半导体放电管

介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件－半导体放电管，简述了它的特点，工作原理，结构及应用。     

半导体放电管

分析了造成电压瞬变和浪涌的原因，介绍了相应的防护办法，叙述了新型过压保护器件－半导体放电管的结构、特点，应用以及与其它传统的保护器件（TVS二级管、半导体放电管）的区别。     

半导体放电管的短路点设计

本文主要讨论了电话系统电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路的设计方法，以及阴极短路点结构对某些器件参数的影响。     

新型半导体防雷放电管

新型半导体防雷放电管黄尚贤双向二端子闸流管式新型半导体防雷放电管（以下简称半导体放电管）是取代现有气体放电管保护电话交换机和用户终端设备抗雷涌的理想器件。这种半导体放电管既适用于普通电话的３００ＨＺ～３４００ＨＺ模拟传输，也适用于ＩＳＤＮ的２Ｂ＋Ｄ（...     

半导体放电管

介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件——半导体放电管，简述了它的特点、工作原理、结构及应用。     

半导体放电管维持电流的研究

对提高半导体放电管的维持电流进行了研究。实验结果表明：应用一般晶闸管维持电流公式进行调整，不易得到大的维持电流，必须在放电管结构上进行改进，并进而给出了共维持电流ＩＨ的新表达式。     

提高半导体放电管抗浪涌能力的研究

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件，抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制，讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响，指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温，从而提高了器件的抗浪涌能力。     

半导体放电管介绍

半导体放电管是气体放电管的更新换代产品，是配线架上保安单元里最主要的元器件。 半导体放电管是采用半导体平面工艺制造的一种新型过电压保护器件，当外加电压低于其箝制电压ＶＢＯ时，器件呈高阻抗状态；当外加电压达到或超过ＶＢＯ时，器件立即进入短路导通状态，使被保护装置不致遭受高电压损坏，从而起到过压保护的作用。 固体放电管的内部结构与双向晶闸管十分相似。其芯片的剖面构造如图１所示。首先，采用氧化、光刻、扩散、蒸发等半导体工艺技术，在硅晶片的特定区域形成一些ＰＮ结和金属电极，制成放电管芯片，然后通过烧结、封…     

半导体放电器件

介绍了一种新颖的过压保护固体器件的工作原理，参数和结构及其在程控交换机中的应用。     

气体放电管性能的研究与改善

综述了过电压保护气体放电管的性能和原理，从结构设计、材料选用、工艺规范等方面介绍了改善直流击穿电压、冲击击穿电压、耐流能力等性能的方法及应达到的标准。     

浅析10kV氧化锌避雷器常见故障及安装注意事项

鉴于氧化锌避雷器在整个10kV电力配网中的重要性,本文对10kV氧化锌避雷器常见故障及其成因进行了分析,并为了促进故障的优化和完善,就10kV氧化锌避雷器安装中的注意事项进行了探讨.以更好地促进其作用得到有效的发挥.     

高速半导体激光器的设计

高速调制半导体激光器光源是高速光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。本文分析了影响半导体激光器调制带宽的各种因素，系统地介绍了提高调制带宽的途径，并讨论了高速半导体激光器的典型结构和制造工艺。     

10kV线路避雷器故障研究及处理办法

10kV线路避雷器是以氧化锌晶粒为主要介质的元器件,因其漏流必须足够小,不能影响线路的正常运行,因此其过电流的能力具有局限性,在长时间过流、过压的情况下,以及工艺及运行环境的影响下,避雷器内的氧化锌有可能在大电流、高电压的情况下发生膨胀致爆裂,为了分析故障原因及避免避雷器被击穿后无法脱离系统而发生接地事故,本文将根据避...     

氧化锌避雷器泄露电流测量与分析

作为市场中避雷器的一种,氧化锌避雷器在其同类设备中应用效果较好,当各类电子元器件受到损害时,氧化锌避雷器能够较好地对其产生保护作用。另一方面,当发生电流泄露时,操作人员需要及时地将其检测出来,并采取相应的办法对数据进行专业处理和分析。基于此,本文中笔者对氧化锌避雷器泄露电流测量试验分析,并提出相关的防泄漏策略。     

高功率半导体激光器光束整形的设计和实现

为了使线阵半导体激光器光束能更好应用于激光远程无线电力传输,设计了基于光楔-曲面镜-棱镜组的线阵半导体激光束整形系统,采用数值计算方法,取得了系统中各元件的参量及理论整形效果。在此基础上加工出实物元件,搭建整形系统。实验中测得整形后的激光光斑尺寸为9.9cm×9.6cm,能量均匀度为68.9%,系统能量传输效率为71.3%,光束质量可满足接收端的光电池对激光空间均匀性的要求。最后分析了仿真系统与实验系统间产生差异的原因。结果表明,该系统可同时实现激光束阵列快轴和慢轴方向的扩束与准直,并能够调节输出光斑的形状及光强均匀度,且采用光学元件数量较少。光电池组件是激光无线电力传输过程的关键元件,该设计对激光转换效率的研究有较重要的实用价值。     

Breakdown voltage and on-resistance considerations in the floating islands metal-oxide semiconductor field-effect transistor

This article presents an analytical study of a new power metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) structure, called ‘FLoating Islands MOSFET (FLIMOSFET)’, which presents a better trade-off between breakdown voltage and on-resistance compared with conventional VDMOSFETs. The improvement of this trade-off was obtained by inserting one (or several) floating island(s) in the lowly doped epitaxial layer. An analytical model was developed, based on the physical structure of the FLIMOSFET, in order to show the positive effect of the P-floating island on the ‘on-resistance/breakdown voltage’ compromise.     

半导体激光器温度控制电路设计

在对激光器的温度控制理论作了深入研究的基础上,为了使激光器工作时温度恒定,设计了一种新型的温度控制电路,电路中采用了ADN8831作为的核心器件,结合PWM控制方案,完成了包括输入级、补偿环节、输出级、滤波电路和保护及检测电路的硬件电路设计。经过实际连接激光器实验,温度控制精度可达0.01℃。电路具有体积小、效率高、可靠性高、驱动能力强等特点,可以为激光器提供恒定的温度控制。     

半导体器件测试虚拟仿真教学实验设计

半导体器件是集成电路的核心基础,器件特性是器件建模和集成电路设计的重要依据,半导体器件测试成为集成电路相关领域人才必须掌握的重要实践能力。针对实际测试实验存在设备和耗材昂贵、测试过程耗时长等问题,通过搭建半导体器件交直流特性测试系统的虚拟模型,并基于InP基器件科研测试数据反哺教学,学生通过对器件在不同偏置下不同特性的虚拟测试,巩固半导体器件理论知识,掌握测试设备操作技能,全面提升动手实践能力。     

波长(频率)可调谐半导体激光器

波长或频率可调谐的半导体激光器在光通信等实际应用领域中有着重要而广泛的应用。文章立足于实际应用,从谐振腔的结构出发,以调谐机理为研究对象,对可调谐半导体激光器进行了分类研究,并对它们的调谐特性做了总结     

有机半导体激光器研究的新进展

近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点。叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦（ 电注入） 有机半导体激光器也进行了评述。