硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固态的熔点高 ( 63 0℃ )、热稳定性好 ,有利于器件的使用 .进一步研究表明 ,淬火态为无序态 ,再凝固态为结晶态 ,其中存在 Pb2 Zn B2 O6 的晶体相 .无论是在无序态中还是在结晶态中 ,[BO3]3- 离子团都不会破裂 ,均出现其分子振动的特征简正模 .     

硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热稳定性好,有利于器件的使用.进一步研究表明,淬火态为无序态,再凝固态为结晶态,其中存在Pb2ZnB2O6的晶体相.无论是在无序态中还是在结晶态中,[BO3]3-离子团都不会破裂,均出现其分子振动的特征简正模.     

TEM研究微钛0.1%C钢TiN析出和长大

实验用钢采用50Kg非真空中频感应炉冶炼用Si-ea粉和Al为脱氧剂,生钢前加钛。为控制凝固过程冷却速度,浇铸时采用特制的砂模,铁模和水冷铜模。钢的成份为0.10％C,0.012％Ti,0.018％N。电镜观察采用Speed法萃取复型试样。 TEM对不同凝固条件的铸态样品观察表明凝固和随后冷却过程中钛的析出不充分,有相当部分钛固溶在基体中,凝固冷速越快,钛的固溶度越高,随后的热处理过程中既包含着钛以TiN析出,又包含着TiN的进一步长大。照片(1)为铁模样品经1000℃,1100℃,1200℃保温2小时淬火,TiN沉淀相的电镜照片,可见温     

磁性材料、超导材料和器件

TM271 95060081晶体生长方向对亚快速凝固结晶形貌的影响/蒋成保,胡汉起,王佩君,李建国日匕京科技大学)Il航空学报一2 995,16(3)一331一334’ 文章研究亚快速凝固条件下,晶体的结晶取向规律,以及晶体生长方向和结晶形貌的关系,进一步认识亚快速凝固过程中的凝固行为,为研制结晶取向和易磁化轴方向一致的优质磁性功能材料提供理论基础.图4参3(南)TM274 95060083磁流体研究的若干新成果/许孙曲,许菱(南方冶金学院)l/磁性材料及器件一19叱.26(2).一23一28,39 介绍了近年来国外、国内在磁流体制作、性能和应用等方而的理论和实验研究的若干新…     

聚苯胺/三氧化钨复合薄膜的制备与性质

采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)玻璃上制备三氧化钨(WO3)薄膜,将其在300℃下焙烧2h,再通过电沉积法在表面生长聚苯胺(PANI)薄膜.采用电化学方法、光谱分析法及扫描电镜等测试手段对WO3薄膜、PANI薄膜及PANI/WO3复合膜进行表征,发现复合膜着色态与褪色态透过率差异显著,变色效率(CE)达到57.94 cm2/C,比PANI和WO3薄膜的CE值28.94和10.55 cm2/C分别提高了50％和82％.扫描电镜结果表明,PANI薄膜表面结构疏松,有无序的微孔;而复合膜的结构规整、微孔排列相对有序且表面形貌均匀.     

高速钢激光重熔后的组织与性能

研究了W18Cr4V高速钢激光重熔后的组织与性能。结果表明，常规淬回火组织经激光重熔后其硬度、韧性都有提高，熔化层的残余应力为技应力；经640℃回火后；由于残余应力的消除及重熔组织中马氏体的二次硬化和残余奥氏体的二次淬火效应其耐磨性能有了进一步地提高。     

(001)Si衬底上La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3外延生长薄膜的界面电子显微学研究

本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3（STO）和La0.9Sr0.1MnO3（LSMO）薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[^-110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO,//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si^2＋和Si^0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中。     

Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量

本文研究Si~+室温深注入(150～160keV,1～3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜表面结晶质量的工艺.180keVH~+沟道效应—背散射测量表明,两步Si~+注入和两步退火团相外延再生长工艺能够有效地改善SOS膜结晶质量°表面归一化最小产额x_o、界面最小产额x_i 和退道率dx/dz分别减小到0.06、0.12和0.19/μm.     

