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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
采用新型垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为激光自混合振动测量系统的激光光源,针对不同驱动信号频率(1 kHz,2 kHz)、驱动信号幅度(880 mV,1.66 v)的振动驱动信号对激光自混合振动测量信号系统进行实验研究,并与通过激光稳态方程所获得的激光自混合振动信号仿真进行了比较分析.结果表明,2 kHz相对1 k...  相似文献   

2.
采用数值模拟法获得了自混合信号的时域特性,并在此基础上对激光器重要参量线宽展宽因子在混合信号中的影响进行了数值模拟和分析,得出了采用较大线宽展宽因子的激光器可以获得幅度较大以及较强的不对称自混合信号的结论.  相似文献   

3.
外腔半导体激光器的线宽   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文用量子力学的方法求得了外腔半导体激光器(LD)的线宽,给出了抑制LD线宽的最佳反馈条件。  相似文献   

4.
光反馈自混合干涉技术是一种新出现的有别于传统双光束干涉的测试技术.文章基于此技术对半导体激光器进行线宽展宽因数的测量,以激光器HL7851G为对象进行了大量的实验,实验结果与线宽测量法基本一致,相对误差只有3.22%.相比线宽测量法,光反馈自混合法具有成本低、精度高的优点,是一种更加简洁有效的测量方法.  相似文献   

5.
激光自混合干涉式位移测量数值模拟及实验研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
施冰皓  赵建林  李泽仁 《中国激光》2005,32(10):415-1420
对激光自混合干涉式位移测量原理进行了数值模拟和实验研究。首先,从三镜法布里珀罗腔理论出发,得到了基于半导体激光自混合干涉原理的位移测量模型,在此基础上对多种波形调制外反射体位移情况下激光自混合干涉信号进行了理论分析,证实信号倾斜方向发生反转的间隔条纹数目对应反射体位移的幅值范围;反射体有半个波长的位移,信号即输出一个完整的条纹;反馈强度的增加将增大输出条纹的倾斜。对信号倾斜现象进一步分析发现,当反射体位移减小时,信号向左倾斜,反之向右。造成信号倾斜的原因是由于高反馈强度下引起的非线性相位调制了输出信号强度。这些结论同样适用于任意波形调制的反射体位移。实验测试结果同理论分析吻合较好。  相似文献   

6.
用于远距离干涉测量的外腔半导体激光器   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用中心波长为942.4nm、初始线宽大于1200GHz的半导体激光器(LD),使用littrow型自准直光栅外腔结构,以精度为10-3/℃的温控手段,实验得到了功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1.2MHz(Δλ<3.5×10-6nm)的激光输出,可应用于程差大于250m的干涉测量,使测量系统易于调制、便于集成。  相似文献   

7.
强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文分析了具有强反馈外腔的半导体激光器线宽特性,给出了强反馈外腔半导体激光器的线宽压窄率表示式.分析结果表明:该公式与数值解的结果符合很好,并且在一定条件下,弱反馈外腔可以得到比强反馈外腔更窄的线宽.  相似文献   

8.
郝辉 《光电子技术》2005,25(4):244-247,251
利用Lang—Kobayashi速率方程,分析研究了半导体激光器在外腔弱光反馈条件下的自混合干涉。理论分析和实验研究表明,自混合干涉具有双光束干涉相同的条纹分辨率,外腔长度和反馈强度的变化调制了LD的输出特征。  相似文献   

9.
通过构建外腔半导体激光器的等效腔模型,并在修正的肖洛-汤斯线宽公式中引入外腔压窄因子,系统模拟了光纤光栅外腔半导体激光器的电流阈值特性和线宽特性.以等效腔模型为基础,综合考虑外腔压窄因子,利用修正后的肖恩-汤斯公式,使用Matlab对外腔激光器的阈值和线宽特性进行了系统的模拟.模拟结果表明:通过增加外腔反射率,可有效增加光子寿命并降低阈值载流子浓度,进而获得较低的阈值电流,对于0.81的外腔等效反射率,阈值电流低至3.83 mA;通过增加外腔反射率、耦合效率和外腔长度,可显著压窄线宽至千赫兹量级;此外,合理限制增益芯片尺寸也会压窄线宽.激光器工作电流为60 mA时,当外腔光栅反射率由0.1提高至0.9可使阈值电流由9.04 mA降低至4.01 mA,线宽由95.27 kHz降低至1.34 kHz;当外腔长度由2 cm增加至6 cm时,激光器线宽由3.20 kHz降低至0.36 kHz.  相似文献   

10.
综述了近年来半导体激光器自混合干涉的最新理论与应用进展,对Lang和Kobayashi建立的速率方程理论和法一珀腔模型理论进行了分析,得到完全相同的激光自混合干涉的一般模型,并归纳总结了激光输出强度波形的影响因素.最后将其与传统的相干检测进行了比较.  相似文献   

11.
为了提高参数估计的精确度,根据光反馈自混合干涉信号的特点,采用对原始光反馈自混合实验信号进行滤波和归一化等预处理方法,有效地滤除了噪声,使信号平坦化,而且预处理后的实验信号与理论模型仿真数据更加吻合。分别利用原始实验信号和预处理后的信号对参数进行估计,比对结果表明,使用预处理后的光反馈自混合信号进行参数估计,线宽展宽因数和光反馈水平因子C的测量精度分别提高了5.52%和4.55%。  相似文献   

