电放电(ESD)和电磁干扰(EMI)的攻击。尤其在立体声耳机、移动电话、便携式多媒体播放器、PDA或笔记本电脑等电子设备中.需要降低电磁干扰,以确保电子设备的高音频质量。  相似文献   

16.
17.
CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应,提高了ESD保护电路的可靠性,实现了全芯片保护。  相似文献   

18.
ESD现象产生的原因主要是两个物体发生直接接触或者静电场感应,由于它们的静电势不同,从而引起静电荷的传输。ESD的失效模式主要有突发性完全失效和潜在性失效。家用影音设备中ESD现象将导致器件的使用可靠性和抗静电能力下降。家用影音设备集成电路ESD防护设计的重点包括选择合适的ESD防护器件、精简和紧凑的设计、低电容优化和提升响应速度。  相似文献   

19.
德州仪器(TI)宣布推出针对LCD显示应用的6通道与4通道电磁干扰(EMI)滤波器TPD6F202与TPD4F202,其静电放电(ESD)额定值至少可超出IEC61000-4—2规范接触放电的3倍。这两款产品的空气间隔放电均比该规范高67%,可帮助设备在传输信号的同时,过滤出高频RF与电磁干扰(RF,EMI),避免屏幕(尤其是LCD显示屏)上出现条纹。  相似文献   

20.
《中国集成电路》2009,18(6):69-69
安森美半导体推出业界首款共模扼流圈及静电放电保护集成电路,应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波,固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使这方案远优于典型的电磁干扰(EMI)滤波器及分立可选方案,同时有助显着减少组件数量。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号