光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术发展动态。     

光刻技术新进展

[编者按]半导体技术经过半个多世纪的发展,现在仍继续遵循Moore定律保持着强劲的发展态势,片径已达300mm,并不断在向450mm迈进,据预测,在新技术推动下到2010年后直径将达到450mm.大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.     

ULSI相移光刻技术＊

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。     

KrF光刻工艺技术

比较了248nm KrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nm KrF光刻工艺的特点.对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nm KrF光刻技术在实际工艺中可以得到灵活应用.     

远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。     

液晶光阀组式光刻快门控制电路的研究与设计

通过分析光刻快门的控制原理及结合液晶光阀的工作原理．对液晶光阀组的控制进行了研究并给出了其控制电路图，该控制系统采用DS75451与门模块对液晶光阀组进行驱动，通过AT89C51单片机控制液晶光阀组的亮暗．实现了对液晶光阀组的控制．起到光刻快门的作用。通过实际光刻试验．液晶光阀组式光刻快门机构可以完成编码图案的控制，通光控制达到了预计的要求．刻出的图案清晰，线条陡直．证明液晶光阀替代穿孔带用于光刻快门是完全可行的。     

仿真技术在晶圆制造光刻区派工中的应用

对光刻区的派工法则进行了分析研究.在传统的先来先服务规则的基础上,根据光刻区的生产特性及实际情况,以最小化完工时间为目标,主要考虑到减少设备的调整时间,提出一种启发式综合派工法则.对某晶圆制造厂的一组光刻设备进行实例研究,运用Extend仿真软件对传统先来先服务规则和启发式综合派工法则分别建立仿真模型,通过仿真得出主要生产性能参数.结果表明,启发式综合派工法则明显优于现有的先来先服务规则.     

AOTF器件制作中光刻工艺的研究

对在LiNbO3晶体基片上制作声光可调谐滤波器(AOTF)光刻工艺参数的确定进行了研究.着重研究了匀胶机转速、曝光时间和显影时间对光刻效果的影响.通过大量的实验得到了较好的光刻工艺参数,即在低速2850/8(rpm/s)和高速6000/25(rpm/s)的转速下取得较均匀的光刻胶后,在90℃下前烘30 min,再经过10 s曝光和10 s显影,最后再经过30 min的100℃后烘,可得到较好的光刻图样.经过显微镜观察,光刻好的图形表面洁净,侧壁陡直光滑,图形质量较好.     

厚膜光刻工艺在PDP中的应用

简要介绍了表面放电型ACPDP制作工艺中电极、障壁和荧光粉的厚膜光刻技术,并对这些工艺中所存在的一些问题进行分析和讨论。     

超分辨近场结构光刻技术

介绍了一种新的近场光刻技术的基本原理及其在光刻方面的应用研究的最新进展。新技术的基本原理是;光远场照射,通过超分辨掩模产生光刻所需的超过衍射极限的近场光,利用夹在掩模和光刻胶中闯的电介质保护层实现了近场光的最佳耦合,减小了线宽并大大提高了光刻速度。这种膜层结构叫超分辨近场结构(Super-RENS),是近年来发展起来的一种新的近场光学技术。     

BARC工艺在亚微米光刻中的应用

在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%。     

光瞳滤波投影光刻实验研究

介绍了一套自行研制的用于光瞳滤波实验的投影光刻实验系统，其物镜光瞳处预留出放滤波器的位置，可方便取放滤波器。在理论分析的基础上，开展了光刻对比实验研究，实验研究，实验研究结果表明光瞳滤波能大幅度提高投影光刻成像系统分辨力，并增大焦深，是一种比较有效地提高投影光刻成像质量的方法。     

高效铜激光倍频及在光刻中的应用

通过线聚焦将自滤波振荡行波放大后的铜激光在ＢＢＯ晶体中信频，当基频光功率为５．４Ｗ时，倍频效率达１４．４％。用钢激光倍频光进行接触式光刻，刻线分辨率优于１．０μｍ。