不同籽晶DKDP晶体生长和光学性能研究

籽晶是影响DKDP晶体生长和光学性能的一个重要因素.通过传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液中生长DKDP晶体并对加工样品进行了相关测试.研究了不同籽晶对DKDP晶体的生长和光学性能的影响.实验表明,[101]晶片籽晶所得DKDP晶体能有效缩短生长周期,晶体损伤阈值提高明显,但光学均匀性和透过性能有所下降.     

不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素. 本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试. 研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷. 实验证明, DKDP晶体可以在的过饱和度下实现快速生长, 但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.     

Yb3+:KGW激光晶体生长与表征

通过对K2WO4和K2W2O7两种助溶剂的对比、分析,选择K2W2O7做助溶剂,采用顶部籽晶(TSSG)法生长YbKGW晶体.设计了合理的工艺条件转速10～15r/min;降温速率0.05℃/h;生长周期15d.通过对YbKGW晶体粉末样品的X-ray衍射谱与KGW粉末样品的X-ray衍射谱对比分析,生长晶体为β-YbKGW晶体.利用TG-DTA测定YbKGW晶体的熔点及相变温度分别是1086℃和1021℃.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.     

籽晶粒径分布对高效多晶硅晶体生长的影响

采用不同粒径分布的单晶籽晶进行高效多晶硅铸锭,结果表明单晶籽晶的粒径分布对引晶效果影响显著.籽晶粒径在1～4mm范围时,引晶效果最佳;粒径大于4mm时,硅熔体流延现象的存在导致长晶初期晶体中位错密度偏高,少子寿命降低;粒径小于1 mm时,细小的形核点也会影响晶体中的位错密度和少子寿命.对应电池片效率的结果也验证了该结论.     

不同籽晶对KDP晶体质量的影响

采用Z片籽晶和锥头籽晶分别进行传统降温法生长KDP晶体,并对其高分辨摇摆曲线、锥光干涉图以及消光比进行测试研究。实验发现,KDP晶体在不同籽晶下均能实现较好的生长稳定性,采用锥头籽晶生长的KDP晶体具有相对更好的晶体质量。     

硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响

SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”.     

籽晶边长对SAPMAC法蓝宝石晶体放肩阶段生长质量的影响

温度场的控制是蓝宝石生长过程关键技术问题。采用有限元方法研究了冷心放肩微量提拉法蓝宝石单晶生长过程中籽晶的边长对晶体生长放肩阶段温度场内温度分布、流场分布和晶体的等效应力分布的影响。结果表明:当籽晶边长为24mm时,放肩阶段熔体的轴径向温度变化平缓,温度场内温度分布均匀,熔体的流动和晶体的热应力均适合晶体的生长。     

Ca2+离子对 KDP晶体生长习性及性能的影响

Ca^2＋是KDP原料中一种常见的杂质离子，通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了Ca^2＋离子对KDP晶体生长习性及性能的影响、实验表明，Ca^2＋低浓度掺杂时对溶液的稳定性及生长过程没有明显的影响；高浓度时溶液稳定性有所降低，经常出现杂品；快速生长时，晶体柱面易出现包藏，晶体的紫外透过呈下降趋势，晶体中散射颗粒密度随掺杂浓度的增加而增大、     

稳恒电场对小晶面晶体生长的影响

本文选用NH4Cl和H2O过饱和二元溶体为研究对象,研究其在稳恒电场作用下溶体中游离晶的重熔规律及晶体生长规律.利用显微镜感光器件(CCD)及智能通讯测温仪表,对实验过程进行实时照片拍摄和实时温度记录.结果表明:电场的Joule Heat效应为决定性因素,使得NH4Cl溶体温度场显著变化,导致糊状区的游离晶重熔明显;N...     

化学处理对熔石英表面抗激光损伤阈值的影响

分析了HF酸腐蚀时间对熔石英抗激光损伤阈值的影响.用浓度为4%的HF酸腐蚀15min后,测得熔石英抗激光损伤阈值提高了53.1%,并对其机理作了分析.激光损伤实验使用波长为355nm,脉宽为10ns,频率为3Hz的Nd:YAG调Q激光器测试系统.当泵浦激光辐照熔石英样品表面时,后表面比前表面更容易发生激光诱导损伤,HF酸腐蚀的程度对前后表面抗激光损伤阈值比基本没有影响.对实验样品在HF酸腐蚀前后表面粗糙度的测量结果表明,HF酸腐蚀时间较短时实验样品表面粗糙度基本无变化,如果选用的样品存在较多的表面及亚表面缺陷,当HF酸腐蚀去除掉重沉积层后,表面粗糙度将急剧上升.     

