厚膜电阻例行可靠性实验噪声特性研究

厚膜电阻器是混合集成电路中最重要的元件之一。厚膜电阻器以其价格低廉、性能稳定和可靠性高而备受电路设计者的青睐。但是，厚膜电阻器的噪声大是不争的事实。为了能够在精密电路中应用，必须测量和控制电阻器的噪声。近年来，国内外学者发现厚膜电阻器的噪声与厚膜材料结构和质量有密切关系。本文通过厚膜电阻器例行可靠性实验中噪声测量和分析，与常规测量参数对比，探索噪声用于厚膜电阻器例行可靠性实验表征的可行性。     

厚膜电阻噪声特性及微调图形对噪声的影响

本文讨论了厚膜电阻器的噪声种类、特性及其产生机理,并提出了减小厚膜电阻器中1/f噪声的途径和方法。文中还讨论了电阻器的微调图形对噪声增量的影响,以及如何减小微调后的噪声增量等。     

厚膜电阻器的噪声及其应用

本文综述了厚膜电阻器中噪声的种类，产生部位及机理的研究，重点介绍了厚膜电阻器的导电机制及1/f噪声的模型，并详细讨论了测量厚膜电阻器中1/f噪声的测量系统，在以上讨论的基础上，对厚度电阻器的低噪声化进行了简单的分析，展望了噪声作为可靠性表征参量的前景。     

嵌入式被动元件之技术发展

在嵌入式被动元件渐成市场需求主流之际，本即针对与嵌入式电阻器技术有关之公差降低、长期稳定度之改善等议题多所墨。除此之外，对于雷射修整、聚合物厚膜印膏(PTE或称厚膜糊)式电阻器硬化技术之改良、以及嵌入式被动组件的全新原物料等，本亦有详尽探讨。     

厚膜电阻器的噪声研究

与金属薄膜电阻器、线绕电阻器不同,厚膜电阻器的结构相当复杂。金属氧化物粗细微粒被埋入玻璃基中。电阻率的大小强烈地依赖于组成成份的百分比。可以认为,决定电阻值大小的主要因素是导电粒子的接触面积,且这些粒子通过隧道效应来传导。 据报道,已研究了一种更易理解的噪声频谱分析法。测量通过样品的交直流电流。我们采用工业用1/3倍频程分析仪,对1.6Hz和25kHz频率范围的输出噪声电压进行了分析。 实验结果表明,厚膜电阻器的玻璃基片将逐步被腐蚀,而噪声的测量与腐蚀的步进次数有关。     

厚膜电阻器的设计研究

本文探讨了厚膜电阻器的性能特点、工艺过程、设计过程常见的问题，并阐述了厚膜电阻器的设计方法。     

一种新的厚膜电阻器脉冲电压调阻法

电子器件用长宽尺寸小于0.5mm~2的厚膜电阻器的脉冲电压调阻法(PVTM),实现了非刻槽技术、该方法采用粗调(加大峰值脉冲电压)和细调(增加脉冲组数)相结合,既不会损伤电阻器表面,又能保证阻值精度小于1%,同时大大改善了电阻器的高频特性和电流噪声。电阻器调阻后在功率调节能力方面也无损失。这些优点是通过增加传导路径数而获得的。     

厚膜片式电阻器中的铅

厚膜片式电阻器产品使用的电子浆料包括有：背电极浆料、面电极浆料、电阻浆料、一次玻璃浆料、二次保护浆料、标记浆料、端电极浆料。厚膜片式电阻器产品中的铅全部含在电子浆料中，而在所有膜层中，铅又主要含在电阻体的玻璃粉中。因此，厚膜电阻器产品中的铅适用欧盟豁免条款。 本文从材料成分及产品结构的氟度浅析了厚膜电阻器产品中的铅及如何降低产品中铅的含量。     

厚膜片状电阻器及厚膜电阻浆料概述

本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品，包括性能及生产流程给出了一个简单介绍，着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。     

