钛酸锶钡纳米粉体的溶胶-凝胶自蔓延燃烧制备及其介电性能研究

采用溶胶-凝胶和自蔓延燃烧技术,制备了平均晶粒尺寸约20nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)纳米粉体.将纳米粉体压制成形后进行烧结,得到BST陶瓷.采用XRD、SEM、TEM和LCR数字电桥研究了BST的结构、形貌和介电性质.结果表明,干凝胶自蔓延燃烧后,可直接形成分散性好、颗粒尺寸均匀、具有钙钛矿结构的BST纳米粉体.BST陶瓷压片经1250℃烧结2h后获得了致密的结构和相对较大的介电常数.粉体的结晶温度和烧结体的烧结温度均低于传统工艺.很明显,溶胶-凝胶自蔓延燃烧法在纳米材料的制备方面具有明显的技术优势.     

W型钡铁氧体的溶胶-凝胶法制备及吸波性能研究

利用溶胶-凝胶法制备了W型BaZn1.5Co0.5Fe16O27钡铁氧体.在1000℃得到了单一W相纳米晶,晶粒大小为38nm,在1100℃完全形成了大小均匀的平面六角片状结构,其长度为1～3μm,横向尺寸为143～286nm.对其吸波性能进行了测量,发现有2个强吸收峰:0.9GHz和2.4GHz.吸收性能随烧结温度的升高而下降,在0.9GHz的能量吸收率:1000℃为68%,1100℃为48%;在2.4GHz的能量吸收率:1000℃为94%,1100℃为88%.     

溶胶-凝胶法制备BaxSr1-xTiO3热释电陶瓷材料

采用Sol-Gel工艺制备了不同组成BaxSr1-xTiO3(BST)粉体,利用FT-IR、DTA、XRD等技术分析了溶胶-凝胶反应转变机理及凝胶热处理过程中的相结构变化情况,同时对材料的烧结条件及材料的居里温度与其组成关系进行了研究. 结果表明:获得的BST粉体颗粒度较细, 其合成温度及烧结温度分别为930℃及1320℃,均低于传统工艺的相应温度; BST烧结体的晶粒尺寸从10um降低到5um;各组成的介电常数均有较大的提高,平均约提高20%左右;最低损耗值可达0.0025;材料的热释电系数值可达到20～10-8C/cm2.K, 比常用热释电陶瓷材料高出4倍以上.     

溶胶—凝胶法制备纳米钛酸锶

采用溶胶－凝胶方法,从Ｓｒ（ＡＣ）２－Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４－Ｈ２Ｏ－ｉｓｏＣ３Ｈ７ＯＨ体系中合成了钛酸锶粉末。ＤＴＡ和ＸＲＤ的分析结果表明,在５００℃时,开始有立方晶相的ＳｒＴｉＯ３生成;反应在８００℃基本完成,由Ｓｃｈｅｒｒｅｒ公式计算,粒径在４７．１ｎｍ到４９．７ｎｍ之间。ＤＴＡ和ＦＴ－ＩＲ分析结果表明,锶离子和酸根离子均匀地分散于凝胶基体之中,我们还研究了反应物、溶剂等因素对形成钛酸锶凝胶的     

热处理对钛酸锶钡薄膜光学性能的影响

采用无水溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡光学薄膜,系统研究了预处理和退火温度对钛酸锶钡薄膜的相结构、微观形貌和光性能的影响,优化了薄膜的光学性能,结果表明,膜的结构和形貌直接影响其光学性能。通过150℃预处理和850℃退火获得了晶化程度良好、表面形貌平整致密的钛酸锶钡薄膜。该膜在350-1000nm的最大光透过率为80．72％,在600-1000nm的折射率稳定在-1．93左右,消光系数最小,最小值为4x10-5。     

溶胶-凝胶法制备TiO_2薄膜及其光学性能的研究

采用溶胶-凝胶法在K9玻璃上制备了均匀、透明、裂纹较少的纳米TiO2薄膜,以无水乙醇用量、涂层数、煅烧温度为影响因素,设计L9(3)4正交试验,以薄膜的透明度、微观致密程度作为评价标准,讨论了无水乙醇用量、涂层数和煅烧温度对制备TiO2薄膜光学性能的影响。用反射式椭圆偏振光谱仪测试最佳制备工艺下制得的TiO2薄膜的椭偏参数,并用Cauchy模型对椭偏参数进行数据拟合。结果表明,薄膜最优制备工艺参数为无水乙醇用量30 m L、涂层数为2层、煅烧温度为550℃;Cauchy模型能较好的描述溶胶-凝胶薄膜在300~700 nm波段的光学性能;薄膜的折射率和消光系数都有随波长增大而减小的趋势且制备的薄膜具有随着膜层数的增加,折射率增加,而最大峰值透光率、孔隙率减小的规律。     

溶胶凝胶法制备钛酸锶钡(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷及其介电性能的研究

采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯和柠檬酸为原料的配合物溶胶凝胶方法制备了(Ba1-xSrx)TiO3(BST)陶瓷.实验结果表明,BST粉体合成温度及烧结温度分别为700及1250℃,均低于传统工艺的相应温度. Sr含量x≥0.40,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷的相结构为立方钙钛矿相;Sr含量x＜0.40,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷的相结构为四方钙钛矿型. (Ba1-xSrx)TiO3(0.5≤x≤0.70)陶瓷的电容率随温度变化曲线,说明存在由铁电四方相到顺电立方相的相变.且随锶(Sr)的摩尔量x的增加,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷样品的相变温度向低温方向移动,相变温度Tc的移动关系为Tc=394.1-272.6x(K).     

