金属外延生长的原子级观察

本文用场离子显微镜(FIM)对金属外延层的结构进行了原子级的观察。 超晶格外延生长的条件依赖于表面能和晶格参数的匹配。在表面能匹配条件被满足的情况下,从原子级尺度来看,外延生长中存在各种缺陷,例如空位、空位团、空洞、位错和孪晶。产生缺陷主要是外延材料与衬底晶格参数失配引起的。 实验观察到在一定条件下外延生长会使金属表面合金化。可能的机制是交换扩散机制。     

砷化镓气相外延层表面缺陷和衬底缺陷的关系

利用ＳＥＭ，ＥＤＸ研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系，进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。     

砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系

利用SEM、EDX研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系,进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。     

GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性

研究了用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层，有效降低了外延层中的位错密度，提高了晶体质量。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析，得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数：厚度为20nm，生长速率为1．43μm／h，Ⅴ／Ⅲ束流比为2．0。并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性：GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子（BE4）和施主-受主对（D-A）辐射复合发光峰组成，在50K时其发光峰强度最强，半峰宽最窄。     

金刚石薄膜外延生长温度与外延膜品质的研究

选用国产毫米级人造单晶金刚石,用微波增强的化学气相沉积方法,在氢气、丙酮体系中,实现了单晶金刚石的气相外延生长。通过扫描电镜等分析,初步实现了对外延单晶金刚石薄膜的品质鉴定。实验还发现,外延生长温度与金刚石晶面的原子密度关系密切。     

铂族金属的气相处理回收法

一、铂族金属的回收法亟待改进铂族金属的用途在不断扩大,但资源少价格高,所以它的再生利用在日本受到高度重视。铂族金属的主要回收技术有干法和湿法两类,干法为对含铂等废金属预处理后再加入铜、铅等金属进行高温冶炼以便从铜、铅的共生金属相中将铂族金属等抽提分离回收的方法。这种方法在日本广泛用于工业生产,由于它的回收率高和处理速度快,已成为回收技术的主流,其缺点是需设备规模大,能耗和成本     

法开发出高导电性有机金属

正拥有像金属一样的高导电性的有机材料非常稀少。因为有机金属研发领域存在的问题是,良好的导电性能要求材料具有很高的结晶度,但晶体结构却不利于材料的加工和成型。现在,法国斯特拉斯堡大学的研究团队开发出一类新的有机材料,不仅导电性高,而且非常柔软、有弹性,成功克服了上述难题,在一次性电子设备领域具有应用前景。     

气相法制备纳米二氧化钛

超微粉体技术是近十几年发展起来的一项高新技术.它通常是指颗粒尺寸在10~(-6)～10~(-9)m的固体颗粒材料(又称纳米材料).超微粒子存在着表面效应、体积效应和久保     

大气下火焰法同质外延金刚石单晶膜

气相合成金刚石膜技术的问世，使制备金刚石电子有源器件成为可能。本文将静高压法合成的大颗粒优质单晶镶嵌在纯铜板中作为基板。以乙炔和氧气为反应气体，将氧气与乙炔的体积比率R(R=O2：2CH2)控制在0．85～1．0区间。采用大气下火焰法进行了金刚石单晶膜的同质外延实验。并通过拉曼散射，扫描电镜、反射高能电子衍射对实验结果进行了检测分析，在(100)面同质外延的金刚石单晶膜上观察到了螺旋生长的现象。     

CVD金刚石大单晶外延生长及高技术应用前景

CVD（化学气相沉积）金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概括性的描述,然后对CVD金刚石单晶制备方法进行详细介绍和评述。并对CVD大单晶在高性能辐射（粒子）探测器、金刚石高温半导体器件、高压物理试验、超精密加工以及在首饰钻戒等方面的应用现状与前景进行了介绍与评述。最后针对CVD高仿钻戒与天然钻戒的鉴别进行了评述,并提出了新的建议。     

脉冲激光法外延生长新型锰氧化物YNi0.5Mn0.5O3薄膜

利用脉冲激光法在SrTiO3衬底上外延生长了新型锰氧化物Yni0.5Mn0.5O3薄膜.通过实验发现,在STO衬底上生长的薄膜均为高度一致的(00l)取向、外延生长的单相膜.薄膜的居里转变温度等值于相应块材的温度;薄膜和块材的磁特性明显不同,薄膜呈现一种典型的团簇玻璃特征.此外,探讨了这一薄膜的外延生长与其磁特性的关系.     

热丝化学气相沉积法制备优质微米亚微米级单晶金刚石的研究

利用热丝化学气相沉积法（HFCVD）,在硅片衬底上进行微米级（〉1μm）及亚微米级（〈1μm）单晶金刚石的沉积研究。微米级金刚石是以高温高压法（HPHT）制备的1μm金刚石颗粒为籽晶,通过甩胶布晶的方法,在衬底上均匀分布晶种,并通过合理控制沉积工艺参数,在衬底上形成晶形完好的单晶金刚石。在沉积2 h后,可消除原HPHT籽晶缺陷,沉积6 h后,生长出晶形良好的立方八面体金刚石颗粒（约4μm）;对于亚微米级单晶金刚石,是直接在衬底上进行合成,通过调控沉积参数（如衬底预处理方法,偏流大小,沉积时间）对单晶金刚石的分布密度和颗粒度进行控制,经过2 h的沉积,最终获得了0.7μm的二十面体单晶金刚石。