YbBi_2单晶的合成及导电特性研究

本文主要研究了YbBi2单晶的合成和电阻温度特性。实验发现YbBi2单晶具有金属特征;在1.8K以上没有表现出超导电性;其净电阻率之比高达380;电阻温度特性曲线表明:YbBi2单晶在55K左右发生了明显的相变。     

CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15mm×45mm的CdGeAs2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好．     

Na2ZnSiO4的微波合成及离子导电性质的研究

报道了Na2ZnSiO4纯相的微波固相合成，讨论了合成条件对产物的影响，测定了它的电导率，其导电活化能为83．4KJ／mol。     

聚苯胺导电复合物的合成研究

聚苯胺（ＰＡｎ）具有较高的室温电导率，但难于加工成型．锌盐离聚体具有较好的力学性能，Ａｎ在锌盐离聚体颗粒表面吸附聚合，可以得到电导率达１０．５Ｓ·ｃｍ（－１），抗拉强度为６．１１ＭＰａ的新型导电复合物．经ＴＥＭ研究其表明，证实该复合物为所需合成的ＰＡｎ复合物．     

合成金刚石单晶的新方法

美国北卡罗纳大学的 Jagdish Narayan 和他的合作者,最近研究出了一种成本比较低的制造金刚石单晶薄膜的新方法.这种薄膜可以用来大量生产,其性能大大超过硅片的新一代微电子器件.过去,研究人员是采用化学蒸气沉积的方法来培养金刚石单晶的,但这种方法必须     

水热晶化法合成BaHPO4单晶及结构研究

采用水热合成法成功地培养出一种新物相，ＢａＨＰＯ＿４羊晶体。四圆ｘ射线衍射结构测定证明，晶体属于正交晶系，空间群为Ｐｂｎｍ，晶胞参数ａ＝０．４６０５（１），ｂ＝１．４１７５，（３），ｃ＝１．７１８６（９）ｎｍ，晶胞体积Ｖ＝１．１２１９ｎｍ￣３．晶体由ＨＯＰＯ＿３基团和Ｂａ原子构成，结构中含有ＨＯＰＯ＿３基团构成的平行于（００１）方向的链，多组链再形成两组不同取向的片层结构。晶体结构解析的最终偏离因子Ｒ＝０．０６６：加权因子Ｒ＿ｗ＝０．０６６。     

导电聚苯胺的合成、性能及应用

聚苯胺（PANI）是研究最为广泛的导电高分子材料之一。本文综述了聚苯胺的结构、特性及几种合成聚苯胺的方法,介绍了聚苯胺的掺杂方法及聚苯胺的应用前景。     

三个磷酰化香豆素的合成及单晶结构

以二烷基亚磷酸酯和香豆素为原料,通过Atherton-Todd反应合成了3个新型含有磷酰基的香豆素类化合物,7-磷酰二乙基香豆素(2a)、4-甲基-7-乙酰氧基-6-磷酰二乙基香豆素(2b1)和7-羟基-4-甲基-6-磷酰二异丙基香豆素(2b2).单晶结构显示:化合物2a、2b1均为三斜晶系,P-1空间群,分子间有弱的π-π堆积,分子间主要靠范德华力紧密结合在一起.化合物2b2为单斜晶系,空间群为P2(1)/n,P=O的O原子和羟基氢原子之间存在分子间氢键,每一个分子分别与另外两个分子相连形成链状结构,由堆积图可以看到分子间有弱的π-π堆积,分子间主要靠范德华力紧密结合在一起.     

化学法合成导电聚吡咯的研究现状

本文综述了近年来化学法合成导电聚吡咯的研究状况，重点介绍其在结构、导电机制及制备复合导电材料等方面的进展情况．     

固体电解质Li1＋2x＋2yAlxMgyTi2-x-ySixP3-xO12系统的合成及导电性能的研究

以LiTi2（PO4）3为基,煤矸石为原料经高温固相反应（900℃）制得系列锂离子固体电解质Li1＋2x＋2yAlxMgyTi2-x-ySixP3-xO12（以下简称Ti-Mg-Lisicon）.应用交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明x=0.1,y=0.1的合成物室温电导率比较理想为1.30×10-4S/cm,而673 K时x=0.1,y=0.3的合成物的电导率最大,为2.60×10-2 S/cm。X射线衍射分析结果表明在x=0.1,y≤0.7x;=0.2y,≤0.6的组成范围内均得到空间群为R3c的合成物.     