温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响

计算模拟了半导体材料CdZnTe垂直布里奇曼法(CdZnTe-VBM)单晶体生长过程，分析了炉膛温度梯度和坩埚移动速率对结晶界面形态和晶体内组份偏析的影响。计算结果表明炉膛温度梯度和生长速率的变化明显影响固-液界面前沿对流场的形态和强度。界面凹陷深度随着炉膛温度梯度的增加和生长速率减小而减小。炉膛温度梯度的增加和生长速率的减小虽然均能有效的减小径向偏析，但却增加轴向偏析，减小轴向等浓度区的长度。     

Variation of crystal orientation during epitaxial growth of dendrites by laser deposition

A nickel-based superalloy was deposited onto a single crystal substrate based on epitaxial laser metal forming(E-LMF). The microstructure development in two depositions has been researched. For the first time, the crystal orientation of dendrites varying beyond 20° was found when the dendrites deflected in deposition. In addition, a new grain boundary was found between different orientation dendrites in a grain, and the detected grain boundary angle was 23°. The result shows that flowing field in laser pool is responsible for this phenomenon.     

Growth habit and transparency of sulphate doped KDP crystal

KDP crystals were grown from the aqueous solution with different concentrations of sulphate by both the traditional temperature-lowering method and the rapid growth method. Sulphate showed a great effect on the growth and the properties of KDP crystals. With the rise of the dopant concentration, many defects occur such as mother liquid inclusions, parasite crystals and cracks. When the dopant concentration of sulphate reaches a certain value, the ultraviolet transmittance of crystals decreases a lot compared with crystals at low dopant concentration.     

激光辐照对类金刚石薄膜改性及损伤研究

介绍了激光损伤的检测及损伤阈值的测量方法.讨论激光辐照对类金刚石结构和性质的影响规律.并论述不同工作参数的激光对类金刚石薄膜的激光破坏行为及其损伤阈值.在此基础上分析类金刚石薄膜激光损伤的机理.还从物理特性及制备技术方面着手,比较分析金刚石及类金刚石薄膜各自的优缺点和实际应用状况,并提出类金刚石薄膜的应用前景和有待进一步研究的问题.     

YCOB晶体生长与激光倍频性能研究

坩埚下降法沿＜０１０＞和＜００１＞方向生长了直径达到２５ｍｍ的完整透明的Ｃａ４ＹＯ（ＢＯ３）３ （ＹＣＯＢ）晶体．化学腐蚀结果表明，所生长晶体无孪晶或亚晶界等缺陷，晶体尾部的位错密度 不超过１８００／ｃｍ２测量了ＹＣＯＢ的透射光谱，其截止波长为２００ｎｍ进行了ＹＣＯＢ晶体对 Ｎｄ：ＹＡＧ激光的二次倍频实验．通过与ＫＤＰ晶体对比，计算出ＹＣＯＢ晶体的有效非线性系数 在Ⅰ型相位匹配方向（θ，φ）＝（６６．３°，１４３．５°）和（６５．９°，３６．５°）上分别为１．４５ｐｍ／Ｖ和０．９１ｐｍ／Ｖ； 大于ＫＤＰ和 ＬＢＯ晶体．在脉冲宽度１０ｎｓ的 Ｎｄ：ＹＡＧ激光单脉冲辐射下ＹＣＯＢ晶体出现体 损伤的激光损伤阈值不低于８５ＧＷ／ｃｍ２．     

在短脉冲激光作用下薄膜的损伤机制

计算了不同材料的能带带隙、初始电子密度、激光波长和激光脉宽等参效对薄膜的抗激光损伤闭值的影响,研究了在不同脉冲宽度激光作用下多光子离化和雪崩离化两种损伤机制的竞争．结果表明,在以平均电子能量不变为特征的雪崩电离的建立期间,光电离速度影响初始电子的浓度,从而影响雪崩电离和光电离之间的竞争．激光脉冲的宽度越大,雪崩电离对电子发展的贡献越大,而多光子离化的贡献越小．     

HgInTe晶体的生长及其性能研究

利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.