无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系，大低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构。随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，说地宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移，同时强度减小两个数数量级。     

氢化非晶碳薄膜的光致发光线型及其激发能量依赖关系

本文报道了氢化非晶碳薄膜在2.9-4.5eV光激发下的发光谱。它的光致发光谱是无结构的不对称宽带,半宽度约为0.8eV。在低于3.56eV的光激发下,谱带的峰值能量随激发能量的降低明显红移。在安德森带结构和指数分布的带尾态密度的基础上,考虑了尾态中粒子的两种跃迁过程,实验的PL谱就可得到解释。并用这个简单模型计算了这种材料的光致发光谱特征。     

纳米硅结构薄膜光致发光的温度依赖特性

综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温度依赖特性等,给出了一个解析表达式来分析具有一定粒径分布的纳米硅结构薄膜的光致发光(PL)强度分布,其中选取了两种纳米硅的粒径分布,即高斯分布和对数正态分布。结果表明,随着平均粒径和粒径分布偏差的减小,纳米硅薄膜的PL谱峰蓝移。随着环境温度的升高,纳米硅结构薄膜的PL谱峰红移且相对发光强度减弱。纳米硅结构薄膜光辐射拟合的结果与实验数据的比较分析表明,该模型能够很好地解释纳米硅结构薄膜在不同温度下的PL特性。     

甲基胺溴化铅晶体粉末的温度依赖光致发光

采用稳态光致发光(PL)光谱技术,结合光谱学分析方法,对CH₃NH₃PbBr₃(MAPbBr₃)晶体粉末的功率密度和温度相关的光物理特性进行了研究。在405 nm连续激光激发下,PL发射峰位在560 nm,半高全宽为123 meV。光谱实验结果表明,通过对功率密度与PL强度进行拟合,其斜率为1.10,这很好地证明了单光子吸收的存在。在80～310 K温度范围内,MAPbBr₃晶体粉末的荧光峰位表现出不同的温度依赖行为。随着温度的升高,激子-声子相互作用的增强,峰宽均匀展宽,积分强度逐渐减小。PL发射峰位在80～145 K出现蓝移。在150 K附近PL发射峰出现跳跃,而当温度超过150 K时,光谱的峰位几乎保持不变。这些温度相关的PL行为主要是由于在150 K左右发生了从正交相到四方相的结构相变。此外,从温度相关的PL实验数据拟合得到激子结合能约为49.8 meV和纵向光学声子能量约为60.4 meV。     

非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展太平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

镶嵌有纳米硅的SiN_x薄膜光致发光的温度依赖特性研究

采用对靶磁控溅射法在单晶硅衬底上沉积镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜,然后在形成气体FG(10%H2,90%N2)气氛中进行450℃常规热退火50min。通过荧光光谱仪测得的稳态/瞬态光致发光(PL)谱研究了镶嵌有纳米硅的氮化硅(SiNx)薄膜样品光致发光特性。结果表明,样品的发光过程可以归因于纳米硅的量子限制效应发光和与缺陷相关的发光。随着激发光能量的增加,PL谱峰位发生蓝移,表明较小粒度的纳米硅发光比例增加;温度的降低会抑制非辐射复合过程,提高辐射复合几率,因此发光寿命延长,发光强度呈指数增加;随着探测波长的减小,样品的发光寿命则明显缩短,表明纳米硅的量子限制效应发光对温度有很强的依赖性。     

非晶半导体的一些新进展

十多年来，非晶态半导体基本概念的更新和技术应用的进展一直处于方兴未艾的状态。本文仅就两个最近极受重视的有关无序材料的结构与缺陷的问题（“中程序”与“浮键”）以及非晶半导体的应用发展动态作一扼要的介绍。     

非晶半导体的体开关

报导了 Si_2 Ge_1 As_(38) Te_(55) 非晶半导体体开关。虽然电极接触相隔1毫米,但观察到的弛予时间只有10微秒。这是由于只有靠近正电极厚为0.1毫米的有效区才起作用。室温下阈电压为250伏。     

非晶碳氧化硅纳米线的合成与光致发光

利用直流电弧放电合成非晶碳氧化硅(SiCO)纳米线,不使用催化剂和模板,独立的SiCO 纳米线沉积在石墨锅的表面．通过XRD、SEM、TEM、XPS、FTIR等对SiCO纳米线进行了表征．结果表明,纳米线长度为20～100 μm,直径为10～100 nm,Si原子同C原子和氧原子分享成键组成SiCO单元．SiCO纳米线的光致发光谱在454和540 nm呈现了强而稳定的白色发光峰． SiCO纳米线的生长机制为等离子辅助气―固生长机制．     

