静电感应晶闸管（SITH）的理论分析

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。     

图像信号编码技术（二）

图像信号编码技术（二）村上仁已３电视信号编码与冗余度削减方法（续）３．４自适应编码方式目前，从ＨＤＴＶ信号到ＴＶ会议、在进行数字传输时，其目标传输速率是原ＣＣＩＴＴ建议数字复用等级（包括ＳＤＨ）中的３２Ｍｂ／ｓ、４５Ｍｂ／ｓ或５１．８４Ｍｂ／ｓ例如，...     

SDH网技术概述（二）

ＳＤＨ网技术概述（二）西南通信研究所吕涛七、ＳＤＨ传送网分层模型为了强调ＳＤＨ网在不同位置的两点间转移信息（用户信息以及信令、操作维护管理等信息）的功能，而不仅仅是通过媒介传递信息信号的物理过程，ＩＴＵ—Ｔ使用了传送网（ｔｒａｎｓｐｏｒｔｎｅｔｗｏｒ...     

掺Y~（3＋）、La~（3＋）的（Sr，Ca）TiO_3系多功能陶瓷

用稀土离子Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）对（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３掺杂，以Ｂａ－Ｓｉ－Ａｌ玻璃为助熔剂，在１３５０～１４５０℃还原性气氛中烧成，获得工艺性能良好、烧结温度较低、晶粒电阻率低（１０（－２）Ω·ｃｍ）、非线性高（α达１０以上）的陶瓷材料。在制备过程中省略了以往用碱金属离子涂覆并进行热扩散的工序。用缺陷化学理论，根据测量的ＩＣＴＳ谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｃ－Ｖ特性系统研究了Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）掺杂对晶粒半导化、压敏特性和介电特性的影响。热处理过程中，Ｏ－的化学吸附是这类陶瓷产生晶界势垒的主要原因。     

SDH综述（上）

介绍了ＳＤＨ的基本概念，特点及其结构，对ＳＤＨ组网技术涉及的１０个基本问题作了描述，还给出了ＩＴＵ－Ｔ制定的ＳＤＨ标准情况。     

SDH技术的现状和发展（中）

ＳＤＨ技术的现状和发展（中）邮电部电信科学技术研究院总工程师邬贺铨３逐步完善网管能力３．１网管消息通道在ＳＤＨ系统内传送网管消息的逻辑通道为ＥＣＣ，其物理通道应是ＤＣＣ，它是利用ＳＤＨ再生段开销ＲＳＯＨ中Ｄ１～Ｄ３字节和复用段开销ＭＳＯＨ中Ｄ４～Ｄ１...     

用户环路和接入网中的SDH（下）

用户环路和接入网中的ＳＤＨ（下）王钧钧（武汉邮电科学研究院４３００７４）３接入网和用户环路向ＳＤＨ的过渡与网络的其它层次一样，接入网和用户环路向ＳＤＨ的发展是一个逐步的演进过程，ＳＤＨ设备的安装使用将基于网络的生长与现有设备的老化退役，以及网络的现代...     

双极型静电感应晶体管的温度特性

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流了迁移率μ和邮源极越过势垒的电子数目ｎ。以盯可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。     

H原子吸附对Si（113）表面的影响

本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变．     

静电感应晶体管I—V特性的控制

静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管，类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ，沟道厚度ｄｃ，比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则，方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。     

（3＋1）×64kb／s按字节同步复接和分接电路

按字节复接是ＣＣＩＴＴＧ７０７．Ｇ７０８．Ｇ７０９建议中提出的按字节为单位的交插，字节是ＨＤＳ中的最小单元。本文介绍一种用一般元器件来实现的（３＋１）×６４ｋｂ／ｓ按字节同步复接和分接电路。     

广东省SDH传输网组网技术的探索（2）

广东省ＳＤＨ传输网组网技术的探索（２）马永源（广东省邮电科学研究所）２ＳＤＨ传输网组网技术的探索２．４关于环形网尽管我们综合各种因素考虑选择全网孔网方案作为广东省ＳＤＨ长途Ｃ３局间网的优选方案，但环形同某些方面的优势仍应高度重视，特别是用于本地长途网...     

亚稳态He（2^3S）原子与C3H3CN分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上，研究了亚稳态Ｈｅ（２＾３Ｓ）原子与Ｃ２Ｈ３ＣＮ分子碰撞传能，观察到了激发态产物ＣＮ（Ａ，Ｂ）、ＣＨ（Ａ）Ｈ的发射光谱。     

SDH传输网工程设计的有关问题（续）

ＳＤＨ传输网工程设计的有关问题（续）张凌云（广东省邮电设计院）３．３ＳＤＨ的环路设计随着光纤传输容量的不断增加、网路的可靠性越来越重要，特别由于光缆切断而导致所有缆芯内的光纤系统中断，用Ｎ＋１的常规的系统备用方式已不能满足网络可靠要求。这就要求有自愈...     

无线接入网（上）

众所周知,本地交换机（端局机）至用户之间的线路叫本地环路（用户环路或用户线）。１９９５年７月ＩＴＵ－Ｔ的Ｇ．９０２建议,提出接入网概念。接入网可以部分（主分线器或分线器至用户）或全部（端局机至用户）替代本地环路。所以,有人把接入网称为本地环路。接人网按传输媒质分为有线接入网和无线接入网,有线接入网包括铜双绞线、电缆、光纤、光纤与电缆混合接入（ＨＦＣ）和ｘＤＳＬ（ＨＤＳＬ,ＡＤＳＬ等）。本文粗浅介绍一下无线接入网的情况。 一、定义与组成 无线接入网是由业务节点（为交换机）接口和相关用户网络接口之间的…     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

静压下（CdSe）_m／（ZnSe）_n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究

在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１，反映了（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中ＬＯ声子的限制效应     

用Ti（OC3H7）4制备Ti（CN）涂层研究

文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛（Ｔｉ［ＯＣ３Ｈ７］４］为钛温，在外加热ＰＣＶＤ设备上沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量，扫描电镜（ＳＥＭ）观察和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析。结果表明，此法制备的Ｔｉ（ＣＮ）涂层其显微硬度可达标１５６００Ｎ／ｍｍ２，膜层结构仍为在状晶，Ｔｉ（ＣＮ）晶体的ｄ（２００）随着炉温的升高和Ｈ２．Ｎ２比的增大在逐渐变化。     

GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究

应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这说明ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液处理的ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，发现ＡＳ的硫化物不稳定，分解或反应生成Ｇａ－Ｓ成分和元素态Ａｓ；室温下，Ｍｇ淀积硫钝化的ＧａＡｓ表面的实验结果表明，Ｍｇ置换ＧａＳ的Ｇａ成为金属Ｇａ偏析到表面，而硫以ＭｇＳ     

同步数字体系（SDH）与异步转移模式（ATM）的结合应用

同步数字体系（ＳＤＨ）与异步转移模式（ＡＴＭ）的结合应用北京市电信规划设计院宋鑫一、ＳＤＨ与ＡＴＭ的结合应用传统的时分复用，是基于拥有固定带宽时隙的时分复用。虽然同步数字体系（ＳＤＨ）比准同步数字体系（ＰＤＨ）具有无可比拟的优越性，但二者在信道带宽运...