外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

外刊题录

(IEEE Tran,.Cono.Eleetron.,198弓,Vol. CE一3一渔3,PP.109一679) 1.集成化的SMHz视频输出放大器 An integrated 8 MHz videooutPut amPlif- ier2.高性能同步处理器集成电路 An integrated high Performanee synehron· ization Processor 昌.具有集成电路内部总线的1 .3GH:单片锁 相环路集成电路 1 .3 GHz PLI闷with 12C一bu,4.主从方式的电视机电源处理器集成电路 TV Power Prooe、,or 1.C.maoter sla、,e eon- 亡ePt5.用于直接驱动彩色显象管阴极的视频输出级 集成电路 Integrated video outPut stage,for direet drivi…     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

外刊题录

SMPTE Journal 1986年第3期目录SMPTE Journal 1986年第1期目录1 .The Digital Television TaPe Reeorder一Audio and Data Reeording AsPeets,K.P.Davies P4 数字电视录象机—声音和数据记录方面2 .AnExPerir’lental All一Digital Television Center D.Nasse et al.P13 一个试验型全数字电视中心3 .Progres,RePort on Reeent DeveloPments on one Manufaeture‘51/4一in ENG Reeorder 5.Kasai et al.P20 一个生产厂家1/4英寸ENG录象机的近期研制进展 报告4 .OPtical Videodise for High一Definition Television b…     

外刊题录

1.聚酰亚胺薄膜的热性能和腐蚀特性Jap. J. Appl. Phys. pt. l. Vol. 23, No. 3,P. 384, 19842.用过硫酸铵作光致抗蚀剂、去除剂和清洗氧化剂Semiconductor Int., Vol. 7, No. 4,P. 109, 19843.NF_3:一种新的干法腐蚀气体S. S. Technol., Vol. 27, No. 3, P. 172,1984.4.用三甲基镓Ga源MBE生长GaAsJ. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, P. 3163,1984     

外刊题录

1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6,     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

外刊题录

为在有限的篇幅内,向读者提供更多的情报信息,从本期开始将陆续登录部分外刊的有关资料索引.请广大读者根据自己工作所需,经常向我们提出要求和批评,以便我们改进工作,把这个专栏办得更合您的要求.     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

外刊

手机电视不确定的未来目前,手机电视主要是通过3G网络传输,但如果向每一个用户都提供视频流的话,这个网络将低效且不稳定。目     

外刊

芯片产品家用化时代来临；科技巨人IBM和惠普的不同未来；网络广告将成2005年主旋律     

外刊导读

《connect》德文2005年11月刊 随着移动通讯的发展，人们使用手机通话的时间越来越长了，整体资费水平也呈下降趋势，但用户只有根据各自的需要选择了合适的运营商，才能真正少掏腰包。在手机的品牌，型号选择上也会有自己的偏爱，《connect》按照不同的标准，帮你对众多机型进行权威的横向对比测试，给出明确的比较结果。     

外刊头条

美联社1月26日消息:微软董事会主席比尔盖茨(Bill Gates)1月25日表示,电子政府办公的形式不会导致裁员,它将为公众提供更好的服务,使得政府管理流程更加高效和透明。盖茨表示,电子政府是微软“一项重点业务”,他希望自己这番说法能够缓减对于电子政府可能导致公务     

外刊头条

新招数:移动短信帮助打击德国犯罪法新财经2月16日消息德国内政部长奥托-斯奇利(Otto Schily)宣布,愿意帮助政府打击犯罪的良好市民从今以后将能够通过短信与警察联系。斯奇利指出:“短信在帮助寻找失踪人员,特别是儿童时能够发挥很好的作用,普通市民现在可以充当警察的‘线人’,来追踪逃亡的狱犯或罪犯。”如果警方寻求帮助,将把短信发     

外刊头条

美国:仍在积极研发信息化间谍项目美联社2月23日消息尽管公众对于隐私保护的呼声日益高涨,但美国政府仍然在积极研发一些用来收集公众个人信息以防范恐怖攻击的项目。例如,美国五角大楼下属的先进研究发展局就在斥资6400万美元用于相关项目的研发。这些项目与此前     

外刊文摘

煤层技术的创立[刊,日]/Shimada S//Nippon Eneru-gi Gakkaishi.—1995,74(2).—78～83 煤层技术是一项集成技术,目的在于煤层的开发与利用,其中包括露天和井工开采的煤矿。这些技术包括气体抽放、煤层甲烷、地下煤炭气化和燃烧、地下液化、地下煤炭粉碎、气体储存、洞穴充填和地下多种废物贮存等。若将上述各种技术联合使用则经济效率将得到改善。2图,5参考文献。