多孔硅光致发光的温度效应研究

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动(即红移)；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动(即蓝移).根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象. 关键词：     

多孔硅发光峰温度行为的研究

实验研究了多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于７４０ｎｍ附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。     

碲化锌的光致发光及其温度效应

研究了未故意掺杂的ZnTe晶体的光致发光光谱及其温度效应.光致发光光谱在室温下仅包含一个谱带,液氮温度下由四个谱带组成.由发光光谱的温度效应实验结果导出了未故意掺杂的ZnTe晶体中的Li受主能级和浅施主能级的激活能分别为65meV和20meV.讨论了液氮温度下光致发光光谱中的19054cm-1带的一个可能起源.     

五磷酸镧钕激光晶体发光的温度效应

研究了低温下Nd0.9 La0.1 P5O14晶体中,Nd3+离子在0.9,1.05,以及1.35μm附近发光光谱的精细结构及相应的跃迁过程,并与Nd:YAG晶体中Nd3+离子发光光谱及相应的跃迁作了比较。在77K-500K的温度变化范围内,研究了Nd3+在两种晶体中最强的发光线的温度依赖关系,发现相反的变化规律,指出这是与两种晶体的结构及跃迁过程有关。     

半导体缺陷能级的应力效应

本文讨论用瞬态方法测量立方半导体缺陷能级应力移动和判别缺陷势对称性的有关问题。对于简并能级E_s引入应力下分裂平均值E_s,它具有原哈密顿群对称操作不变性,因此可以用群论方法得出应力系数间关系并用以判断缺陷势对称性。比如当缺陷势具有T群以上对称时,缺陷能级平均值E_T相对导带底或价带顶单轴应力系数(?(E_c-E_T))/(?F)或(?(E_T-E_v))/(?F)与应力F方向无关且等于流体静压系数的1/3。也讨论了C_3v对称缺陷势的情况。缺陷能级对导带的平均电子发射率e_n和俘获率c_n满足简洁关系 e_n=g_Tg_c^-1c_nN′_ce^{(-(E_c-E_T)/kT)}。指出通过测量e_n的应力关系判断缺陷势对称性的各种方案比较。分析了用瞬态法测量e_n有关问题。当E_T分裂但诸能级间允许跃迁时,瞬态讯号呈单指数衰减,时间常数为e_n^-1。当E_T分裂但诸能级间禁止跃迁时,瞬态讯号呈多指数衰减。用初始斜率可求得e_n。 关键词：     

非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

本文应用统计物理的方法,讨论了非晶半导体的掺杂效应,特别是在低温下的特性。在荷电的悬挂键模型下,计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。 关键词：     

非晶态FeZrB合金的电阻率与温度的关系

本文研究了非晶态(Fe_1-xZr_x)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1,0.15)和Fe_90-xB_xZr₁₀(x=0,4,10,16,20)合金的电阻率ρ与温度T的关系。实验结果表明,当Zr含量在0.02≤x≤0.08时,ρ-T曲线出现两个线性斜率,在略高于居里温度T_c处出现转折,在T关键词：     

THERMOSTIMULATED CONDUCTIVITY IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS WITH NON-EXPONENTIAL DENSITY OF LOCALIZED STATES

We calculate the thermostimulated conductivity(TSC) in amorphous semiconductors with non-exponential density of Iocali:zed states (DOS) that has been obtained from the measurements of the field-effect by Weisfield et al .The calculated results are compared with the case of exponential density of localized states .It turns out that the low-T-peak in the TSC becomes higher than the high-T-peak when the non-exponential DOw is rapidly increased in the high energy region.Except for this point, the profile of TSC in these two cases does not exhibit substantial difference, but the results are quanfitatwely different.     

SIMULATION OF OCCUPATION FUNCTION FOR THERMALLY STIMULATED CONDUCTIVITY IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS

The occupation functions for the general condition f(E,T), for the high field approx-imation (HTSC) f_H(E,T) and for the steady state photoconductivity (SSPC) f_P(E,T) in the thermally stimulated conductivity (TSC) of amorphous semiconductors have been inves-tigated. It was found that the occupation function f(E,T) in TSC is in excellent agreement with the occupation function in SSPC f_P(E,T) under the condition of σ_TSC(T) = σ_P(T).There is a large difference between f_P(E,T) and f_H(E,T), which can be much reduced by introducing an effective attempt to escape frequency ν_eff in the calculation of f_H (E, T). The results show that the mobility-lifetime product (μτ) in TSC obtained from SSPC measure-ments under the above condition is valid. For high field approximation TSC, the simulated ν_eff is found to be temperature dependent.