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在InAs自组织量子点的GaAs覆盖层中引入生长停顿,将这种量子点结构作激光器的有源区,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现:生长停顿可以降低激光器的阈值电流,提高其特征温度,改善激光波长的温度稳定性。简单的分析表明,量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性。 相似文献
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用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。 相似文献
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低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用退火技术,实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明,低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子眯明显变小,且密度变大,认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的:点缺陷释放了部分弹性能,使得量子点变小,而As沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱(PL)上,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高,且半高宽变窄。 相似文献
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成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV.本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究. 相似文献
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成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p 型InAs 自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5 原子层InAs 量子点空穴基态能级在GaAs 价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒,俘获势垒高度为0.26eV.本工作首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒,相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助 相似文献
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利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论. 相似文献
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利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料. 用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15±10 A/cm2. 对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为108μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K. 研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论. 相似文献
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纳米量子点结构的自组织生长 总被引:4,自引:2,他引:2
彭英才 《固体电子学研究与进展》2000,20(2):160-168
所谓自组织生长纳米量子点 ,是具有较大晶格失配度的两种材料 ,依靠自身的应变能量 ,并以 Stranki- Krastanov(S- K)生长模式 ,在衬底表面上形成的具有一定形状、尺寸和密度的自然量子点结构。文中主要介绍了量子点自组织生长的基本原理、几种不同类型量子点的自组织生长及其光致发光特性。 相似文献