硅烷、磷烷及硼烷的CO_2激光光声光谱

本文介绍了采用CO_2激光光声光谱检测硅烷、磷烷及硼烷的意义、测试装置及方法,为采用TEACO_2激光器提纯硅烷提供了必要的光谱数据。 硅烷作为太阳能电池的原料,它含有Ⅲ族和Ⅴ族元素的挥发物质磷烷、砷烷及硼烷等。要提高太阳能电池的效率或使大多数半导体器件的制作获得成功,就需要超高纯度的原料。采用常规的方法,需要对提纯的物质都要经过同样的程序,而激光提纯的方法其独特之处就在于激光只作用于杂质上,而留下所需要的硅烷事实上不发生变化。当前,国外大多采用紫外ArF激光器对硅烷进行提纯,尚未见到利用CO_2激光器进行提纯的报导。但是,由于CO_2激光器具有功率大、性能稳定及容易制造等特点,因此,采用CO_2激光器提纯硅烷将具有更大的意义。     

实用电子装联技术 第三讲 整机装焊

焊接与生产时,焊料中会带入一些杂质,需要注意和控制这些杂质带来的有害作用,表1列出了焊料中的主要杂质的来源、允许的极限值及对焊接的影响.     

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.     

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.     

计算半导体中杂质能级的分区变分方法

本文从分区变分的概念出发提出了一种计算半导体中杂质能级的新方法.它计入了杂质原于的短程势、长程势和主晶格周期势的贡献,是一种第一原理性的计算方法,便于进行自治计算和考虑缺陷集团的电子态.使用这种方法计算了硅中的浅杂质 P、As、Sb和深杂质S~+、Se~+、Te~+、S、Se、Te的能级.算得的杂质能级变化趋势基本上和实验结果相符.最后讨论了浅杂质和深杂质能级的形成机理和分区变分理论的意义.     

电子装联技术讲座3 实用电子装联技术

第三讲　整机装焊　　焊接与生产时 ,焊料中会带入一些杂质 ,需要注意和控制这些杂质带来的有害作用 ,表 1列出了焊料中的主要杂质的来源、允许的极限值及对焊接的影响。表 1　焊料中的主要杂质及对焊接的影响元素 允许极限值 (Ｗ % ) 杂质来源影响焊接效果Ｚｎ 0 .0 0 2 被焊材料 (黄铜 )焊接表面易酸化、发白、降低漫流性和润湿性 ,引起桥接和挂锡Ｃｕ 0 .0 8被焊材料 (黄铜 )熔点升高 ,Ｗ(Ｃｕ)为 2 %时产生不溶性化合物 ,增加粘性 ,引起桥接和挂锡Ｆｅ 0 .0 2焊槽材料熔点升高 ,润湿性下降 ,在焊接温度下 ,铁很难溶于焊料中 ,如在焊料中…     

Si中注Pb的红外瞬态退火

用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.     

用交流方法消除霍尔效应中的副效应问题的探讨

在研究半导体材料中霍尔效应有着广泛的应用.用它来研究半导体材料导电过程,对提供材料的导电类型,载流子浓度、杂质电离能(包括深、浅能级杂质)、禁带宽度、迁移率及杂质补偿度等方面有着重要的作用.本文着重研究霍尔效应中的副效应及其消除方法的探讨,以减少上述测试中所引进不应有的误差等.     

碲镉汞材料提纯研究

杂质是影响碲镉汞器件性能的重要因素之一.对于碲锌镉衬底晶体和窄禁带碲镉汞材料来说,杂质的影响更加显著.主要论述了碲镉汞材料中常见的杂质类型以及杂质在材料中的作用,并分析了影响器件性能的主要杂质.采用辉光放电质谱法(Glow Discharge Mass Spectrometry,GDMS)测试了材料中的杂质含量,同时通...     

AlGaAs混晶中Te施主能级

用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.     

H2O对OLEDs寿命影响的探讨

根据Alq3+的不稳定性模型,通过水分子的电离产生OH-,然后在Alq3层中引入Alq3+陷阱的方法,分析了器件中水气的存在对器件寿命的影响,表明当OLEDs内水浓度达到一定值时,才会对OLEDs寿命产生显著影响,而且寿命与H2O的浓度成反比,与电场强度的指数成反比.     

