等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡｌＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０Ｖ,基靶距离ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡｌＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡｌＮ（１１０）∥Ｓｉ（１１１）和ＡｌＮ（１００）∥Ｓｉ（１００）。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

论不锈钢容器中烘烤对出气率与抽速关系的影响

为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响，在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为１００℃和２５０℃烘烤的情况下，对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率ｑ（Ｔｏｒｒ，ｌ／ｓ，ｃｍ＾２）遵循指数规律：ｑ＝（Ｃｓ／Ａ）＾ｍ，其中，ｃ和ｍ（０〈ｍ〈１）为常数：Ｓ／Ａ为抽气参数，其定义为抽速Ｓ（ｌ／ｓ）与真空容器表面积Ａ（ｃｍ＾２）之比，Ｓ／Ａ的变化范围从２．４６×１０＾－５到１．２６     

二价离子替代的Nasicon及其应用研究

含二价阳离子的Ｎａｓｉｃｏｎ，Ｍ￣（２＋）Ｎａｓｉｃｏｎ（Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ）可由母体Ｎａ＿３Ｚｒ＿２Ｓｉ＿２ＰＯ＿（１２）（Ｎａｓｉｃｏｎ）为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。Ｘ射线衍射分析结果表明离子交换后的产物Ｍ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ大多保持原母体的Ｃ＿（２／ｃ）结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Ｎａｓｉｃｏｎ的电导率相差甚大。其中最好的是Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ，其电导率在４００℃时可达到１．４８×１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ。Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ用作微功率固态电池Ｍｇ／ＣｕＣｌ的电解质，该电池的开路电压为２．０７Ｖ，短路电流为１ｍＡ。平均放电电压为１．６Ｖ，电池的放电容量是３．４ｍＡＨ。     

冷轧态SiCp/LY12复合材料超塑性及变形机制

研究了冷轧态ＳｉＣ颗粒（ｄｐ＝１０μｍ）增强ＬＹ１２复合材料（ＳｉＣｐ／ＬＹ１２）的超塑性,着重探讨了变形机制。研究表明：（１）在温度Ｔ＝８０３Ｋ（比熔点高２６Ｋ）,初始应变速度ε０＝４．８×１０＾－４ｓ＾－１时,应变速度敏感系数ｍ值为０．４９,延伸率达２４０％;（２）超塑性变形后的晶粒尺寸约为１０μｍ;（３）该事材料超塑性变形的主要机制是晶界液相和基体中动态回复调节的但却受界面液相和界面扩散流释     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

Ag—BaO纳米复合薄膜在红外超短激光脉冲作用下的内场助…

Ａｇ－ＢａＯ薄膜是一种新型光电发射薄膜材料。制备出ＩＴＯ／Ａｇ－ＢａＯ／ＡＵ三明治电极结构,在红外超短激光脉冲（ｈｖ＝１．１７ｅＶ）作用下,借助内场辅助方法,使得Ａｇ－ＢａＯ薄膜的光电发射量子效率提高了一个数量级,由钠场时的１０＾－７量级提高到内场偏压为１０Ｖ时遥２．２×１０＾－６量级;样品的阈值光强由６０ＫＷ／ｃｍ＾２降为４０ＫＷ／ｃｍ＾２,约降低了３０％。这些结果表明：内场辅助方法确实是降低Ａ     

氮对纳米硅氮薄膜晶化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ２Ｈ）薄膜，结果表明，当Ｎ２／ＳｉＨ４气体流量比（Ｘｎ）从Ｉ增加为４时，薄膜的晶态率从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｎｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２，当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉｕＮｘ２Ｈ）薄膜，当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０＾－５（Ωｃｍ）＾－１降至１０＾－     

SiCp／202Al复合材料的超塑性能及断口形貌

熔铸法（ＩＭ）制备的ＳｉＣ颗粒（１４μｍ）增强２０２４Ａｌ复合材料经轧制成材后，在４９０、５１０、５２０和５３０℃，初始应变速率在１．６７￣１０＾－４￣１．６７×１０＾－３ｓ＾－１的范围内进行了超塑拉伸试验。结果表明，在５２０℃、初始变速速率为８．３３×１０＾－４ｓ＾－１，超塑延伸率最大，为２９０％，ｍ值约为０．４９。同时，利用扫描电镜观察断口形貌，分析了变形机理。     

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响．加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的．当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ~（－１）时,矫顽力 Ｈ_ｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ．当氮流量为０．８ｍＬ·ｍｉｎ_（－１）时,饱和磁化强度达到Ｍ_ｓ＝２．３６Ｔ．在 Ｆｅ－Ｎ薄膜中未发现γ’－Ｆｅ４Ｎ和 α”－Ｆｅ１６Ｎ２．     

一种用于宽带温度稳定光隔离器的新型磁光材料

以Ｂｉ２Ｏ３／Ｂ２Ｏ３为主要助熔剂,用改进的高温助熔剂法生长出一种新型掺铋 事稀土铁石榴石（ＨｏＹｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶,研究了磁光性能,法拉第旋转温度和波长特性在１０－１１０℃,单昌的法拉第旋转温度系数Ｓ＝θＦ＾－１（ｄθＦ／ｄＴ）在λ＝１．５５μｍ时为４．６×１０＾－４Ｋ＾－１,比ＹＩＧ单晶的法拉第旋转温度系数小,在λ＝１．５５μｍ时,（ＨｏＹｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶的法拉第旋转波长系数     

