一种新型高发射效率的阳极短路IGBT

提出了一种新型的双发射短接的阳极短路IGBT结构,该结构有两个空穴放射区和二氧化硅阻挡层。首先,第二发射区可以增加空穴的发射效率同时阻止电子直接流向金属,增加了阳极上的电阻和电压,有效的抑制了负阻效应;另一方面,二氧化硅阻挡层使得大量电子聚集在阳极区附近,进一步降低了导通压降。结果表明：相对于传统NPT IGBT, NPN-IGBT和阳极短路IGBT,导通压降分别降低了10%, 17%, 30%。另外,这种阳极短路结构由于有一个电子通道,在关断过程中可以像阳极短路结构一样抽取过剩载流子,使得其关断时间很短,在同样的导通压降下关断,相对于传统NPT IGBT,NPN-IGBT和阳极短路IGBT,关断损耗分别降低了43.7%, 32%, 28%。这种新结构最终实现了导通压降和关断损耗之间很好的折中。     

STM icro开发出IGBT系列

STMicro(意法半导体 )公司开发出一套 IGBT系列 ,可对马达控制设备和高频反相器等必备的短路保护机制进行优化。其中 K系列采用该公司专利的条式布线 (striplayout)设计 ,以高电压 Power Mesh技术为基础。它提供 10 ms短路耐压性能 ,其抵换速率 (tradeoff speed)和压降 (voltage drop)可满足工业及家用电器领域更高的工作频率和标准规范要求。STM icro开发出IGBT系列     

飞兆半导体推出全新1000V NPT-Trench IGBT为电磁感应加热应用提供极佳耐雪崩性能

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全 新1000V/60A IGBT器件,具有出色的开关和传导及耐雪崩性能,适用于电磁感应加热(IH)应用如IH电饭煲、电磁炉和微波炉等。     

1200VNPT沟道IGBT

飞兆半导体公司推出1200V NPT沟道IGBT FGA25N120ANTD,结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形…     

飞兆半导体的1200V NPT沟道IGBT抗雪崩能力佳

针对电磁加热应用提供抗雪崩能力FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT,结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。在电磁加热设备中,…     

IGBT短路保护的驱动电路的设计

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在现代电力电子技术中得到越来越广泛的应用。文中主要对绝缘栅双极型晶体管的驱动和短路保护电路进行了研究。首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和短路保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成的IGBT具有短路保护功能的驱动电路。理论分析和实验结果证明了所设计驱动电路的可行性,而且该电路简单实用,可靠性高。     

基本电子电路

TN710 2003010906IGBT驱动及短路保护电路研究/李振民,刘事明,张锐(中国科学院电子学研究所)11电测与仪表.一2002,39(6).一48一50首先讨论了对IGBT的保护以及对其驱动电路的基本要求,然后基于IGBT集电极退饱和原理,作者提供了一个具有完善短路保护功能的1 GBT驱动电路.分析及试验结果表明:该电路简单、实用、可靠性高.图2参4(午)TN86 2003010910小型化稳压电源的设计/张芸(船舶总公司7 23所)11舰船电子对抗.一2002,25(3)一32一34介绍了利用VICOR电源模块设计多输出小型化稳压电源的方法,并提出了改善开关电源电磁兼容性能差及输出…     

飞兆半导体推出1200V/15A NPT-trench IGBT

飞兆半导体公司宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热(IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量。这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健”的故障完全操作,而非正常的雪崩情况通常会影响IH电器如微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具等。FGA15N1     

进入新阶段的IGBT

作为双极型功率MOSFET的IGBT(绝缘栅双极晶体管)即将进入正式实用期,其研究开发也已到了追求极限性能的阶段。在形成沟道的阴极侧使用自对准技术来实现微细化、并使导通电压下降。在阳极-发射极采用短路结构,缩短了关断时间。另外,即使不进行缩短寿命的控制,也能做出40kHz高速工作的功率IC用的横向型IGBT。     

二代大功率IGBT短路保护和有源钳位电路设计

通过分析IGBT的器件特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模块2SC0435T作为核心部件,设计了大功率IGBT的短路保护和有源钳位电路。     

