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CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效。首先分析了CMOS电路结构中效应的产生机理及其触发方式,得到了避免闩锁效应的条件。然后通过对这些条件进行分析,从版图、工艺等方面考虑如何抑制闩锁效应。最后介绍了几种抑制闩锁效应关键技术方案。 相似文献
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CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效。文章首先分析了CMOS电路结构中效应的产生机理及其触发方式,得到了避免闩锁效应的条件。然后通过对这些条件进行分析,从版图设计和工艺等方面考虑如何抑制闩锁效应。最后介绍了几种抑制闩锁效应的关键技术方案。 相似文献
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闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。文章较为详细地阐述了一种Bipolar结构中常见的闩锁效应,并和常见CMOS结构中的闩锁效应做了对比。分析了该闩锁效应的产生机理,提取了用于分析闩锁效应的等效模型,给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式。通过对这些条件的分析表明,只要让Bipolar结构工作在安全区,此类闩锁效应是可以避免的。这可以通过版图设计和工艺技术来实现。文章最后给出了防止闩锁效应的关键设计技术。 相似文献
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陈桂章 《固体电子学研究与进展》1990,(4)
本文报道了GaAs常γ电调变容管材料的研究.文中分析了GaAs单晶衬底的质量对外延层表面形貌和外延层-衬底间界面状态的影响;研究了外延工艺条件与外延层浓度分布的关系;讨论了外延层载流子浓度分布对器件C-V特性的影响.文中还给出了材料的制管结果. 相似文献
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本文主要介绍CM303双二选一模拟开关电路的基本结构,包括从电路的版图设计、工艺设计原则,以及采用埋层外延技术,本电路以实现消除闭锁现象为目的。给出了制造工艺条件对外延材料的选择关系,最后给出了电路的性能指标。 相似文献
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对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究.研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构.这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制.同时,对热退火前后P-on-N结构变化进行了二维数值模拟,研究了不同变化对其能带结构和光电流的影... 相似文献
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液相外延材料Ga_(0.47)In_(0.53)As的厚度与表面 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从有限扩散模型出发,结合相图,计算了Ga_(0.47)In_(0.53)As材料液相外延时三种冷却工艺生长的外延层厚度与生长时间的关系.给出了过冷工艺的外延层厚度与过冷温度、冷却速率关系的理论曲线,与实验数据基本相符.讨论了影响外延层厚度的因素,获得了器件级外延层生长的择优工艺条件. 相似文献