12.
泵浦耦合技术是研究高功率光纤激光器和光纤放大器的关键技术,而侧面泵浦耦合技术又是通过泵浦耦合技术获取高功率光纤激光器的未来发展趋势。它是通过双包层光纤的侧面将泵浦光耦合进内包层,对纤芯进行泵浦。目前已经提出并且实现了多种侧面泵浦耦合技术。详细叙述了各种耦合方案的工作原理,并对其耦合效率,输出功率,工艺难易进行了分析和对比,最后根据制作工艺和耦合原理将其进行了分类。  相似文献   

13.
激光二极管光束整形技术   总被引:11,自引:2,他引:9       下载免费PDF全文
阐述了对LD输出光束进行整形的必要性。在国内首次对目前常用的一些典型的光束整形技术的整形原理、关键技术及整形效果进行了分析、比较和评价。  相似文献   

14.
当外部激光被反射回激光内腔时,反馈光与激光器腔内光混合,调制激光器的输出功率和频率,通过信号处理可以得到物体运动的多普勒频率,从而计算出物体的运动速度。基于这种特性,设计出一种激光自混合干涉仪,为了知道该技术是否适用于变速测量,对激光自混合用于变速运动物体的速度测量进行了探索。基于激光自混合三镜腔模型,建立了激光自混合用于变速测量的数学模型,提出了基于该模型的特征参量提取方法,该方法基于离散Chirp-Fourier变换理论。对激光自混合输出信号进行离散Chirp-Fourier变换,变换结果的主瓣坐标反映了物体运动的速度及加速度信息。最后,对该方法进行了仿真分析,在SNR=0 dB和SNR=7 dB的情况下,能较好地获得物体的速度和加速度信息。因此,仿真试验证明:该方法在较低信噪比的情况下仍能有效提取物体的速度及加速度信息。  相似文献   

15.
提高二极管激光阵列外腔锁相效率的实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用1/4 Talbot外腔实现宽条二极管激光阵列的锁相,在工作电流是35 A时,获得7.56 W的锁相输出功率,输出光束的远场图像是多瓣结构,锁相前后输出光的光谱宽度从2.0 nm压缩到0.2 nm。腔内插入焦距大约为5倍腔长的柱透镜,在相同电流下获得8.75 W的锁相输出功率,输出光的远场图像是多瓣结构,输出超模的数目有所减少,能量向中部集中,输出光的光谱宽度是0.2 nm。  相似文献   

16.
提出一种将半导体激光器(LD)贴近皮肤照射皮下静脉进行激光血液辐照治疗的新方法。该方法以手背皮下静脉作为激光照射点,采用650nm波长激光。给出了新方法所依据的实验基础,论述了新方法的可行性,说明了与新方法相适应的激光照射装置的设计方案及其照射方式,目的是为改进激光血液照射疗法探索新途径。  相似文献   

17.
为了提高对称折叠算法的精度,通过对仿真信号的测量,分析了影响算法精度的几种因素(光反馈水平因子,外腔的非线性运动,抽样速率和转折点的定位),并且给出了改进方法.仿真结果表明,在测量线宽展宽因子之前,需保证光反馈水平因子的准确测量,利用中间干涉条纹进行测量可以减少外腔非线性运动所带来的误差.这一结论对利用对称折叠算法处理实验信号有一定的帮助.  相似文献   

18.
提出了一种基于相位差偏置萨尼亚克环的新型外腔半导体激光(ECDL)无调制稳频方法,采用偏振分束器(PBS)作为萨尼亚克环的输入及输出端,并利用1/4波片在环内沿相反方向传播的偏振方向互相垂直的两束光之间引入/2的相位差(),萨尼亚克环的输出光经过起偏器可以分解得到由Rb的饱和吸收峰引起的色散相移,通过这种方法可以得到适合稳频的误差信号。相比现有的利用全内反射引入相位差(sin=0.64)的方法,色散信号放大系数sin的值可达到理论最大值,有效地提高了误差信号的强度,这种方法简单、稳健,且在原子物理实验等方面具有潜在应用。  相似文献   

19.
在外腔波动情况下,根据光反馈自混合干涉系统不同反馈机制下的干涉信号特征,设计了由一个周期内信号特征点在靠近振动中心位置的下条纹中相对应的映射点位置测量线宽展宽因数的算法。通过仿真和实验验证:与以往算法相比,本文设计的算法不受光反馈水平机制的限制。线宽展宽因数的精确测量对于半导体激光器性能的研究与应用具有重要意义。  相似文献   

20.
实验优化设计了808nm DFB半导体激光器的二级布拉格光栅结构,介绍了808 nm分布反馈(DFB)半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在GaAs衬底片上制备了周期为240nm的光栅图形,全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性,腐蚀液采用H3PO4 : H2O2 : H2O (1 : 1 : 10),腐蚀时间为30s。光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示,光栅周期为240nm,占空比为0.25,深度为80nm,具有完美的表面形貌,及良好的连续性和均匀性。  相似文献   

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