掺持TGS系列晶体的生长形态与表征的研究

采用水溶液缓慢降温法生长了８种掺质ＴＧＳ系列晶体，即ＬＶＡＴＧＳ，ＬＨＩＴＧＳ，ＬＡＳＴＧＳ，ＣＲＴＧＳ，ＤＬＳＥＴＧＳ，ＬＣＹＴＧＳ，ＬＭＥＴＧＳ和ＬＴＹＴＧＳ晶体。系统地研究了这８种掺质ＴＧＳ系列晶体的生长形态，并分别与纯ＴＧＳ进行了对比。利用Ｘ射线粉末衍射 外光谱分析确定掺质均已进入晶体。当掺质进入ＴＧＳ晶体后，虽然只引起民结构的微小变化，但显著地改变了晶体的生长形态，证明ＴＧＳ晶体结构在质     

Nd：DL—ALa：L—GLu：TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ－谷氨酸ＤＬ－丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料。     

TGS：Cr^6＋晶体的热释电性质及光折变效应

采用降温法生长出了ＴＧＳ：Ｃｒ＾６＋单晶。测定了晶体结构、光谱特性和热释电性质。研究表明，该晶体存在高的内偏压场和光折变效应。     

Cr：KTP晶体生长机制的研究

本文采用激光Ｒａｍａｎ光谱与ＩＲ光谱对Ｃｒ：ＫＴＰ－Ｋ６（Ｋ６Ｐ４Ｏ１３），ＫＴＰ－Ｋ６高温溶液淬冷后的玻璃体进行了研究，指出由于掺质Ｃｒ２Ｏ３引入ＫＴＰ－Ｋ６溶液，使溶液中的焦磷酸根向正磷酸根转化，从而提高了溶液的溶解度，利用高温溶液缓慢降温法生长了光学质量的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，研究了晶体生长形态。讨论了晶体的生长机制。     

采用丙二酸改性TGS热释电单晶体

本文报道了用结构相似的丙二酸取代ＴＧＳ晶体中的部分甘氨酸的单晶体的生长特性与组成分析,同时测定了这些新晶体的热释电系数,介电常数,居里温度。实验表明,用丙二酸部分取代甘氨酸生成的ＭＴＧＳ晶体的优值比ＴＧＳ提高近二倍。     

引上法晶体生长的温度时间特性

采用同－装置生长钇铝石榴石和不同掺质的钇铝石榴石晶体：ＹＡＧ、Ｔｍ：ＹＡＧ、ＮＤ：ＹＡＧ、（Ｃｅ，Ｎｄ）：ＹＡＧ、（Ｃｒ，Ｔｍ）ＹＡＧ：和（Ｃｒ、Ｔｍ、Ｈｏ）：ＹＡＧ，，晶体生长的温度时间特性曲线不同。特性曲线先是温度随时间上升，然后下降。以上棕顺序特性曲线上升的时间逐渐变短。生长晶体表面热辐射和与对流气体的热交换增加了热损失，是造成升温生长的因素；生长晶体盖在熔体表面减少了熔体的热损失，是造成降     

热液条件下BGO微晶粒结晶习性形成机理

本文研究了热液条件下ＢＧＯ（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０．Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２）微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型，设计了生长ＢＧＯ晶粒时Ｂｉ－Ｏ６八面体和Ｇｅ－Ｏ４四面体的比例和生长工艺，制备出结晶完好的晶粒，提出Ｇｅ－Ｏ４四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Ｂｉ１２ＧｅＯ２０晶体中（１１１）面族顽强显露，晶粒呈三次对称，表现出极性晶体的生长特征。Ｂｉ４Ｇｇ     

掺质TGS系列晶体生长与性能研究

采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.     

不同Yb掺质浓度的Yb:Y3Al5O12晶体激光性能的比较

采用提拉法生长了Yb3+掺质浓度为5;原子分数、 50;原子分数和100;原子分数的Yb:Y3Al5O12(Yb: YAG)晶体,系统地分析了不同Yb3+掺质浓度晶体的吸收光谱和荧光光谱.从吸收峰和吸收系数可以看出采用940nm LD泵浦三种不同浓度的Yb:YAG晶体都比较合适.随着Yb3+离子掺质浓度的增高,晶体中出现的自吸收现象越为明显.通过对三种不同Yb掺质浓度晶体激光性能参数的计算,得出高掺质浓度Yb:YAG和YbAG晶体是有前景的激光增益介质.     