钛合金表面激光重熔Al2O3-TiO2涂层的试验研究

采用等离子喷涂和激光重熔复合工艺在Ti-6Al-4V基体上分别制备了微米和纳米Al2O3-13wt.%TiO2涂层,通过光学金相显微分析(OM)、扫描电镜分析(SEM)、显微硬度试验等方法研究了激光重熔对涂层的组织及性能的影响。试验结果表明,激光重熔可消除涂层内部的孔隙和层状缺陷,获得表面平整、致密的重熔涂层,且涂层与基体形成了良好的冶金结合。激光重熔后,微米和纳米Al2O3-13wt.%TiO2涂层的平均硬度值分别由喷涂态涂层的803 HV0.3和846 HV0.3提高至1 111 HV0.3和1451 HV0.3。     

BT20钛合金的激光表面重熔

激光表面重熔对提高钛合金表面的耐蚀性具有显著的效果.采用脉冲Nd-YAG激光器对BT20钛合金进行了重熔.表面显微结构、硬度分布和在3wt% NaCl与1M HCl溶液中的耐蚀性进行了研究.激光重熔处理后耐蚀性得到显著的提高.耐蚀性的提高归因于快速凝固造成的组织变化.     

楔焊中使用球焊劈刀的可行性分析

传统的键合专用装备中,分为球焊设备和楔焊设备,两者使用不同的换能器,不同种类劈刀,不同的焊接形式。比对了两种焊接形式的共同点,通过改造设备,焊接试验得出凸点的形状,引线的拉断力测试,总结和分析利用球焊设备、劈刀来完成楔形焊接的可行性。     

直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为．硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能．将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较．硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大．键合能的饱和时间与激活能密切相关．     

直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度 ,是退火温度和时间的函数 ,界面反应激活能决定着成键的行为 .硅片键合能随退火温度分两步增加 ,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能 .将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较 .硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大 .键合能的饱和时间与激活能密切相关     

凸点芯片倒装焊接技术

凸点芯片倒装焊接是一种具有发展潜力的芯片互连工艺技术。目前主要有C4、热超声和导电粘接剂等工艺方法,本文介绍了这三种工艺的技术特点、工艺流程及应用领域。     

超声键合过程中键合压力特性的实验研究

建立了超声键合压力的测量工作台,对工作台进行静态线性度标定和动态重复性测量,利用动态压电测力传感器对超声键合系统键合压力大小进行测量,得出不同压力作用下传感器力响应曲线图,分析其频谱图,发现保持某一固定功率(4.5格2.25W),可以找到合适的键合压力(5格0.719N)与其匹配.这些实验现象和结果可作为超声键合过程参数匹配及优化的依据.     

Using Transmission Laser Bonding Technique for Line Bonding in Microsystem Packaging

The transmission laser bonding (TLB) technique has been developed for the formation of continuous line bonds for microsystem packaging applications. Line bonds are generated by overlapping single bonding spots, in which the degree of overlapping is achieved by varying the scanning speed of the laser as it irradiates the bonding wafers. An analytical model has been developed to guide the TLB process, attaining a uniform laser intensity that produces uniform bonds, satisfying the bonding requirements. Guided by this model, experiments have been conducted to bond Pyrex glass-to-Si wafers at various bonding conditions. To demonstrate the reliability of the technique and the model developed, the strength of the resulting bonded pairs has been evaluated by a micro tensile tester. At contact pressures higher than 1 MPa, the strength of bonded lines can reach a stable value of 9.2 MPa, which is comparable to those obtained by other major bonding processes. To further understand the associated bonding mechanism, the bonded interface has also been analyzed using auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, quantifying the drifting or diffusion of atoms that occurs between glass and Si wafers during the bonding process     

芯片粘接失效模式及粘接强度提高途径

芯片粘接质量是电路封装质量的一个关键方面,它直接影响电路的质量和寿命。文章从芯片粘接强度的失效模式出发,分析了芯片粘接失效的几种类型,并从失效原因出发对如何在芯片粘接过程中提高其粘接强度提出了四种解决途径和方法,对提高芯片粘接强度和粘接可靠性具有参考价值。文章还指出了芯片粘接强度测试过程中的一些不当或注意点及其影响,并对不当的测试方法给出了改进方法,能有效地避免测试方法不当带来的误判。