RuO_2-玻璃厚膜电阻器的导电机理

<正> 绪言众所周知,由RuO_2和玻璃组成的厚膜电阻器是构成混合集成电路的元件之一。玻璃把RuO_2粒子固定,使厚膜粘结在基片上,决定了厚膜电阻器的电性能。厚膜电阻器用二、三种氧化物作添加剂,尽管组成原料不多,但是微观结构和电性能的关系却不     

厚膜集成电路丝网印刷工艺技术

重点介绍了厚膜集成电路的丝网印刷工艺技术和影响印刷质量的因素 ,并以厚膜电阻器为例 ,简述其制作工艺过程 ,以及丝网印刷缺陷对厚膜电路的影响     

关于激光切割对厚膜电阻噪声特性影响的研究

通过采用激光切割方式来进行模拟定量损伤电阻体,对厚膜电阻器的噪声特性影响进行研究分析,探讨激光切槽长度变化与电阻噪声变化的规律:激光切槽长度在较小阶段时,电阻噪声会随着激光切槽长度的增加而较平缓地上升。但激光切槽长度在较大阶段时,电阻噪声则会随着激光切槽长度的增加而大幅地上升。对此结合了厚膜电阻的微观结构原理进行了分析,确定激光切割引起切槽线周围的厚膜电阻体发生结构性变化,导致厚膜电阻1/f噪声变化为主要因素。     

钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨

本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的研究。用ＡＦＭ、ＳＥＭ和ＡＥＳ分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明，不同峰值温度烧成的厚膜电阻器，由于微观结构的不同，其阻值存在着较大的差异。     

厚膜混合集成电路中电阻器的研制

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器的设计、生产、及材料的选择。其中重点介绍了厚膜电阻器材料的主要性能。     

工艺因素对厚膜电阻器性能的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器在生产过程中影响其性能的主要工艺因素。其中主要介绍了陶瓷基片对电阻器性能的影响,印制工艺对电阻器性能的影响,烧结工艺对电阻器性能的影响以及激光调阻工艺对电阻器性能的影响。     

成都无线电四厂引进片状电阻和电阻网络生产线

<正> 成都无线电四厂于1984年从日本引进了厚膜矩形片状电阻和厚膜电阻网络的生产技术和全套生产设备。生产能力为年产2亿只片状电阻器,2千万块电阻网络。片状电阻器为带式包装,可直接上自动安装机。今年下半年即可接受国内用户订货,产品主要规格如下:     

钌系厚膜片式电阻器热处理工艺的研究

研究了热处理工艺对钌系厚膜电阻器的温度系数（ＴＣＲ）和短时间过负载性能的影响,发现适当的热处理工艺可以改善厚膜电阻器的电性能。为探讨热处理工艺对电阻膜层微观结构的影响,对热处理前后的电阻膜层进行了ＳＥＭ形貌分析。     

热处理可改善厚膜电阻器的电性能

阐述了热处理改善厚膜电阻器电性能的方法。通过实验确立了适当的热处理工艺参数,使厚膜电阻器的电阻温度系数和短时间过负载得到显著改善。对热处理前后的电阻膜层进行ＳＥＭ 形貌分析, 探讨了热处理对其电性能影响的机理。     

厚膜片式电阻器硫化机理及失效预防

通过DC/DC模块电源失效分析和电阻硫化实验,采用扫描电镜和能谱分析等手段,研究了厚膜片式电阻器的硫化机理。结果表明:厚膜片式电阻器端电极和二次保护包覆层之间存在缝隙,空气中的硫化物通过灌封硅胶吸附进入到厚膜片式电阻器内电极,导致内电极材料中的银被硫化,生成电导率低的硫化银,从而使电阻的阻值变大甚至开路。结合DC/DC模块电源提出了几种预防电阻硫化的措施。     

"三防"对片式厚膜电阻器阻值的影响探讨

通过对不同性质的三防材料和涂敷工艺对片式厚膜电阻器阻值的影响开展分析和试验验证,提出了三防材料选用和涂敷工艺改进建议,供使用者参考,以提高片式厚膜电阻器在三防环境下的使用可靠性.