耦合半导体双量子阱中光学双稳态的相干调控

在一个具有三能级V型能级结构的耦合半导体双量子阱中,研究了相干调控下光学双稳态以及双稳态与多稳态的转化行为。研究结果表明,在此物理模型下,光学双稳态的阈值强烈依赖于系统中的非相干抽运强度和存在自发辐射相干下的相对相位,同时,通过调制相位大小,可使系统出现光学双稳态和多稳态之间的相互转换。     

组合注入质子导致不对称耦合双量子阱截面混合效应研究

关键词：     

对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性

电子的隧穿时间是描述量子器件动态工作范围的重要指标. 本文考虑k³ Dresselhaus 自旋轨道耦合效应对系统哈密顿量的修正, 结合转移矩阵方法和龙格-库塔法来解含时薛定谔方程, 进而讨论了电子在非磁半导体对称双势垒结构中的透射系数及隧穿寿命等问题. 研究结果发现:由于k³ Dresselhaus 自旋轨道耦合效应使自旋简并消除, 并在时间域内得到了表达, 导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂; 不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同, 这是导致自旋极化的原因之一; 电子的自旋极化在时间上趋于稳定. 关键词： 自旋极化输运 透射系数 隧穿寿命 自旋极化率     

量子阱中电子-LO声子相互作用引起共振喇曼散射的不对称线形

提出在量子阱中,由于连续态电子与LO声子相互作用,通过对量子阱进行某种设计,并以特定的激光频率入射,可以导致Raman谱中很强的Fano现象.以GaAs-Al_2Ga_(1-x)As为例计算了几种量子阱结构下的不对称参量q,并给出了相应的Fano线形 关键词：     

非对称半导体量子阱中自发辐射相干诱导透明

研究了一束低强度探测脉冲光场在一个非对称半导体量子阱中的传输特性.在相同参数条件下,通过由自发辐射相干产生的交叉耦合系数来调控介质对探测场吸收、色散的变化规律.结果表明:从自发辐射相干的引入到达到相干最大,介质的吸收不断减小,同时强色散也随之进入透明窗口.     

量子阱中的电子关联

运用Bohm-Pines理论，提出了二维及准二维电子气的普适关联因子，并由关联基函数（CBF）方法，求解得Al_xGa_1-xAs-GaAs量子阱的关联函数、交换能和关联能 关键词：     

变形对称双阱势

利用变形双曲函数,将对称双阱势推广为变形对称双阱势模型.证明了该势模型是五参量指数型势模型的特例.运用超对称WKB近似和五参量指数型势模型的能谱公式,获得了变形对称双阱势模型的能谱公式.     

通过双Σ型激光方案控制振动态布居转移

通过使用含时量子波包方法,对HF分子该类型的布居转移动力学进行了研究. 提出双Σ型激光控制方案,用于控制布居从|v=16>能级向|v=0>能级进行转移. 该方案的第一步是将布居从|v=16>经过中间能级|v=11>向|v=7>转移,第二步是将布居从|v=7>经过中间能级|v=3>向|v=0>转移. 在每一个步骤中,三个振动能级在两束重叠的激光脉冲作用下形成一个Σ型的布居转移路径. 通过优化激光的强度、频率和延迟时间,得到了最大的布居转移效率. 计算并比较了正序脉冲和反序脉冲两种情况,在这两种情况下,布居都可以超过90%从|v=16>能级向|v=0>能级进行转移.     

对称双阱中玻色-爱因斯坦凝聚体的量子隧穿的临界态

在半经典理论框架下利用平均场和双模近似理论研究在弱相互作用、无衰减效应和无周期调制时,在对称双阱中在两个玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)之间初始相位差分别为0和π的情况下临界态时BEC的动力行为,并进行了相应分析.由于系统是保守系统,在临界态时原子不会象有衰减效应时一样自动停止振荡,而是会作永不停止的无规则振荡.原子振荡在Josephson振荡和自捕获振荡之间的临界态时既呈现Josephson振荡的特征,又呈现自捕获振荡的特征,而在π相位模式自捕获振荡和φ(O)=π的running phase模式自捕获振荡之间的临界态时既呈现π相位模式自捕获振荡的特征,又呈现φ(0)=π的running phase模式自捕获振荡的特征.     

真空中V型三能级原子的布居弛豫及其量子相干自发发射

本文研究了V型三能级原子与真空耦合构成光子-原子束缚态的布居弛豫及其量子相干现象,具体阐述了引起原子相干的必要条件、布居粒子数的交换过程、真空与原子耦合所产生的Lamb移动对自发发射光谱特性带来的影响.     

离子阱中热库诱导退相干的控制

对单个囚禁离子在热库作用下的退相干的控制问题进行了研究.本文提出的控制方法是基于消除自由哈密顿技术和脉冲重聚技术的结合.前者是利用一个经典大失谐激光场作用于囚禁离子来实现的,而后者是利用一系列的激光π脉冲来实现的.解析与数值表明,应用这种控制方法可以有效消除量子退相干且比纯粹应用脉冲重聚技术要好.     

基于量子点接触的开放双量子点系统电子转移特性

基于量子点接触探测器(QPC)理论上研究了双量子点(DQD)系统在耗散环境和纯退相环境影响下的电子转移特性.结果表明,耗散环境中探测器导致的退相干会增大平均电流和Fano factor随时间演化的值,并观察到量子芝诺效应的存在.在对称的DQD情况下,弛豫减小了平均电流随时间演化的震荡振幅.在非对称的DQD情况下,弛豫降低了Fano factor随时间演化的峰值.纯退相环境中测量会阻碍共隧穿过程中不同电流通道之间的转换,导致Fano factor的极高值.在对称的DQD情况下,增大纯退相速率会提高Fano factor.在非对称的DQD情况下,动力学随时间的演化对纯退相环境不敏感.另外,还发现探测器内n个电子的转移几率只受QPC与DQD耦合的影响.我们的结论可以为实验工作者研究电子输运特性提供理论参考.     

双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿

采用单电子有效质量近似理论, Floquet理论和传递矩阵方法, 对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究, 对InP/InAs半导体材料进行了数值计算. 重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响. 这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据. 关键词： 光子辅助隧穿 隧穿概率 量子阱     

电子在耦合量子阱中振荡的新解法

提供一种新的解法，经过求解微分方程很简单地得到了与殷雯(物理学报52 1862)同样的结果.殷文通过精确求解含时量子体系，研究了在周期耦合驱动下电子在两量子阱中的受迫振荡，不仅得到了一般情况下的振荡公式，而且特别讨论了在ω=0情况下电子布居数的演化行为. 关键词： 耦合量子阱 电子振荡     

变形对称双阱势的束缚态

从第一性原理出发，得到了变形对称双阱势模型的Schroedinger方程束缚态的精确解。应用得到的精确解，给出了对称双阱势和修正Roeschl—Tdler势的能谱和波函数。     

非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义。随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合。利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性。研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差。光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系。     

GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。     

二阶量子路径的相干控制

研究了有_N个中间能级连接初态和目标态的情况下量子路径的控制策略．以_N=3的量子体系为例,详细阐述了针对弱的宽频场的4_N分块控制方案,其中分块的边界频率依赖于量子体系的共振频率．此策略利用了路径幅度中共振和非共振项的相干效应,可通过只调节2_N个相位变量实现．     

量子双阱势准确解模型

Darboux变换和一个积分变换用于变换Poschl-Teller势和改型Poschl-Teller势的薛定谔型方程,求得了两类双阱势可解模型。 关键词：