高掺镁铌酸锂晶体的生长及其激光器件性能的研究

本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长，测试了晶体的光学性能－双折射梯度和消光比，晶体的光折变阈值，红外透射光谱和光电导，用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Ｑ开关。研究了它们的性能和应用。     

单掺Rb+和Cs+的KTP晶体生长及其电导率

采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol;的KTP-K4溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为O.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长.通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响.     

离心倾液法与初晶Si的生长

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法－离心倾液法。用该方法获得了过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶的Ｓｉ的生长形貌，发现了初晶Ｓｉ存在错台阶生长机制，并且，借助该生长机制成功地解释了初晶Ｓｉ的分枝和初晶Ｓｉ包裹共晶组织的形成机理。此外，观察到了共晶体包裹初晶Ｓｉ生长的过程。     

新型有机热释电晶体——酒石酸铵系列晶体研究

本文从晶体结构对称性的观点出发,寻找新型有机热释电晶体材料,选取了具有P21空间群结构的酒石酸铵系列晶体作为研究对象,用水溶液缓慢降温法生长了酒石酸铵及其掺质酒石酸铵晶体,掺质分别为尿素、溴化铵和甘氨酸,研究了晶体生长形态并作了比较.测定了酒石酸铵系列晶体的红外光谱、晶胞参数和主要热释电性能.发现酒石酸铵系列晶体的热释电性能,其品质因子具有与TGS晶体相同的数量级.     

掺质KTP型晶体生长与性能研究

采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难.用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga在晶体中的含量都十分稳定.测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-红外吸收光谱,测定的结果发现,晶胞参数均变化不大,在吸收光谱中Ga:KTP在可见光谱区有少量的光吸收,而Zr:KTP晶体是无色透明的.通过粉末倍频实验发现,Zr的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高.通过晶体c轴向离子电导率的测试发现,Ga的掺入使c轴向电导率降低了大约3个数量级.双掺Zr和Ga的晶体是性能更为优良的掺质KTP型晶体.     

掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究

本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备，并在无氢气的气氛下生长了掺碲ＩｎＳｂ体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲ＩｎＳｂ晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布进行分析。研究结果表明，在宏观尺度上碲杂质沿生长方向的分布与准静态生长的溶质分布接近，在微尺度上分布均匀，无观察到生长条纹。     

Nd^3^＋：La2Be2O5激光晶体的研究

掺钕铍酸镧－Ｎｄ＾３＾＋：Ｌａ２Ｂｅ２Ｏ５（Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ）激光晶体为单斜晶系，其荧光谱具有线性偏振特性。本文用提拉法生长了Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ单晶，并对晶体结构进行了分析，对其光谱特性（吸收，偏振荧光谱，低温谱及荧光寿命等）和激光二极管（ＬＤ）泵浦的激光特性进行了研究，并和Ｎｄ：ＹＡＧ晶体进行了比较。     

Al^3＋：KTP晶体生长及其相关性质研究

采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3 :KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3 的含量,并计算出Al3 在相应生长体系中的分配系数.采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺质浓度的增加,晶胞参数逐渐减小,而倍频效应呈现略微增强的趋势.     

双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究

本文采用高温溶液法生长了不同掺质浓度的较大尺寸掺Nd3+和Nb5+KTP(KTNNP)晶体,以X射线单晶衍射仪测定了所生长晶体的晶胞参数,以等离子发射光谱(ICP-AES)法系统测定了晶体中的掺质浓度。实验结果显示,掺Nd3+和Nb5+后,KTP晶体生长习性和形态发生了很大的变化,而且体系中Nd3+的分配系数明显增大,并随Nb5+浓度的增大而增大,从而体现了Nb5+对Nd3+的协同效应。另外,掺质后,晶体的单胞体积一般略有增大,但未呈现出规律性。     

POM：TNP的混合晶体与二次谐波效应

从有机溶液中生长得到３－甲基－４－硝基吡啶－１－氧与２，４，６－三硝基苯酚的混合晶体，对该晶体进行元素分析和热谱分析；测定了晶体的红外光谱和晶体结构，并测试了该混合晶体的二次谐波效应；讨论了二次谐波效应与晶体结构的关系。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。