ZAO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究

以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜.用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能的影响.当掺杂浓度为1%(原子分数)、镀膜层数为12层、在氩气气氛下经过600℃退火时,得到电阻率为1.37×10-2Ω·cm、可见光范围内平均透射率超过90%的ZAO薄膜.     

溶胶-凝胶法制备BaxSr1-xTiO3热释电陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了不同组成ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）粉体,复ＦＴ－１Ｒ、ＤＴＡ、ＸＲＤ等技术分析了溶胶－凝胶反应转变机理及凝胶热处理过程中的相结构变化的情况,同时对材料的烧结条件及材料的居里温度与其相成关系进行了研究。结果表明：获得的ＢＳＴ粉体颗粒度较细。     

热处理对钛酸锶钡薄膜光学性能的影响

采用无水溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡光学薄膜,研究了预处理温度对钛酸锶钡薄膜表面形貌的影响,系统分析了退火温度对钛酸锶钡薄膜的相结构、微观形貌和光学性能的影响。结果表明,膜的物相、结构和形貌均对其光学性能起决定作用,制备致密、均匀的晶态薄膜是使钛酸锶钡薄膜具有高的光学透过率、大的折射率和小的消光系数的关键。通过150℃预处理和850℃退火获得了晶化程度良好,表面形貌平整、致密的钛酸锶钡薄膜,该膜在350~1000nm的最大光透过率为80.72%,在600~1000nm的折射率稳定在约1.93,在400~1000nm范围消光系数稳定在约4×10-5。     

钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能机理研究进展

钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用 ,重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素 ,并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展 ,提出了研究中需要解决的一些问题     

火焰原子吸收光谱法测定光学新材料钛酸钡锶中钡和锶

本文介绍了火焰原子吸收光谱法测定光学新材料钛酸钡锶中钡和锶,研究样品制备、测试条件和共存元素干扰消除。本法的准确度和精密度均达到满意的结果。     

BST组分梯度薄膜的性能研究

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了上组分梯度、下组分梯度及单层BST薄膜,对比研究了三种结构BST薄膜的电、热性能.实验表明:下组分梯度BST薄膜的介电性能最优(优值因子为66.2),温度稳定性能最佳(在25～80℃范围内,介温变化率为7.8％).此外,实验还运用X射线衍射仪、场发射电子扫描显微镜和透射电子显微镜对BST薄膜的晶体结构进行了研究,运用EDS能谱仪对BST薄膜的组分梯度进行了验证.     

火焰发射光谱法测定光学材料钛酸钡锶中钡的研究

本文介绍了火焰发射光谱法测定光学材料钛酸钡锶中钡的方法,包括样品制备、测试条件、干扰试验及消除共存元素的干扰等。实验证明本方法准确、可靠。     

新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明:PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

新型的Sol-gel法制备Ba0．6Sr0．4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0．6Sr0．4TiO3（BST）超细粉体，将BST粉体进行压制和烧结，获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体。观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能。在Sol—gel工艺中，加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮（polyvinyl pyrrolidone，PVP）制备BST前驱体。实验结果表明：PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性，降低BST陶瓷的预烧温度约250℃，并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷。BST陶瓷，显示弥散相变特征。     

改进Sol-Gel法制备Y掺杂BST薄膜表面结构及介电性能研究

通过在溶胶前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮和在底电极Pt上形成界面仔晶层,对溶胶凝胶(Sol-Gel)法进行了改进,并以此在Pt/Ti/SiO₂/Si上制备了钇(Y)掺杂和非掺杂的Ba_0.6Sr_0.4TiO₃ (BST)薄膜,研究了薄膜的表面结构和介电调谐性能. X射线光电子能谱表明,BST薄膜表面元素都以两种或三种化学态出现,一种对应钙钛矿结构,其余的对应非钙钛矿结构. 和非掺杂相比,除了Ti2p外,Y掺杂对Ba3d、Sr3d和O1s具有明显的影响,Ba、Sr和O原子在非钙钛矿结构中的含量分别由41%、33%和51%减少到26%、29%和40%. 扫描电镜和原子力显微镜表明,Y掺杂BST薄膜光滑致密、无裂纹和无缩孔. 40V偏压和100kHz频率下的电压－电容曲线表明,Y掺杂提高了薄膜的介电调谐性能,调谐率大于43%、损耗0.0216及优化因子20. 对Y掺杂改性机理也进行了讨论.