环形脉冲发生器中的超快光电导开关

一种新型的由电压充电传输线(VCTL)及本征硅光电导开关组成的极快电脉冲发生器巳研制成功。采用波长为1.06μm、脉宽为80ps的激光脉冲激励环形电路中的开关,可以获得具有极快上升下降沿(小于200ps)、宽度决定于环形线长、开关效率决定于负载的纳秒方波脉冲。     

超短激光脉冲触发GaAs体光导开关的三维瞬态分析

本文采用时域有限差分法，超吸收边界条件，利用半导体物理学的有关成果，归纳的适合体光导开关的三维载流子复合动力学数学模型，完成了对半导体光导开关的三维全波分析，计算了光导开关内部场和载流子的瞬态分布，本文提出的最佳设计方案，可使对激光能量的要求成倍数的降低，本文还讨论了静态场量对数值计算的影响。     

微微秒光电子开关的光电导

利用研制成的微微秒光电子开关，采用Nd：YAG超短激光脉冲序列，并选出单脉冲作为光源，选用GaAs、inp、p型Si和N型Si四种材料作为光电子开关中的介质，观察了它们的微微秒光电导现象。在直流偏压Vo下，     

基于GaAs光电导开关的超宽带微波源

报道了用飞秒激光脉冲触发GaAs光电导开关产生超短电磁脉冲辐射超宽带电磁波的实验结果,分析了超短电脉冲串经宽带天线的辐射特性.在接收端获得了上升时间200ps、脉冲宽度500ps、重复频率82MHz的超短电脉冲串和经宽带天线辐射的超宽带电磁波波形,其电磁波频谱覆盖4.7MHz～14GHz.     

皮秒激光脉冲触发下光电导开关响应时间的理论计算

本文采用计算机数值分析的方法,分析了激光脉冲的能量、宽度、半导体对光的吸收系数、半导体的表面复合、体复合以及俄歇复合等因素对光电导开关响应时间的影响。结果表明,光电导开关的响应虽然很快,但与光脉冲并不完全同步,而有一个短的时间滞后。     

基于光电导开关的高功率超宽带微波脉冲产生技术

光控光电导开关因其具有传统高功率脉冲器件所不具有的优良特性 ,在产生高功率微波脉冲领域具有很大的发展潜力。利用光控光电导开关可以直接从直流电源产生高功率的微波脉冲。本文首先介绍了光控光电导开关的结构和两种不同的工作模式 ,以及它在不同工作模式下的工作特性 ,然后叙述了利用光控光电导开关产生高功率超宽带微波的几种技术     

用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的奇特光电导现象

报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2.0和6.0kV/cm时,用脉冲能量为0.8mJ,宽度为5ns的激光触发开关,观察到开关输出的线性和非线性工作模式.当偏置电场增至9.5kV/cm,触发光脉冲能量在0.5～1.0mJ范围时,观察到奇特的光电导现象,开关先输出一个线性电脉冲,经过大约20～250ns时间延迟后,触发光脉冲消失,开关又输出一个非线性电脉冲.这一奇特光电导现象的物理机制与半绝缘GaAs中的反位缺陷和吸收机制有关.分析计算了线性与非线性电脉冲之间的延迟时间,结果与实验观察基本吻合.     

增益开关半导体激光器超短光脉冲消啁啾研究

增益开关半导体激光器的输出光脉冲具有“红移”啁啾，本文对具有不同时域及频域特性的啁啾光脉冲采用F－P滤波和正常色散光纤补偿两种消啁啾的效果进行了理论研究．结果表明，这两种消啁啾方法在单独运用时，都只能在一定的超短光脉冲脉宽和诺宽特性条件下，获得近变换极限光脉冲，而两种消啁啾方法的结合则可以改善消啁啾效果．实验结果也证明了理论计算的结论．     

一种广义时域有限差分算法＊

本文讨论了一种广义FDTD算法,它是建立在修正的Maxwell方程式基础上的。引入尺寸的比例因子和尺寸扩展因子使空间网格沿三个轴向的大小既具有不相等,亦具有可变扩展的能力,使这种算法具有广泛应用的能力。本文给出三个例子说明本方法所得结果是令人满意的。     

