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化学法制备的(Sr,Pb)TiO3基PTCR陶瓷 总被引:6,自引:1,他引:5
通过化学工艺制备(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷,首次获得了与BaTiO3陶瓷相类似的典型PTC特性,样品耐压强度大,室温电阻率低于10^2Ω.cm,升阻比高达10^6.33,烧结温度可以降低至1100℃以下。 相似文献
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BaPbO3掺杂对(Sr,Pb)TiO3陶瓷性能的影响 总被引:4,自引:2,他引:2
研究了一系列BaPbO3掺杂的钛酸锶铅基陶瓷的制备过程和电学性能,结果表明:低阻的BaPbO3的添加能显著降低材料的烧结温度,促进晶粒生长,但并不能明显降低材料的室温电阻率,XPS分析证实了BaPbO3加入后在与(Sr,Pb)TiO3固溶时,四价的Pb被还原为二阶,BaPbO3不以低阻相单独存在。 相似文献
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施主掺杂(Sr,Pb)TiO3陶瓷的正电子湮没(PAT)研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用正电子湮没技术(PAT)研究了施主掺杂(Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导化机制,结果表明,在低施主掺杂浓度下,半导化行为与准自由电子浓度有关,主要取决于电子补偿机制,同时晶格失氧对半导化也有贡献。高浓度时,重新绝缘源于缺陷的缔合。 相似文献
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研究了Y半导(Ba,Sr)TiO2)系PTCR陶瓷Nb,Mn二次掺杂的电学性能及显微结构。探讨了施主与受主的掺杂效果。 相似文献
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介绍了SrTiO3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。 相似文献
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研究了用固相法制备的掺(Sr,Pb)TiO3陶瓷的热敏特性。结果表明,掺Nd的(Si,Pb)TiO3陶瓷具有良好的NTC-PTC复合热敏特性,主要参数:Tc=123℃,pRT=150Ωcm,pmin=15.44Ωcm,α(-)50=-3.06%/℃,α(+)50=7.57%/℃,降阻后材料仍为典型的ABO3型钙肽矿结构;Nd^3+一部分以施主形式进入A位,一部分仍以Nd2O3的形式残留在试样中。S 相似文献
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本文建立了PTCR材料的晶界,晶粒微观模型,采用单晶粒的耐压强度表征PTCR材料的耐压性能,并进一步对Yb掺杂的(Ba,Sr)TiO3材料的耐压强度进行了研究,发现Yb二次掺杂降低材料的耐压性能,Mn二次掺杂提高材料的压性能。 相似文献
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SrTiO3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
采用一次烧成法制备出SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,着重研究了SiO2-TiO2-AlO2系统结助剂对SiTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明:组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结,改善微观结构,并相应优化SrTiO3陶瓷的复合功能。研究确定,优化的烧结助剂组成为0.5wt%Si2O-0.2wt%TiO2-0.05wt%Al2O3。 相似文献
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团聚型Al2o3/TiO系列球形复合粉末的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对已研制成功的Al2O3.TiO系列团聚型空心球状复俣粉末进行了全面的分析和探讨。粉末的流动性均在73-120s/50g内,其松装密度在0.80-1.12g/cm^3内,85%以上的粉精神病 为空心球状结构,用该系列粉末制涂层,送粉速率波动小,沉积效率范围为66-86%,可获得致密度高,结合性能好的系列耐磨抗蚀涂层产品。 相似文献
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研究了施主掺杂的(Sr,Pb)SiO3陶瓷,探讨不同的施主Nb掺杂浓度对材料电阻率和显微结构的影响,通过复阻抗解析,分别得到施主浓度的变化对材料晶粒和晶界电阻率的影响规律。结果表明随施主浓度的增加,晶粒和晶界电阻率变化呈现相似的U型曲线,但晶界的电阻率值及变化幅度远大于晶粒,证明了晶界对材料的电阻特性起主导作用。 相似文献
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1引言随着科学技术的发展,许多领域中越来越需要耐高温、耐磨损、耐冲蚀材料。特别是高温磨损,目前,许多合金材料不能同时满足三耐性能,有的材料能满足但成本非常高,难以适应市场经济的要求。自蔓延高温涂层工艺,经过半年研究,至今已能在钢板、铸铁、不锈钢板表面... 相似文献
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采用常规固相法制备(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷.用Nb5 离子取代Ti4 离子,Mn作受主掺杂元素的前提下,系统研究了稀土离子La3 施主掺杂对压敏陶瓷结构和性能的影响.结果表明,当La2O3=0.4%(摩尔分数)时,(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷可获得良好的电性能:其压敏电压V10mA=11.19V,非线性系数α=2.93,电容C=31.16nF,介电损耗tanδ=0.43%,压敏电压温度系数KV10mA=0.1%/℃. 相似文献
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一次烧成SrTiO3复合功能陶瓷中掺杂Ag+离子的行为及其机制 总被引:7,自引:0,他引:7
采用一次烧成工艺制备掺施主杂质Nb2O5和受主杂质Ag2O的SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3陶瓷电学性能的影响,采用XPS和EPMA分析方法确定了Ag的结构状态。研究结果表明,Ag^ 离子存在于烧结助剂形成的晶界非晶相中,对SrTiO3晶粒的半导化状况未产生显著影响,吕Ag^ 离子低价取代晶粒表面的Sr^2 离子而形成晶界受主态,是产生晶界Schottky势垒及复合功能效就原重要原因。 相似文献
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