串联2—2复合材料的介电性和压电性

以ＰＺＴ为陶瓷相，以聚偏二氟乙烯（ＰＶＤＦ）为聚合物相，采用热压法制备了串联２－２型样品。测试了串联２－２型压电复合材料的介电、压电性能。实验结果表明，串联２－２型复合材料的压电应变系数ｄ３３及介电常数ε均较小；在低频，由于界面极化引起的夹层损耗，其介电损耗ｔｇδ则较大。     

铁电聚合物的性能及其应用

聚偏氟乙烯和它的共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）、Ｐ（ＶＤＦ－ＴｅＦＥ）是铁电聚合物，表现出强的压电和热释电性能，由于它们具有良好的柔韧性和容易制成大面积的薄膜，因而在音频和超声传感器、生物医学传感器、机电换能器以及热释电和光学器件中具有重要的应用前景。在水听器，医用超声传感器和机器人探测器等领域已获得实际应用。     

PT／P（VDF—TrFE）复合材料的压电和热释电性能

采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅／偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）０－３型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论，其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化，另一种是让两相均被极化，当陶瓷和聚合物在同一方向极化时，其二相的压电性能部分抵消，而热释电性能增强，因此，在一定的体积比下，陶瓷与聚合物复合材料存在热释电性而无压电性，最后，测量和讨论了样品的压电常数ｄ３３，厚度耦合系数ｋｒ和热释电系     

用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜

用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时,薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明,薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测试表明,薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大。并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系。     

聚偏氟乙烯压电膜在医疗仪器中的应用

聚偏氟乙烯压电材料是近年来应用十分广泛的换能材料，可应用于电声器材，医疗仪器，机器人用传感器，超声波的发生与检测等领域，本文介绍了聚偏氟乙烯压电膜在医疗仪器领域中应用的最新进展，并列举了实例。     

PVDF压电传感器的性能研究

分析了聚偏二氟乙烯（ＰＶＤＦ）制作的具有触觉、滑觉、温觉的仿生皮肤传感器的结构，研究其压电特性，建立仿生皮肤的分析模型。     

大面积水听器用0-3型压电复合材料的制备

以钛酸铝（ＰＴ）和Ｆ２４「Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）」为原材料，利用热轧法和旋转电晕放电极化方法制备出面积达３７５ｃｍ＾２，厚为首领μｍ的大面积０－３型ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料。其压电应变系数为３２ｐＣ／Ｎ，静水压压电系这到７８２．６ｍＶ．ｍ／Ｎ，并对其温度和压力稳定性进行了分析测试。     

P(VDF-TrFE)膜悬空结构集成热释电线列研究

用聚偏氟乙烯－三氟乙烯「Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）」薄膜作１６＊１集成热释电线性阵列的敏感膜,经退火和７５ＫＶ／ｍｍ场强极化后测得其相对介电常数为１２．６,介电损耗约０．０１。为了降低热导和热容,提高探测器的探测灵敏度,用ＫＯＨ作化学腐蚀完全去除了线性阵列下方的硅衬底,形成悬空结构。     

溅射条件对Al2O3薄膜介电强度和沉积速率的影响

用射频溅射方法，在不同工作气体（纯Ａｒ和Ａｒ＋１０％Ｏ＿２）和不同基片偏压（－３０Ｖ到－１８０Ｖ，间隔－３０Ｖ）下，由烧结Ａｌ＿２Ｏ＿３靶材制备Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率，对部分样品的结构和成份分别用ＸＰＳ和Ｘ射线进行了分析。结果表明：薄膜均呈非晶态；在两种工作气体中，随着基片负偏压的升高，沉积速率和介电强度均下降，但在－６０Ｖ偏压时，介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降，但提高了介电强度。在含氧和－６０Ｖ偏压下，Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜的平均介电强度为３．４６ＭＶ／ｃｍ。纯氩气氛中制备的Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜是缺氧的，而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。     

PT／P（VDF—TrFE）中聚合物基体对压电效应的贡献

用压力脉冲法研究了在钙掺杂ＰＴ（钛酸铅）陶瓷粉末与Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）（偏氟－三氟乙烯共聚物）复合材料中ＰＴ粉末与聚合物基体对于总的压电效应的贡献。实验结果表明，在此类复合型压电材料中，聚合物基体对于整体压电性的作用是不可忽视的，而且，陶瓷粉末与聚合物基体对于整体压电性的贡献恰好是相互抵消的。     

PVDF足底压力传感器及其测量系统的设计

研究了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的特性.根据足部特性,设计了一款适合于成鞋压力测量的鞋垫式、多点测量的PVDF压电薄膜传感器.提出了一种便携式的、具有鞋底压力分布测量、ZigBee无线数据通信和测量数据分析管理功能的压力测量系统.该系统性能稳定,使用和安装方便,为成鞋压力测量提供了技术依据.     

