SiGe器件及其在蓝牙系统中的应用

SiGe是目前RF半导体领域中一项非常引人关注的半 导体生产工艺。继IBM公司之后,TI公司、ST公司和Conexant Systems公司等主要的芯片供应商纷纷加入了使 用者的行列。与此同时,随着蓝牙技术在个人无线设备（尤 其是手机、头戴式耳机、笔记本个人电脑和PDA等）领域 中应用的迅猛发展,迫切需要开发包含无线及基带电路的 超低功耗芯片组。SiGe技术不仅可满足这种低功耗要求,而且还能满足 蓝牙技术应用的诸多其他要求,本文将对有关情况做简要     

SiGe半导体推出全新高集成度WLAN/蓝牙前端模块

SiGe半导体公司（SiGeSemicOnductor）宣布扩展其无线局域网（WirelessLAN,WLAN）和蓝牙（Bluetooth）产品系列,推出高性能、高集成度SE2579U前端模块（FrontEndModule,FEM）,专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场,包含WLAN功能的手机、数码相机和个人媒体播放器（PMP）等。     

SiGe技术在蓝牙系统中的应用

阐述了SiGe技术迅速发展的原因.重点介绍了在蓝牙系统中采用SiGe技术,可以得到非常优异的特性.     

SiGe半导体推出全新高集成度WLAN／蓝牙前端模块

SiGe半导体公司宣布扩展其无线局域网（Wireless LAN，WLAN）和蓝矛（Bluetooth）产品系列，推出高性能、高集成度SE2579U前端模块（Front End Module，FEM），专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场，包含WLAN功能的手机、数码相机和个人媒体播放器（PMP）等。     

SiGe半导体推出全新高集成度WLAN／蓝牙前端模块

SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor）宣布扩展其无线局域网（Wireless LAN．WLAN）和蓝牙（Bluetooth）产品系列，推出高性能、高集成度SE2579U前端模块（Front End Module，FEM），专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场．包含WLAN功能的手机、数码相机和个人媒体播放器（PMP）等。     

用于有源相控阵的X 波段SiGe BiCMOS 功放设计

设计了一款应用于有源相控阵雷达T/R 组件的X 波段功率放大器,放大器采用单端两级放大的共源共栅结构,包括输入与输出匹配网络,偏置电路采用自适应线性化技术,实现高增益和高线性的输出。基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS 7WL 工艺流片,测试结果表明,在3.3 V 电源电压下,在8.5 GHz 时增益为21.8 dB,1 dB 压缩点输出功率为10.4 dBm,输入输出匹配良好,芯片面积为1.4 mm×0.8 mm。芯片面积较小,实现了与整个T/R 芯片的集成。     

SiGe半导体助便携式消费类电子产品实现嵌入式Wi-Fi功能

SiGe半导体公司现已进一步扩展其Wi-Fi芯片系列，在产品中加入专为降低便携式消费类电子产品尺寸及功耗而设计的无线射频前端方案。     

蓝牙功率放大器SE2425U及其应用

SE2425U是SiGe半导体公司专为标准蓝牙和增强型数据速率应用而优化的微型功率放大器。符合蓝牙2．0规范和EDR协议,旨在提高性能和降低电流消耗量。介绍了SE2425U的特点、性能指标及引脚功能,并给出了便携式产品设计中的对比解决方案。     

基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器

基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%.     

SiGe半导体推出全新射频构建模块

SiGe半导体公司现已推出两款全新功率放大器，为制造商提供一种开发Wi-Fi系统的最低成本方法。SE2537L和SE2581L两款功率放大器（power amplifier，PA）都是射频（RF）构建模块（building block），能够简化在笔记本电脑、游戏系统，以及小型办公室与家居接入点等客户端访问应用设备中开发分立式Wi-Fi功能的过程，并降低相关成本。若两款功率放大器一起使用，更可较现有解决方案能降低系统材料清单的成本达30％。     

微型蓝牙功放

富士通微型电子亚洲有限公司日前宦布，针对PC外设和数字家电市场推出内置USB Mini—Host功能的高性能MB90330／MB90335系列16位单片机产品。该系列产品在数据传输和工作环境能力方面具有增强功能，可以满足更复杂应用。     

SiGe推出带有蓝牙端口的高性能单芯片集成式前端模块

SiGe半导体宣布扩大其无线LAN和蓝牙（Bluetooth）产品系列。推出带有蓝牙端口的高性能单芯片集成式前端模块（front end module,FEM）产品,型号为SE2600S。     

SiGe半导体跻身全球半导体联盟“最受尊敬的私营半导体企业奖”候选名单

<正>全球领先的硅基射频(RF)前端模块(FEM)和功率放大器(PA)供应商SiGe半导体公司已获全球半导体联盟提名为2010年度"最受尊敬的私营半导体企业奖"之候选者,优胜者将于12月9日在硅谷圣克拉拉会议中心举办的颁奖晚宴上宣布。GSA指出,"最受尊敬的私营半导体企业奖"旨在表彰在产品、愿景和未来机会方面最为业界尊崇的私营半导体企     

应用于TD-LTE的SiGe BiCMOS功率 放大器的设计

针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570~2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器。该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为(1.004×0.736)mm2。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16 dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm。该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定。     

SiGe半导体前端Wi-Fi／蓝牙模块--提供用于移动和嵌入应用的高集成度解决方案

SiGe半导体现已扩展其Wi—Fi产品系列，推出SE2571U前端模块，专门瞄准包括手机、游戏、数码相机和个人媒体播放器的嵌入式应用。SE2571U专为应对OEM厂商面临的特定挑战而设计，其特点包括实现“电池直接供电”运作、提升性能．并满足消费者对便携设备内建通用移动通信系统连线能力的需求。     

2.4GHz SiGe BiCMOS功率放大器核心电路设计

基于宏力半导体有限公司最新的0.18 μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4～2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配.仿真结果表明,电路在2.4～2.5 GHz频率范围内,增益(S21)达到21 dB,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-17 dB和-22 dB,1dB输出压缩点为16.7 dBm.在电源电压为3.3V时,电路总消耗电流为275 mA.