注入二氧化硅的硼／磷杂质分布的一般表达式

在能量分别为50～700keV和50～1200keV范围内,把硼离子和磷离子注入SiO_2薄膜中。利用二次离子质谱分析(SIMS)测出浓渡分布,并且采用Leverberg-Marquardt优选法,进行皮尔逊分布近似。导出的范围和离散值与已发表的数据符合得非常好。优选法对于第三矩量和第四矩量给出了很精确的值,确定了注入离子的能量和不同的分布矩量之间的一般关系,同时把这些结果同SUPREM-3工艺模拟程序中所使用的值进行比较。     

~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究

采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法对实验测得的激发产额曲线进行去卷积计算,从而求得了氟的真实深度分布,同时确定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si材料中投影射程分布参数 R_p,△R_p和 SK.理论上计算了上述射程分布参数.实验与理论结果比较表明.R_p和△R_p的实验值与理论值符合得较好.文中讨论了利用共振核反应技术研究低速离子在固体材料中阻止本领的可能性.     

低能全元素离子注入机

本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注入温度:室温～400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。     

用于VLSI的注入氮化物特性

本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。     

超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。     

剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布

本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致.     

采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性

在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％,平均霍耳迁移率为4600～4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。     

砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅴ.离子注入技术;Ⅵ.介质/接触/栅材料

5.SI—GaAs的离子注入技术 在GaAs IC/工艺中,通常采用有选择的离子注入,在SI-GaAs衬底上,形成有源层、欧姆接触层、电阻层及器件之间的隔离层。 通过控制注入杂质的能量和剂量,来达到控制掺杂的浓度和深度。加速离子的能量在50～500keV的范围,注入离子的剂量一般在10~(11)～10~(17)/cm~2的范围;衬底可以在室温条件下或加热的条件下(<400℃)进行离子注入。     

在n型硅基底上二次注入硼离子金刚石膜的p-n结效应

在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的均匀分布,测试了样品的I-V特性,发现其具有明显的p-n异质结效应.     

类钠锗离子软X射线光谱的理论计算

本文将原子结构的HFR方法与关于能量参数的最小二乘优化方法相结合,详细计算了类钠锗离子1s~22S~22p~6nl组态(n=3～6,l=0～5)电偶极跃迁的软x射线光谱(波长<30nm)。本文的波长计算值在误差范围内与实验十分符合,振子强度与Wiese等人的结果一致。     

在SiO_2、Si_3N_4和Al_2O_3中注入离子的射程分布

本文介绍用2.0兆电子伏的He~ 离子反向散射测量技术来测定能量为150～300千电子伏的锌、镓、砷、硒、镉、碲离子注入到SiO_2、Si_3N_4和Al_2O_3中的射程分布。测得的投影射程均比LSS理论计算值大至1.2—1.5倍。用归-化的LSS单位,在实验误差之内,投影射程ρ_p和能量ε之间的关系可以写为ρ_p=2.7ε。这个关系式对于算术平均原子序数为10和算术平均原子质量为20的离子都适用于上述三种靶。     

用“平均电导”求硅中硼离子注入层的载流子分布

本文在LC—1离子注入机的实验条件下(30SS～80Kev),测量了B~ 沿紊乱方向入射单晶靶的平均投影射程RP和标准偏差(?)RP的实验值,并通过对LSS理论和测量数据的分析,提出了借用厄尔文“硅中P型高斯分布扩散层的平均电导”曲线,求Si中B~ 注入层的载流子分布的方法。实验结果表明:其近似程度比LSS理论高,而且方法简单;既便于选择注入条件,又便于器件工艺分析。     

Si中注入Zn的辐射损伤

用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)及注入能量E的增加而单调地增加.这些参数之间的变化关系符合直接碰撞导致非晶化模型,即每一个注入离子由于级联碰撞使表面局部的小区域非晶化.随着剂量的增加,这些非晶态的小区相互重叠而形成一无定形层.     

锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究

本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100~(13)至1×10~(15)/cm~2,离子束流强度为0.046μA/cm~2,注入温度为室温。实验发现,在本工作的离子注入条件下,入射锗离子使硅单晶表面注入层开始非晶化的起始剂量大于0.6×10~(14)/cm~2。形成一个完整匀质表面非晶层所需的临界剂量为1×10~(15)/cm~2。热退火后产生的二次缺陷特性极大地受到退火前样品注入层非晶化程度的影响。     

有关红外器件设计、研究、分析、工艺的论文文摘

离子注入结锑化铟探测器研究航空航天部○一四中心吴名权本文首先叙述了制备锑化铟注入结时,对注入元素、注入剂量、能量的一些考虑。对于1×10~(15)浓度的n型衬底、注入Mg~+,能量为150keV,剂量为5×10~(13)/cm~2、实测结果为0.58μm。这与计算结果相吻合。     

锂离子注入石英玻璃光波导

本文报道我们用锂离子注入方法在熔融石英玻璃衬底上制备的低损耗单模光波导的实验结果.注入离子的能量和剂量分别是130KeV和1×10~(15)离子/cm~2。用抛物线分布,由模有效折射率确定了离子注入波导的参数.锂离子注入石英玻璃光波导的最大折     

为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。     

ONETRAN计算结果与钴~(60)剂量分布数据比较确定光子能谱

用ONETRAN法则计算了金-铝界面附近在100keV至1250keV光子能量下的剂量分布。用从最小二乘方得到的4级光子能谱加权以测量剂量分布数据,计算出的剂量分布与在钴~(60)电离室里测量到的数据很接近。     

磷离子注入诱导InGaAsP／InP双量子阱混合的研究

本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关。大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰。     

离子注入双极晶体管的微波特性

讨论了全离子注入外延硅 NPN 双极微波晶体管的制造和分析。用来形成发射区和基区的掺杂剂分别是注入砷离子和硼离子。砷是在150千电子伏能量下以1×10~(16)/厘米~2剂量注入,而硼则用50千电子伏、8×10~(13)/厘米~2和20千电子伏、4×10~(13)/厘米~2两种条件注入。制成了具有2微米发射极条宽和3微米发射极—基极间距的结构,其S—参数由实验测定。得到实验最高振荡频率 f_(max)=6.0千兆赫,而按T—型等效电路和由已知的几何尺寸和浓度分布得到的器件电路参数所计算的 f_(max)为6.4千兆赫。充分地讨论了制造中所采用的工艺过程。