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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
采用冷压陶瓷技术制备名义分子式为(Ba_(1-x)Ho_x)Ti_(1-x/4)O_3(x=0.01)(简称BH1T)的陶瓷.通过X射线衍射(XRD)和拉曼光谱技术调查了BH1T陶瓷的结构信息.结果表明:BH1T陶瓷具有单相四方钙钛矿结构.采用不同波长激光的拉曼光谱调查.发现BH1T在488 nm激光下显示正常的四谱带钙钛矿结构特征.而在532 nm激光下显示强信号的拉曼荧光效应.完全隐藏了钙钛矿结构信息.  相似文献   

2.
铈和锶、锆和锶两组不同元素离子在钛酸钡的双位掺杂的固溶性对室温高介电扩散的材料开发具有研究价值.由冷压陶瓷技术制备了以上两组离子共同掺杂的钛酸钡陶瓷.XRD被测量,比较并评价了铈和锶、锆和锶在钛酸钡晶格双位并入与锶在钡位并入对钛酸钡晶格固溶性的影响.  相似文献   

3.
采用日本理学Rint 2200型和丹东皓元DX-2700型两种型号的X射线衍射仪,采集具有立方结构的BL3TC5和四方结构的BaTiO3陶瓷体和粉末XRD谱.研究表明:相对于粉末XRD衍射峰,陶瓷体XRD峰向低角端移动,晶体的单胞体积增加.先进国外仪器的量化结果提供了校正国产仪器变温XRD测试的科学依据.  相似文献   

4.
采用溶胶-凝胶法制备工艺制备了(1-x)(Na0.5Bi0.5)TiO3-xBa0.092Ca0.03Sr0.05TiO3(x=0.04、0.06、0.07、0.08)系无铅压电陶瓷。研究了陶瓷的铁电、压电性能和显微结构。结果表明,该体系陶瓷在x=0.06时,其压电常数d33,机电耦合系数kp,厚度耦合系数kt,相对介电常数rε,介质损耗tgδ,分别为152,0.24,0.47,1 250,0.04。  相似文献   

5.
采用溶胶-凝胶法制备工艺制备了(1-x)(Na0.5Bi0.5)TiO3-xBa0.092Ca0.03Sr0.05TiO3(x=0.04、0.06、0.07、0.08)系无铅压电陶瓷.研究了陶瓷的铁电、压电性能和显微结构.结果表明,该体系陶瓷在x=0.06时,其压电常数d33,机电耦合系数kp,厚度耦合系数kt,相对介电常数εr,介质损耗tgδ,分别为152,0.24,0.47,1 250,0.04.  相似文献   

6.
从研究中温加热用PTC效应热敏陶瓷材料的成分,性能与工艺之间的关系入手,在传统耻,通过不同掺杂量和烧结工艺对PTC效应半导资性能影响的分析,选出最佳成份配比与最佳烧结工艺。介绍从配料到终烧的各个步骤。  相似文献   

7.
采用冷压陶瓷技术制备具有六方钙钛矿结构的Ba(Ti1-xFex)O3-δ(x=0.05,0.08)陶瓷.由拉曼光谱(RS)技术研究Ba(Ti1-xFex)O3-δ陶瓷在840 cm-1处的"电荷效应".实验观察到代表电荷效应的840 cm-1带消失,其原因最可能是:Fe3+相对于Ti4+具有更小的离子半径、Fe3+-Vo-Fe3+缺陷复合体的形成以及具有低对称性晶格点阵的六方畸变导致电荷效应湮灭.  相似文献   

8.
采用冷压陶瓷技术制备了(Ba0.75Sr0.25)TiO3、Ba(Ti0.8Zr0.2)O3、(Ba0.75Sr0.25)(Ti0.8Zr0.2)O3陶瓷.XRD结果表明,Sr和Zr在BaTiO3的Ba位、Ti位、及Ba/Ti双位并入均具有高固溶性,且为没有超结构特征的单相钙钛矿结构.Sr/Zr的双位并入加快介电峰向低温的移动.Sr掺杂对Ba(Ti0.8Zr0.2)O3介电峰移动率的贡献为-1.5℃/mol%Sr.抛光技术对介电温谱的影响研究表明,尽管水抛光导致(Ba0.75Sr0.25)(Ti0.8Zr0.2)O3陶瓷颜色变暗,但晶体结构不变、介电峰值降低.  相似文献   

9.
固相反应制备(Ba_(1-y)Ce_y)(Ti_(1-x-y/4)Ce_x)O_3(y=0.03;x=0.01,0.03,0.05)陶瓷.仅在x=0.05(BCTC5)时形成具有立方结构的单相固溶体.通过XRD、SEM、RS以及介电测试研究了(Ba1-yCey)(Ti1-x-y/4Cex)O3陶瓷的结构和介电性能.BCTC5显示不均匀晶粒组成,具有立方结构,Ce掺杂后主要以Ba位Ce~(3+)和Ti位Ce~(4+)存在.两性的Ce~(3+)/Ce~(4+)能在BaTiO_3(TC=125℃)居里点引发原位扩散相变.  相似文献   