快离子导体Na1＋xZr2—yV0.8ySixP3—xO12系统的制备与电性能研究

Ｎａｓｉｃｏｎ型快离子导体Ｎａ１＋ｘＺｒ２－ｙＭ０．８ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统采用高温固相合成，春合成温度在１３７３Ｋ左右完成，该的合成温度在ｘ不变的情况下，随着ｙ的增大而降低，大多烽合成物为单斜晶系；空间群为Ｃ３／ｃ。当ｙ不变，ｘ增大地基地率的变化是先增大，后减小。最佳导一的起始组成为ｘ＝１．５、ｙ＝０．１，其电导率在室温时为３．２０×１０＾－４Ｓ／ｃｍ，在６７３Ｋ时为６．８８×１０＾－２Ｓ／     

SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

锂快离子导体Li_(1 2x y)Al_xYb_yTi_(2-x-y)Si_xP_(3-x)O_(12)系统的研究

以ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）３为基以天然高岭石为起始原料,经高温固相反应（９５０～１１５０℃）制得了 一系列锂快离子导体材料Ｌｉ１＋２ｘ＋ｙＡｌｘＹｂｙＴｉ２－ｘ－ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２（以下简称Ａｌ－Ｙｂ－Ｌｉｓｉｃｏｎ）．系统 的合成温度随ｘ和ｙ值的增大而降低．应用交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明ｙ＝０．３, ｘ＝０．１的合成物的电导率最好,４００℃时电导率达２．４５×１０－２Ｓ／ｃｍ, ２００～４００℃内的电导激 活能为３８．３ｋＪ／ｍｏｌ．ＸＲＤ分析结果表明在ｙ＝０．３,ｘ≤０４及ｙ＝０．５,ｘ≤０．３的组成范围内 均能得到空间群为Ｒ３ｃ的合成物．     

O＋HO2反应碰撞的理论研究

使用多体项展式分析势能函数，研究了Ｏ＋ＨＯ２反应碰撞的经典轨迹，指出存在二个反应通道，即（１）Ｏ＋ＨＯ２→ＯＨ＋Ｏ２和（２）Ｏ＋ＨＯ２→ＨＯ２＋Ｏ。在室温下，求得反应（１）的近似速度常数为（４．１±０．０６）×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｃｃｕｌｅ＾－１·Ｓ＾－１，与实验值（５．４±０．９）×１０＾１１符合甚好；反应（２）的速度常数为５．４×１０＾－１３。对反应（１），总能量的７２．５％分配于产物     

等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究

用傅立叶红外吸收光谱，电子自旋共振，表面台阶仪等研究了等离子体增强气相沉积法制备的非晶ＳｉＯ２薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从０．１μｍ递增到１．１μｍ时，１０６０ｃｍ＾－１附近的Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩振协吸峰从１０５０ｃｍ＾－１漂移到１０７５ｃｍ＾－１，但是８００display status     

Al—5Fe—2Ni合金析出相的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学和ＸＲＤ方法研究了快速凝固Ａｌ－５Ｆｅ－２Ｎｉ（原子百分数）合金的析出相，结果表明，析出相为三元化合物Ａｌ９ＦｅｘＮｉ２－ｘ（０〈ｘ〈２）属于单斜晶系，晶格参数ａ＝０．８５８ｎｍ，ｂ＝０．６３１ｎｍ，ｃ＝０．６２１ｎｍ，β＝９４．８，它的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱为一套双线，同质异能移位ＩＳ＝０．１２ｍｍ．ｓ＾－１，四极分别ＱＳ＝０．３２ｍｍ．ｓ＾－１，线宽Г＝０．２６ｍｍ．ｓ＾     

PAA-PSF交联复合膜的制备及对低浓度有机醇水溶液反渗透分离性能研究

进行了ＰＡＡ（ＰｏｌｙａｃｒｙｌｉｃＡｃｉｄ）－ＰＳＦ（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）交联复合膜的制备，研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响，并通过扫描电镜观察了膜的断面结构．研究了ＰＡＡ－ＰＳＦ交联复合膜对低浓度有机醇类水溶液反渗透分离性能．发现对于１０００×１０－６乙醇水溶液截留率达到６６．２％，透过流束可达０．９×１０－６（ｍ３·ｍ－２·ｓ－１）．随醇的分子量的增加，截留率不断上升，对戊醇的截留率达９４．３％，而透过流束则保持相对稳定．对不同结构醇类的分离性能研究表明，截留率存在有：ｔｅｒｔ－＞ｓｅｃ－＞ｉｓｏ－＞ｎ－的规律．     

Na2Mo0.1S0.9O4（α）—Pr2（SO4）3二元系的相关系与导电性

应用差热分析、Ｘ射线粉末衍射及电测量技术对Ｎａ２Ｍｏ０．１Ｓ０．９Ｏ４（α）－Ｐｒ２（ＳＯ４）３体系进行了研究，结果表明，在Ｎａ２Ｍｏ０．１Ｓ０．９Ｏ４相中加入少量的Ｐｒ２（ＳＯ４）３就可以形成完全固熔体，且无任何相变存在，当Ｐｒ２（ＳＯ４）３含量达到４ｍｏｌ％时，电导率较纯Ｎａ２Ｍｏ０．１Ｓ０．９Ｏ４提高两个数量级（５５３Ｋ时，σ＝１．０９×１０＾－３Ｓｃｍ＾－１），同时还证明了该类导体的导电机     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。