2×4阵列PVDF薄膜键盘设计

分析了聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜力传感器的响应特性和工作模式,提出一种基于PVDF压电薄膜的2×4阵列键盘设计方法.键盘由紧密结合的上电极保护层、单层压电薄膜和带有凹槽的一体化下电极基座构成.设计了以比较器为核心的按键检测电路,对相邻按键间及按键区与非按键区之间的干扰进行了测试.实验结果表明,该键盘灵敏度高,响应快,能可靠探测到按键区的压力信号.所设计的阵列PVDF薄膜键盘结构简单、轻薄,具有较好的应用前景.     

PVDF压电薄膜在足底压力测量中的应用

根据测量的需要,该文将聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜应用于足底压力测量。以16点PVDF压电薄膜传感器阵列为例,详细介绍了PVDF压电薄膜的工作原理及其传感器阵列的制作过程,并设计出相应的信号调理电路,给出了实验测试结果。实验表明,PVDF压电薄膜具有较好的灵敏度、稳定性及重复性,能可靠采集到足底压力信号,适合于足底压力测量。     

聚偏氟乙烯有机压电薄膜超声换能器及其应用

本丈描述了聚偏氟乙烯(PVDF)有机压电薄膜超声换能器的结构设计、工艺要点、性能测试和有效的应用。 测试结果指出,PVDF超声换能器具有良好的宽带特性以及在直到10MHz频率范围的平坦的频率响应。 实验证明,利用铜背衬结构可以提高薄膜换能器的发射灵敏度和接收灵敏度。 若干应用预示,PVDF压电薄膜超声换能器在超声无损检测、超声成像和超声诊断等诸多应用领域有着广阔的前景。     

Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究

本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．     

PVDF触滑觉传感器结构及其调理电路设计

应用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜作为敏感材料,通过结构设计增加PVDF薄膜传感器的微振动信号响应,制作了新型触滑觉传感器。采用CA3140作为电荷放大器对PVDF压电薄膜传感器的电荷变化进行放大,再通过电压放大、工频陷波及低通滤波处理,调理分辨出直观的触觉信号和滑觉信号。测试结果通过示波器观察可明显分辨出触觉信号和滑觉信号。     

PT／P（VDF—TrFE）复合膜及悬空结构热释电传感器研究

将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明，掺入体积比为０．１２ＰＴ粉粒的ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜，比同样成膜条件的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜的热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％；悬空结构大大降低了热导，使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了１０倍以上。根据实验结果，提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后，计算复合膜介电系数和热电系数的方法。     

有机铁电共聚物P(VDF-TrFE)铁电极化反转机理的STM研究

本文用一种改装了的ＳＴＭ技术,可以直接观察到聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）的共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）的铁电畴这一技术我们称之为“局域压电性”探测技术。通过测量有机铁电共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）样品的表面振动,我们可以村分辨出正、负和非振动畴,并记录了极化反转过程中畴结构的变化。实验结果可以用一个“非平衡的四阱势”模型来解释。     

多晶薄膜CdS／CdTe太阳电池

报道了转换效率为１４．６％～１５．８％的多晶薄膜ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的研制。用ＭＯＣＶＤ法，在玻璃衬底上制备ＳｎＯ＿２和ＳｎＯ＿２：Ｆ薄膜，水溶液化学淀积法获得８０～１００ｎｍ厚的ＣｄＳ薄膜和密堆积升华法制备５μｍ厚ＣｄＴｅ薄膜，ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的短路电流密度高达２４～２５ｍＡ／ｃｍ￣２。同时，对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。     

基于PVDF的呼吸信号检测腰带研究

针对人体睡眠状态呼吸信号检测的重要性,基于聚偏氟乙烯(PVDF)的正压电效应,研制了一种呼吸信号检测装置。装置前端由PVDF压电薄膜和可伸缩腰带组成,为获得稳定的呼吸信号,在压电薄膜和腰带间引入弹性结构。针对传感器输出端呼吸信号提取,设计了高品质、灵活的信号处理电路。测试结果表明,该装置检测的呼吸信号波形以周期性形态呈现,稳定性好,满足实际检测需要。