漏电低短路能力强的3300 V IGBT模块

为实现满足电网应用要求的短路能力强、反向偏置安全工作区大、工作结温高的3 300 V高压绝缘栅场效应晶体管模块,提出了一种具有N型增强层的IGBT元胞结构,采用P型隔离区的元胞布局结构和台阶形场板的保护环结构的IGBT设计。基于203.2 mm（8英寸）平面栅IGBT加工工艺,制作出的芯片封装成3 300 V/1 500 A的IGBT模块。模块常温下的饱和压降(V₍C_Esat)为2.55 V,动态总损耗(E_tot)为5 236 mJ;高温150℃下的V_CEsat为3.3 V,集电极和发射极间的漏电流(I_CES)只有38 mA,Etot为7 157 mJ。在常温时,当栅极和发射极电压(V_GE)为18.5 V的条件下,模块通过了一类短路测试。在150℃下,模块通过了2.5倍额定电流的反向偏置关断测试。     

具有动态控制阳极短路结构的高速IGBT

利用动态控制阳极短路的基本原理，提出了一种实现高速IGBT 的新思路．该结构的关键是引入了一个常开型p MOSFET，在IGBT导通时关断，不增加导通 损耗，而在器件关断过程中能阻止阳极继续向漂移区注入少数载流子，同时为载流子流入阳 极提供一条通道，使其快速关断．理论分析和模拟结果证明，该结构在击穿电压、导通损耗 不变的情况下，能将关断时间减少75%以上．应用这样的结构只需增加两个分压比一定的分 压电阻．新结构对驱动电路的要求与普通IGBT完全一致，是一种实用的高速IGBT结构．     

具有动态控制阳极短路结构的高速IGBT

利用动态控制阳极短路的基本原理，提出了一种实现高速IGBT 的新思路．该结构的关键是引入了一个常开型p MOSFET，在IGBT导通时关断，不增加导通 损耗，而在器件关断过程中能阻止阳极继续向漂移区注入少数载流子，同时为载流子流入阳 极提供一条通道，使其快速关断．理论分析和模拟结果证明，该结构在击穿电压、导通损耗 不变的情况下，能将关断时间减少75%以上．应用这样的结构只需增加两个分压比一定的分 压电阻．新结构对驱动电路的要求与普通IGBT完全一致，是一种实用的高速IGBT结构．     

瑞萨第七代650V和1250V IGBT建立新技术标准

正瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650 V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250 V电压的RJP1CS系列。新的IGBT作为功率半导体器件,用于将DC转换成AC电源的系统中,设计用于对应高电压和大电流的应用,如太阳能发电机和工业电机用功率调节器(功率转换器)。第七代技术,采用增强型薄化晶圆工艺,在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡,以承受短路情况的发生。     

仿真研究变掺杂缓冲层技术对MOSFET抗SEB能力的改善

内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上屏蔽厚衬底中空穴的注入,使集电区范围变窄、集电区少子有效扩散长度减小,器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V平面栅ITC IGBT的短路特性进行仿真研究,重点讨论LCLC区的位置及LCLC区内载流子寿命对器件短路的影响。结果显示,对一定的载流子寿命,随着LCLC区距集电结距离减小,器件短路性能增强;而对固定的LCLC区位置,随着LCLC区内载流子寿命降低,器件短路性能进一步改善。所有这些最终都可以归结于背发射极效率的影响。     

功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究

针对变频空调使用缘栅双极型晶体管（IGBT）击穿短路故障进行分析,确认IGBT为过压损坏失效。,空调供电电源出现大的波动影响芯片供电电源质量,电压偏低导致IGBT开通异常,不能及时欠压保护,IGBT长时间处于工作在放大状态,IGBT开通损耗大热击穿失效。本文主要从电路设计,工作环境,模拟验证等方面分析研究,确认IGBT击穿短路失效原因,从设计电路与物料选型优化提升产品工作可靠性。     

影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究

功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法。     

IGBT全自对准栅挖槽工艺研究

设计了一种全自对准槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构，其工艺简单，全套工艺只有两张光刻版，提高了工艺成品率。它独特的IGBT沟道多重短路结构，有效地防止了器件闩锁；采用氧化层硬掩膜和硅化物工艺，实现了全自对准的多晶硅反刻和金属连接，增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度，提高了器件的电流能力；用砷(As)掺杂代替磷(P)掺杂，有效地提高了源区表面浓度，实现了浅结工艺。     

影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究

功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一.本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法.     

飞兆半导体推出1200V／15A NPT-Trench IGBT

飞兆半导体公司宣布推出1200V／15A NPT—Trench IGBT。能够在电磁感应加热（IH）电器中耐受高达300mJ的雪崩能量；这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健”的故障安全操作，而非正常的雪崩情况通常会影响IH电器如微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具等。