从物理概念理解矩形波导的导波模式

本文从导体边界条件出发,解释矩形波导内不能存在TEMz模式,并分析TE_m0^z模式的场结构。根据波数和驻波概念解释导波的截止与传播以及导波的快波特性。从方向阻抗概念得到模式的波阻抗,最后由色散方程解释导波的色散特性。本文从物理概念推导出导波模式的各种特性,更有助于学生对导波模式的理解。     

一种新的吸收边界条件及三维微波结构的FDTD

本文基于 Z-变换域上导出的一种新的有效的吸收边界条件和 FDTD法对三维微波无源集成结构进行了全波分析。与 Mur吸收边界条件、色散吸收边界条件等相比 ,这种新的吸收边界条件更精确有效。相应的软件可应用于复杂三维微波集成结构等效网络参数的精确快速提取。     

一种新的吸收边界条件及三维微波结构的FDTD分析

本文基于Ｚ－变换域上导出的一种新的有效的吸收边界条件和ＦＤＴＤ法对三维微波无源集成结构进行了分析。与Ｍｕｒ吸收边界条件、色散吸收边界条件等相比,这种新的吸收边界条件更精确有效。相应的软件可应用于复杂三维微波集成结构等效网络参数的精确快速提取。     

电磁脉冲作用下近地电缆外皮感应电流的全波分析

本文采用时域有限差分法,分析电磁脉冲作用下,地面附近同轴电缆所感应的外皮电流。在计算外皮感应电流时,既考虑了传输线模式电流,也考虑了天线电流。该方法适合分析各种电缆的外皮感应电流。所得结果与有关资料作了对比,说明本文的计算结果是合理的。     

时域MEI方法在矩形导体柱散射问题中的应用

本文用时域有限差分法（FDTD）模拟二维矩形导体柱的电磁散射场，采用时域不变性测试方程（MEI）作为吸收边界条件对该散射场进行求解。将所得计算结果与截断边界网格点采用Mur二阶吸收边界条件所得的数值结果相比较，两者吻合很好。结果表明使用时域MEI方法作为吸收边界条件能有效缩短截断边界与物体边界的距离，且能得到足够精确的解。     

基于MEI吸收边界条件的导体柱散射问题模拟

首次在圆柱坐标系时域有限差分 (FDTD)法中采用基于时域不变性测试方程 (MEI)方法的吸收边界条件 ,对导体圆柱的电磁散射问题进行了数值模拟研究。在相同计算条件下 ,与应用Bayliss Turkel二阶辐射边界条件的FDTD结果相比较 ,直观地表明MEI方法结果与解析解吻合更好     

完全匹配层（PML）吸收边界条件的理论分析

本文以屏蔽微带线为例,应用谱域方法推导了时域差分(FDTD)法中所用的完全匹配层(PML)吸收边界条件的公式,并且严格证明了有关参数的选择原则.计算表明,在屏蔽微带线中,这种吸收边界条件的反射系数可以小于-80dB.本文所给出的推导方法对于平面分层介质结构是普遍适用的,因为谱域中的每一个波谱实际上都代表一个平面波.文中所给出的推导揭示了这种吸收边界条件的机理,它对于正确使用以及进一步改进这种吸收边界条件都是有意义的.     

FDTD算法的线性预测吸收边界条件

提出了一种全新的FDTD吸收边界条件——线性预测吸收边界条件(Linear Prediction Absorbing Boundary Condition——LPABC)。通过对吸收边界上的入射场进行深入的分析研究，发现在某些条件下吸收边界上的场值与入射方向上其相邻区域的场值是线性相关的，从而提出了一种利用入射方向相邻区域的场值对吸收边界上的场值进行线性预测的吸收边界条件。采用这种吸收边界条件，计算域内的场为行波场，在边界处是无反射的。此外，这种吸收边界条件不需要设置额外的吸收层，也不需要存储前一时刻的场值。最后进行了FDTD实际计算，计算结果表明LPABC吸收边界条件是有效的。     

用FDTD法计算矩形波导中E面膜片的等效参数

本文用时域有限差分法计算了矩形波导中Ｅ面膜片的等效参量，为了很好好吸收波导中的散射波，采用了一种高精度的稳定的色散边界条件来截断计算空间。在考虑膜片厚度时，本文用环路积分法建立起膜片附近的修正迭代格式，所得结果与文献中的结果吻合。