复盐大单晶NaKV_2O_6的水热合成与表征

在ＮａＯＨ－ＮＨ４ＶＯ３－ＫＩ－Ｈ２Ｏ体系中，以水热法合成了无水偏钒酸复盐ＮａＫＶ２Ｏ６晶体，并进行了结构分析．     

ATO/TiO_2粉体的制备及导电性能研究

采用化学共沉淀法,制备Sb掺杂SnO2(ATO)包覆微纳米TiO2导电粉体,研究了不同的制备工艺条件对ATO/TiO2复合粉体电阻率的影响,得出最佳包覆方案:TiO2浆料浓度25%,m(SnCl4·5H2O)/m(TiO2)=25%,m(SbCl3)/m(SnCl4·5H2O)=12%,反应温度60℃,pH值1.5,包膜时间3h,煅烧温度500℃,煅烧时间3h;通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等对表面包覆前后的微纳米ATO/TiO2的结构进行了分析表征.结果表明,ATO颗粒是以物理吸附的方式吸附在二氧化钛表面.     

一步低温熔盐合成PbB_2O_3F_2单晶及偶极矩计算对其倍频效应来源研究

以硼酸和NH_4F为反应溶剂,采用一步低温熔盐法合成了晶体PbB_2O_3F_2.对该化合物的非线性光学性能进行了研究,Kurz-Perry粉末倍频测试实验表明其粉末倍频效应约为11.5倍KDP,并能实现I型相位匹配.分析了PbB_2O_3F_2晶体的微观结构与非线性效应的对应关系,偶极矩计算结果表明该化合物的非线性光学效应主要来源于PbO_3F_6多面体,[BO_3F]~(4-)四面体同样存在不可忽视的贡献.     

导电ZAO纳米晶的合成、表征及应用

掺铝氧化锌（zinc aluminiunt oxide，ZAO）是氧化锌与氧化铝形成的置换型固溶体，不仅紫外线吸收性能好、化学稳定性高，而且具有颜色浅、可见光透过率高、导电性好等特性。可以广泛应用在抗静电涂料、橡胶和塑料等领域。     

电镀晶种法合成金刚石单晶实验研究

目的寻求一种合成金刚石大单晶的有效方法。方法采用在金刚石单晶上面电镀一层金属镍膜作为触媒,镀有镍膜的金刚石晶种被规则地放在石墨片上预先刻好的洞中,每两个洞之间保持相等的间距,然后与其他石墨片交替组装在高温高压下进行实验合成。结果实验结果表明,在合成压力、温度和时间分别~5.8 GPa、~1 460℃和14 min的条件下,合成后的单晶尺寸约是原晶种的3倍。与传统的合成工艺相比较,合成后的金刚石单晶具有较好的形貌与质量。结论采用电镀晶种法合成对高品级金刚石大单晶的合成具有一定参考意义。     

循环伏安法合成导电聚苯胺导电性及热稳定性

聚苯胺近年来在金属防腐领域备受关注,在质子交换膜燃料电池(PEMFC)不锈钢双极板表面电化学沉积聚苯胺薄膜,能够进一步提高双极板的耐腐蚀性能,有望替代传统的石墨双极板在PEMFC中得到应用。电池工作条件下要求双极板具有导电性,工作温度在70~100℃,因此研究聚苯胺薄膜的导电性和热稳定性十分必要。采用循环伏安法,在0.2mol/L H_2SO_4和0.1mol/L苯胺组成的水溶液体系中,在316L不锈钢表面制备了聚苯胺(PANI)薄膜;采用红外光谱研究PANI薄膜的化学结构;采用四探针技术测量PANI的电导率;采用热重分析技术研究了PANI的热稳定性;采用扫描电镜观察表面形貌。结果表明:聚苯胺薄膜的电导率最大值达到8.96S/cm,分解温度为352.7℃,表面呈现纤维状簇集状态,颗粒分布比较均匀。     

五磷酸镧钕单晶表面特征的研究

用大型金相显微镜观察了高温溶液生长的五磷酸镧钕(NdLaPP)晶体的表面特征。这些特征是:晶面花纹、生长丘、邻位面和铁弹畴。实验表明:晶面花纹是晶体内部缺陷在生长面上的反映。因此,观察晶面花纹就可直接地判断晶体内部质量,这在大晶体上选取较完整部分制作激光棒或作晶种是一种方便,有效的方法。根据生长面上出现的生长丘、邻位面等表面特征,可以确定在该晶体生长过程中螺位错生长机制起主要作用。     

导电聚苯胺纳米管的界面法合成

在室温下，采用界面自组装聚合法首次成功制备了磷酸掺杂的导电聚苯胺纳米管，利用TEM．FT—IR，UV—Vis及四探针等技术对其结构和导电性能进行了表征．结果表明：由该法合成的聚苯胺具有纳米管结构，内外管径分别为20nm和120nm。长度在3～4μm，长径比为30：1；在室温下，电导率约为0．35S／cm．通过控制苯胺单体的浓度、掺杂剂酸的浓度和聚合反应时间能够实现对聚苯胺纳米管管长和管径的控制．