多孔硅的发光机制与微结构

详细讨论了两种新的多孔硅发光机制理论（无序Ｓｉ网络结构和聚硅烷／氢化物发光）以及相应的实验支持。通过分析多孔硅的各种发光机制和多孔硅微结构研究，作者认为多孔硅不是仅有一种发光机制，不同的微结构和成分构成会产生不同的发光机制，其中量子限制效应和聚硅烷／氢化物发光是受到较多实验支持的，分别有微结构和成分决定的发光理论。     

纳米硅线的微观机构及生长机制的研究

我们利用激光蒸发方法成功地合成了硅纳米线［１］。这些一维纳米结构，与用传统的汽－液－固（ＶＬＳ）方法所合成的晶须相比，无论是生长机理，还是一维结构的直径尺寸，都有明显区别。本文中，我们在电子显微像观察的基础上，提出了用激光蒸发法合成纳米硅线的生长模型...     

硅双极晶体管1／f噪声的物理机制

在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于1/f噪声的物理基础还没有一个完整的认识.本文对1/f噪声研究的主要结果作了评述.     

掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究

应用统计方法,研究了掺金Ｎ型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化,探讨了系统的静态电荷转移机制,所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识。     

对纳米硅薄膜高电导机制的探讨

使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。     

GaAs中Si扩散机制的研究

本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的ＧａＡｓ中Ｓｉ扩散机制的研究结果．发现共Ｐ扩散时，样品表层的电学性能明显提高．Ｓｉ杂质的内扩散小；共Ａｌ扩散时，Ｓｉ杂质内扩散很深．用ＧａＡｓ中化学配比平衡观点讨论了扩散层中杂质分布与电学性能关系，认为Ｓｉ杂质在ＧａＡｓ中的热扩散主要由Ａｓ空位浓度决定．     

注氮硅中光致发光现象及其机制的研究

通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．     

多孔硅研究的发展

多年来．人们对多孔硅的制备方法、微结构特征及其化学成分、发光特性以及发光机制等方面做了深入的研究和探讨．文章对这几个方面的研究工作做了介绍．并对目前的研究状况和应用研究中存在的问题进行了分析。制备出均匀性好、发光效率高、性质稳定、机械强度较高的多孔硅是促进其实用化进程的基本途径。人们对多孔硅进行大量研究的目的主要在于获得硅发光集成装置．另外多孔硅的应用研究也体现在光电子器件、光学器件和传感器件3个方面。多孔硅在微电子学、晶片机械加工、生物工艺学等领域也具有潜在的应用价值．     

碳化硅光学表面抛光机理研究

碳化硅光学反射镜已经在国民生活各个领域得到广泛应用,但是其抛光机理尚不明确。对碳化硅光学表面抛光机理进行了研究。介绍了陶瓷材料的磨削机理——压痕断裂模型。应用压痕断裂模型分析了理想状态下的碳化硅抛光过程,并研究了实际抛光过程中碳化硅光学表面的抛光机理。     

Studies on Dielectric Properties of Silicon Nitride at High Temperature

In this paper, the dielectric properties of silicon nitride are studied using the dielectric polarization theories. According to the developed dielectric models, the temperature dependence of dielectric constant and loss of silicon nitride is mainly analyzed. In addition, the impact of Li^＋, K^＋, Ca^2＋, Al^3＋ and Mg^2＋ doping on the dielectric properties of silicon nitride are also estimated.     

氮化硅在触摸屏中的应用分析(英文)

研究了氮化硅材料在触摸屏领域中的应用,利用等离子体化学气相沉积技术,在一定厚度的玻璃表面沉积不同厚度的氮化硅薄膜。通过理论分析和试验测试的方法得到了氮化硅膜层厚度和折射率对触摸屏透过率以及表面宏观颜色的影响。分析结果表明,氮化硅膜层折射率对触摸屏的平均透过率影响明显,而膜层厚度对触摸屏的平均透过率影响很小,但是膜层厚度的改变对触摸屏特定波长处透过率和膜层宏观颜色影响很明显。在实际生产中可以通过改变沉积条件获得合适折射率及厚度的氮化硅薄膜材料。     

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制

采用HWCVD技术在P型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅／晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数．室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域：旁路电阻（0～0．15V）、非理想二极管2（0．15～0．3V）、理想二极管1（0．3～0．5V）和串联电阻（〉0．5V）．拟合结果表明,适当的氖处理时间（～30s）可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性．对于282～335K的暗I—V温度特性的研究表明,在0．15～0．3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0．3～0．5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释．     

多孔硅内部残余应力的研究

多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力，在裂纹的中心部位拉伸应力可达到o．92GPa，导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹，多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长．随着刻蚀时间的增加，多孔硅孔隙率增加，拉伸应力进一步增加．正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象．     

光激励微硅梁谐振机理研究

用实验的方法研究了微硅梁在光激励下产生谐振的机理 ,解释了微硅梁在光激励下的谐振是由于光 热 机能量转化的结果     

300 mm硅片表面延性磨削机理研究

根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论,通过设定磨削参数,使之满足硅片的延性磨削条件.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对磨削硅片表面和截面进行分析研究.研究结果表明:硅片表面形成规律的磨削印痕,且磨削印痕微弱,在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征,硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑;硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层,非晶层厚度约为50～100 nm,表面微细裂纹完全消失,次表面损伤层厚度约为50～150 nm,次表面损伤层存在微细裂纹.     

水稻离体诱导技术研究Ⅰ．激光对种子体细胞培养力的影响

采用Ｈｅ－Ｎｅ激光对水稻品种ＤＲ４５３进行处理，结果发现。２５分钟组，绿苗分化率最高，与对照比较达极显著差异。当时间为３０分钟时，绿苗率又下降，说明，激光对愈伤组织有一定的激活作用；也有一定的杀伤效应。     

硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究

介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状.针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理.     

晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响

对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度。经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6μm左右。结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小。