10.
在通常的电磁学教科书中,只讨论静止电荷之间的作用规律(库仑定律),本文用狭义相对论的基本原理,通过洛仑兹变换,导出了运动电荷之间的相互作用规律具有相对论效应.严格证明了库仑定律应用的范围只限于静止的电荷.从另一侧面阐述了电场和磁场的相互联系。  相似文献   

11.
为了对国产X射线衍射仪(XRD)进行低于室温的温度校正,采用冷压陶瓷技术制备了(Ba1-xLax)Ti1-x/4O3(x=0.06)(BL6T)陶瓷样品.BL6T陶瓷的铁电相变点(TC)由升温的介电温谱和降温的拉曼光谱技术确定.结果表明:BL6T具有一级相变特征,符合变温XRD校正要求.但BL6T显示热弛豫效应,采用两种技术确定的相变点分别发生在-3和-6℃,两者显示较小的热弛豫(3℃).  相似文献   

12.
Mn掺杂及其价态变化可引起钛酸锶钡陶瓷有趣的结构相变,对低损耗陶瓷材料的开发具有重要的研究价值.采用冷压陶瓷技术在1 380℃/5 h烧结条件下制备了Mn掺杂(Ba0.75Sr0.25)TiO3陶瓷.利用X射线衍射(XRD)确定晶体结构,研究Mn掺杂对(Ba0.75Sr0.25)TiO3陶瓷结构的影响.研究表明,随Mn掺杂量的增加,(Ba0.75Sr0.25)(Ti1-y Mn y)O3陶瓷发生四方相→四方-六方混合相→立方-六方混合相的结构相变.  相似文献   

13.
采用固相反应法制备了(Ba1-xPrx)Ti1-x/4O3(x = 0.10-0.20)(BPT)的陶瓷。由X射线衍射(XRD)和电子顺磁共振(EPR)技术研究了BPT陶瓷的固溶度及Pr离子的位占据情况。结果表明: BPT陶瓷的固溶度为x = 0.17,且在固溶限制范围内BPT具有单相立方钙钛矿结构;Pr离子支配性地占据Ba位。  相似文献   

14.
1 IntroductionFerroelectricswiththetungstenbronzetypestructurehaveexcellentferroelectric ,piezoelectric ,pyroelectric ,electro optic ,andnonlinearopticalproperties[1,2 ] .Tung stenbronzestructureconsistsofanassemblageofcorner shared [MO6 ]octahedral (M =Ti,Nb ,Ta ,or…  相似文献   

15.
The Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were fabricated on the Pt/Ti/SiO2/Si substrates using sol-gel method. The structure and morphology of the films were characterized us-ing X-ray diffraction and atomic force microscopy. The thin films showed a perov- skite phase and dense microstructure. The 2Pr and 2Vc of the Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films annealed at 700℃ were 18.6 μC/cm2 and 4.1 V, respectively, under an applied voltage 10 V. After the switching of 1×1010 cycles, the Pr value decreased to 90% of its pre-fatigue values. The films showed good insulating behavior according to the test of leakage current. The dielectric constant and the dissipation factor of the Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were about 176 and 0.046 at 1 kHz, respectively.  相似文献   

16.
以分析纯硝酸铋、硝酸镧、钛酸四丁酯为原料,采用水热法制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)纳米材料。用XRD和SEM对样品的物相和形貌进行了表征。讨论了矿化剂(NaOH)浓度和水热反应时间对BLT物相的影响。表明合成产物为正交相钙钛矿结构Bi3.25La0.75Ti3O12纳米片,厚度约10 nm,平均边缘尺寸约100 nm。当反应温度为200℃时,反应时间在12 h到48 h,矿化剂浓度在1 mol/L到2 mol/L范围内能有效合成Bi3.25La0.75Ti3O12。  相似文献   

17.
利用传统的固相反应法在不同条件下制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)介电陶瓷,通过粉末XRD测试对其结构进行表征,以获得纯相CCTO陶瓷的合成条件.XRD结果表明,1 100℃/12 h烧结条件下制备的CCTO陶瓷结晶性好且为纯相;介电测试表明,样品在低温下存在介电弛豫,分析表明低温介电弛豫来源于晶粒的本征效应.  相似文献   

18.
1Introduction Therehavebeenextensiveresearcheffortstoen hancethereliabilityofperovskite basedferroelectricthinfilmsforapplicationinNVFRAM(nonvolatileferroelectric randomaccessmemory)devices[1,2].Manyferroelectricmaterials,suchasPbZrxTi1-xO3(PZT),SrBi2Ti2O…  相似文献   

19.
采用固相反应法制备了Co2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Co2O3掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷相结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂Co2O3后Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷产生了第二相,随着Co2O3施主掺杂量的增加,抑制了第二相的产生,掺杂后的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷是具有弥散相变的铁电体,弥散程度随掺杂量的增加而增加,x=0.01时,矫顽场最大。  相似文献   

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