半导体功率器件发展概况

本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.     

功率RMOS器件的优化设计

从ＲＭＯＳ器件的导通电阻模型出发，通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系，得出：减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度，可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压；反之，器件的导通电阻和反向耐压增加。同时，浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明，条形结构优于元胞结构。     

半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试

采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究,测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度。通过改变功率数值或对样品的装配条件,探索功率、工作条件、夹持应力等因素对器件及芯片区域变形产生的影响;对器件的变形模式及其现象的因果关系进行了分析和讨论。     

VDMOS功率器件开关特性研究

本文详细分析了线性负载ＶＤＭＯＳ功率器件的开关特性，得到了开关时间与栅输入电容及器件跨导、测试（工作）电流及电压的关系，并以方形原胞为例，指出了在设计和工艺上提高开关速度的途径。     

功率集成器件及其在通信中的应用

本文综述新一代电力半导体器件中、VDMOS、IGBT、高压集成电路、Smart功率集成电路及其最近发展动态以及上述器件在通信中的应用。     

新一代碳化硅器件渐入佳境

作为宽带半导体中发展最为成熟的SiC器件,是目前半导体领域最受人关注的热点器件和前沿研究领域之一,其在大功率、高频、耐高温、抗辐射和抗腐蚀等方面具有的巨大应用潜力,使其成为潜在的高功率、耐高温、抗辐射性能强的新一代功率半导体器件。     

挑战现有测试技术的SoC器件

随着先进的集成电路(integrated circuit简称IC)设计思路和高密度工艺技术的实现，半导体制造厂商能够创建出系统级芯片(system-on-chip简称SOC)器件，在该器件内不同种类的数字和模拟电路核心被集成在非常微小的尺寸上面，发挥着各自的功能。然而，不管从先进的设计和功能实现上所获取的收益如何，制造厂商在将这些复杂的器件转化为大批量快速生产和实现良好性能价格比的时候，所面临的挑战也是非常大的。当采用传统的测试技     

新型封装技术应对汽车智能功率器件设计挑战

用于汽车动力传动系统和引擎控制的功率半导体器件必须能够耐受恶劣的环境。对于半导体IC来说，最高结温Tjmax是关键因素。阻断能力（Blocking capability）栅极阈值电压（gate threshold voltage）及其它重要的特性参数均受Tjmax所限制。超出Tjmax是大部分失效事故的主要原因。如果考虑到汽车应用中的高工作温度．加上许多汽车应用中功率器件必须在能量吸收模式下工作（这是其它功率设计很少见到）的事实，这就成为了一个相当大的设计挑战。所有这些都要求功率半导体对热限制、热管理有充分透彻的理解，才能为汽车市场提供所需的产品可靠性。     

SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。