Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(α1)以及密度随Bi2O3含量的变化关系.结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi-O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大.     

非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度,比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近,我们已证实,利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子,可使界面得到显著改善。虽然已经证明,由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量,但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中,对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性     

Bi2O3含量对电子玻璃电性能及结构的影响

以Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系为基础,调整Bi2O3与B2O3的含量以制备低熔点电子玻璃,研究了高含量Bi2O3对玻璃电性能的影响。并通过红外光谱对玻璃的结构进行了分析。结果表明:玻璃的转变温度tg、εr和ρv随着Bi2O3含量的增加而降低,而tanδ则增大。当w(Bi2O3)约为80%时,tg约为445℃,ρv约为1.9×1013Ω·cm。     

掺杂MgO和La2O3对Al2O3陶瓷性能的影响

以高纯硫酸铝氨分解的无定形Al2O3为原料,MgO、La2O3为烧结助剂,在N2气氛下热压烧结制备Al2O3陶瓷。研究了MgO和La2O3掺杂量对所制Al2O3陶瓷的相组成、显微结构、烧结性能、力学性能、热导率和介电性能的影响。结果表明：随着MgO或La2O3掺杂量的增加,Al2O3晶粒尺寸均逐渐减小而抗弯强度逐渐升高...     

玻璃粉料粒度对B-Al-Si/Al_2O_3性能的影响

通过改变球磨时间,得到不同粒度的B2O3-Al2O3-SiO2(简称B-Al-Si或BAS)玻璃粉料。在玻璃粉料中混入质量分数为40%的Al2O3陶瓷粉末,用流延法制备了低温共烧BAS/Al2O3玻璃/陶瓷复相材料。研究了烧结温度和玻璃的粒度对复相材料的烧结性能、介电性能和热稳定性的影响。结果表明:在800～900℃,材料致密化后析出钙长石晶体;球磨1h的玻璃粉料与w(Al2O3)40%混合烧结的复相材料的性能最优,850℃保温30min后,于10MHz测试,其εr=7.77,tanδ=1×10-4;扫描电镜显示其微观结构致密,有少量闭气孔。     

Al2O3陶瓷和Al2O3微粉

叙述了氧化铝瓷的重要性和氧化铝微粉的组成、性能和应用，指出了陶瓷质量和一次晶粒的关系。     

CaO-B2O3-SiO2系玻璃形成区及性能研究

采用XRD、SEM等手段,系统研究了CaO-B2O3-SiO2(CBS)系的玻璃形成范围,利用热分析结果计算了玻璃的析晶参数β。结果表明:纯CBS玻璃形成范围是x(B2O3)为10%～75%,x(SiO2)为0～45%,x(CaO)为25%～55%;整个玻璃形成区比较窄,并向B2O3方向伸展。添加x(Al2O3)为10%可以改善玻璃的失透,提高玻璃体的形成能力,使烧结后εr变化不大,由6.43变为6.31,tanδ显著增加,由0.0009增至0.0020。试样的主要晶相为CaB2O4、α-石英和CaSiO3。     

退火对Al2O3薄膜结构和发光性能的影响

氧化铝(Al2O3)薄膜具有许多优良的物理化学性能,在机械、光学及微电子等高科技领域有着广泛应用,一直受到人们的高度关注.但Al2O3具有多种物相形态,性质差别很大.因此研究不同结构对其发光性能的影响在Al2O3实际应用中有着重要意义.本文采用射频磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了Al2O3薄膜,并在氮气中进行了不同温度的退火,对比了退火前后薄膜的结构和光致发光特性.观察到了在384nm和401nm附近的两个荧光峰,这两个发光峰都是由色心引起的.随着退火温度的升高,Al2O3薄膜的结晶质量变好,同时荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化.     

掺铒Al2O3薄膜与镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光特性比较

用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性.结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上, 两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒 Al2O3薄膜光致发光强度出现饱和趋势,但镱铒共掺Al2O3薄膜的光致发光强度随泵浦功率线性增加.     

氧化铝陶瓷加工表面粗糙度与材料显微结构间关系

通过研究四种显微结构不同的Al2O3陶瓷加工表面粗糙度的变化规律,来探讨Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度与其显微结构的关系.结果表明,Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度决定于磨料粒径和材料显微结构.总的来说,磨料粒径和陶瓷晶粒越小,表面粗糙度精度越高.当磨料粒径降到与陶瓷晶粒尺寸级别相当,或者更小时,决定Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度的关键因素是材料气孔的大小数量.材料越致密,其加工表面粗糙度的精度就能加工得越高.     

热处理工艺对钙硼硅微晶玻璃性能影响

在CaO-B203-SiO2(CBS)系微晶玻璃中,添加P2O5和ZnO两种晶核剂制成试样.采用XRD和SEM分析了试样相组成和微观形貌.研究了热处理工艺对试样烧成性能、力学性能和电学性能的影响.结果表明:试样主晶相为CaSiO3和CaB2O4,随着晶化时间的延长,介稳态的Ca2SiO4相逐渐减少,主晶相增加,核化温度...     

电子浆料用Bi_2O_3-B_2O_3系无铅玻璃粉性能研究

采用高温熔融水淬的方法,制备了w(Bi2O3)为50%～65%,w(B2O3)为25%～40%的Sb2O3掺杂Bi2O3-B2O3系玻璃粉体,研究了Bi2O3和B2O3含量对所制玻璃的玻璃转变温度tg、软化温度tr,线膨胀系数α1以及电阻率ρ等的影响.结果表明,随着w(Bi2O3)的增加,玻璃的tr缓慢下降并维持在490℃左右,熔封温度为550～600℃,α1从62.3×10-7/℃上升至69.1×10-7/℃;在80～200℃,玻璃的ρ为1011～1013Ω·cm.     

A12O3掺杂对MnCONi系NTC热敏电阻材料性能的影响

采用传统固相法制备了Co1.5-xMn1.2Ni0.3AlxO4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC热敏电阻材料。借助XRD、SEM和几种电性能测试手段,研究了Al2O3掺杂对MnCoNi热敏电阻材料相结构及电性能的影响。结果表明：随着Al2O3掺杂量的增加,MnCoNi热敏电阻材料的晶体结构不变,晶粒减小,...     

PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性

在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜。研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响。结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500℃时,出现了位于410nm附近的特殊的光致发光(PL)峰。     

PSTM 用于Al_2O_3光波导薄膜的研究

利用光子扫描隧道显微镜（PSTM）检测研究Al2O3光波导薄膜及其制备工艺,分析了不同温度条件下采用离子束增强沉积工艺制备的Al2O3光波导薄膜PSTM图像,结果表明,适当的增加基片的温度可以减少散射损耗 ,改善Al2O3光波导薄膜的性能。     

Al_2O_3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究

采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。