激光辐照化学反应体系中磁场作用的实验探讨

本文观察到激光辐射溴与乙炔合成产物加溴的混合液（Ｃ２Ｈ２Ｂｒ２＋ＣＨＢｒ３＋Ｃ２Ｈ３Ｂｒ３＋ＣＢｒ４＋Ｃ２Ｈ２Ｂｒ４＋Ｂｒ２）在有无磁场存在时，各组份浓度出现不同的变化，对这种变化的原因进行了分析讨论。     

TaN wet etch for application in dual-metal-gate integration technology

Wet-etch etchants and the TaN film method for dual-metal-gate integration are investigated. Both HF/HN O_3/H_2O and NH_4OH/H_2O_2 solutions can etch TaN effectively, but poor selectivity to the gate dielectric for the HF/HNO_3/H_2O solution due to HF being included in HF/HNO_3/H_2O, and the fact that TaN is difficult to etch in the NH_4OH/H_2O_2 solution at the first stage due to the thin TaO_xN_y layer on the TaN surface, mean that they are difficult to individually apply to dual-metal-gate integration. A two-step wet etching strategy using the HF/HNO_3/H_2O solution first and the NH_4OH/H_2O_2 solution later can fully remove thin TaN film with a photo-resist mask and has high selectivity to the HfSiON dielectric film underneath. High-k dielectric film surfaces are smooth after wet etching of the TaN metal gate and MOSCAPs show well-behaved C-V and J_g-V_g characteristics, which all prove that the wet etching of TaN has little impact on electrical performance and can be applied to dual-metal-gate integration technology for removing the first TaN metal gate in the PMOS region.     

激光辐照化学反应体系中的化学振荡现象

本文首次报导在激光辐照溴与乙炔合成产物加溴的化学反应实验中观察到，当体系远离平衡态时，在合适的条件下，我们观察到有几种成份的含量（百分浓度）出现周期性或类似周期性变化的化学振荡或类化学振荡现象，本文还对这种现象进行了初步讨论。     

Y~(3+)掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究

采用两步烧结法制备了Y3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其VT为675V/mm,α为63.9,漏电流IL为2.40μA。     

用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究

针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究.利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO_2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化.研究结果表明,在常温常压下,HF/乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7.6 nm/s,而HF/水混合气体气相刻蚀速率约为11.5 nm/s.在衬底温度分别为35,40和50℃时,HF/水混合气体的气相刻蚀速率分别为10.25,7.95和5.18 nm/s.利用HF气相腐蚀进行SiO_2牺牲层释放,得到了悬浮的纳米梁结构,梁与衬底的间距为400 nm.     

侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等I-V族光电子器件制作的侧向腐蚀技术.分别采用C6H8O7:H2O2溶液、HCl:H3PO4溶液对InAlAs材料,InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析.采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5 μm的1.3...     

H_2O/C复合微粒子的光学截面及红外发射率光谱的计算

在文献[1]的基础上,利用A. L. Aden和M. Kerker复合粒子Mie散射理论,计算了H_2O/C复合微粒子的散射、吸收、消光截面及发射率光谱,并与C/H_2O和Al_2O_3/C复合微粒子的结果进行比较和讨论。     

聚乙烯醇-氯化锂湿敏薄膜的结构与性能

采用溶胶—凝胶工艺将适量的聚乙烯醇加入到以正硅酸乙酯、异丙醇铝等金属醇盐为原料的先体溶胶中，在氧化铝陶瓷基片上制备出LiCl／SiO2复合湿敏薄膜。实验表明，当聚乙烯醇占先体溶胶的质量分数低于1％时，材料为非晶态网络结构；随着聚乙烯醇含量的增加，材料中有晶体析出。加入聚乙烯醇后，薄膜具有阻抗更低，线性度更好等特点，但吸、脱湿响应变慢，湿滞回差增大。     

乙醇/水混合团簇的多光子电离质谱研究

利用激光器(输出波长355nm)激发乙醇和水二元混合团簇中的离子-分子反应,运用飞行时间质谱技术检测反应后生成的团簇离子.实验观测到多个序列的质子化团簇离子:(C2H5OH)nH 和(C2H5OH)n(H2O)mH (n=1-12,m=1-4),其产生是通过团簇内的质子转移反应.通过对团簇离子的峰强度同乙醇数目n和水分子数目m的关系的研究发现,团簇离子(C2H5OH)8(H2O)H 是幻数结构.