MOSFET功率开关器件的散热计算

文中介绍了以MOSFET为代表的功率开关器件功率损耗的组成及其计算方法，给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤．简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。     

适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路

建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

SOI MOSFET电路模拟的模型选择

本文描述,论证并用实例说明了一种选择SOI MOSFET适当模型的实验方法。选择的准则是由薄膜和(半)体器件模型所预测的稳态电流——电压特性导出的。通过揭示(看似正确的)实际经验模型所产生的明显的模拟误差,突出了选择适当模型的必要性。     

一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型

本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区,可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路,而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果与实测器件的结果十分一致．     

用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热

本文探讨了可以用于生产厂封装的器件的各种热管理方案,并且引用了国际整流器公司的测试数据,来评估使用小型散热器改善这些器件散热性能的优点,并研究了在进行通电循环的情况下,在器件上直接安装散热器对器件可靠性的影响。     

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（CEI）的充电。在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容（CISS）和CEI混为一谈，于是会使用下面这个公…     

大功率MOSFET管壳跻身于高密度电力系统中

实现更高的功率密度是新式远距离通讯和数据通讯系统对电源设计者提出的进一步要求。为了使之得以实现,功率半导体供应商推出了一系列“最大功率”MOSFET和二极管管壳。 这些管壳能够将以前置于较大管壳中的器件封装进去,为使开关损耗减至最小,内中的硅片产生更低的开关电阻和寄生电容。就ac/dc和dc/dc电源来说,这样制成的器件可将功率密度提高30％。     

大功率MOSFET管的测量与焊接及300W功率放大器的调试

全固态电视调频发射机目前使用的都是大功率MOSFET晶体管，使用较多的是飞利浦公司生产的BLF278和摩托罗拉公司生产的MRF151G，由于其输入阻抗很高，栅极感应的电荷不易泄放，因此产生较高的感应电压，造成栅极的绝缘层容易击穿而损坏，所以在使用中要特别注意。     

精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取

给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法，文中采用局部优化参数提取法进行ＭＯＳ器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对１．２μｍＣＭＯＳ工艺ＮＭＯＳ器件的测试及参数提取，并进行模型计算，结果表明理论和实际值符合很好。     

三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100 V,60 A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。     

新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用

快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。     

基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究

热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。     

新型高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4447

Linear Technology推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。该驱动器加上功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC／DC控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。     

基于变压器隔离的功率MOSFET驱动电路参数设计

介绍了基于单电容变压器隔离及双电容变压器隔离的功率MOSFET驱动电路,并对驱动电路中各元器件的参数设计进行了详细的论述。进一步对所提出的设计方法进行了实验验证,实验结果表明该设计方法是合理有效的,驱动波形平滑无振荡,并且有较快的上升时间。