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<正> 前言 半导体集成电路自五十年代问世以来,随着芯片的微小型化和可靠性要求不断提高,改进丝焊技术的要求也越来越迫切。载带焊技术是七十年代发展起来的一种新型组装技术,它与传统的丝焊技术相比,除可靠性高、生产效率高、成本低外,还具有减轻 相似文献
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厚板高强钢激光填丝多层焊工艺 总被引:4,自引:0,他引:4
以16 mm厚低合金高强钢11CrNi3MnMoV为实验材料,研究了不同能量输入模式下厚板激光填丝多层焊的焊接工艺特性.设计了窄间隙坡口形式,实现了双光束激光填丝的单道多层焊.通过对比单、双光束填丝焊的焊缝成形特征,确定气孔、未熔合为高强钢厚板激光多层焊的主要缺陷,双光束可有效提高焊接稳定性、降低焊缝气孔,同时明显提高焊丝对中性能;辅助层间保温与热丝技术可有效解决未熔合与层间柬腰过小问题.双光束热丝焊的接头抗拉强度可达母材97%以上,为填丝多层焊的优选工艺.焊缝断口呈现为韧窝型剪切断裂. 相似文献
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现在在标准的和一些细节距丝焊应用中,批量生产时检查焊点质量的方法仍旧一样。现在很多工业所要求的用于确定键合质量的检验方法已证明可以接受并且可靠,它们是焊球剪切、测量焊球直径和焊丝拉力。这些方法可以接受,但是随着半导体领域趋向超细节距丝焊,这些传统方法所得到的数据可能还不够。随着每个电路键合焊丝的增多和焊点尺寸的减小,焊机、焊头、材料和方法之间的影响变得越来越敏感。本文采用“闭环”丝焊方法来研究分析。 相似文献
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本文对混便微电子技术中半导体器件的二次集成技术,从各种结构形式、制作方法及其特点进行了较全面的介绍。文中对丝焊技术、载体技术、倒装技术和悬臂梁技术分别作了扼要介绍。最后,对实际工作中可用的几种结构形式提出了一些看法。 相似文献
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通过调节微合金元素的含量获得3种具有不同力学性能的银键合丝.利用拉伸试验、键合试验、焊线挑断力、焊球推力测试等手段,研究了银键合丝力学性能对键合质量的影响.结果表明,在延伸率相同的条件下,随着微合金元素含量的降低,3种键合丝的断裂负荷降低,初始模量先减小后增大,键合后焊线挑断力和焊球推力均降低,电极金挤出率先减小后增大.银键合丝初始模量较低时在超声和压力的作用下易于变形,焊线内残余应力较低且第二焊点与引线框架结合较好,因此挑断测试时第二焊点与框架材料界面处不易发生脱离,有利于获得更高的键合成功率. 相似文献
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评述了A1、A1合金、Ag和Cu四种引线材料在半导体器件组装技术中作为球焊键合引线的前途.Cu的情况最喜人,Cu丝焊技术将应用到年导体器件的大批量生产中去. 相似文献
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叠层芯片封装在与单芯片具有的相同的轨迹范围之内,有效地增大了电子器件的功能性, 提高了电子器件的性能。这一技术已成为很多半导体公司所采用的最流行的封装技术。文章简要叙述了叠层芯片封装技术的趋势、圆片减薄技术、丝焊技术及模塑技术。 相似文献
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板上芯片技术(Chip-on-Board简称COB),也称之为芯片直接贴装技术(Direct Chip Attach简称DCA),是采用粘接剂或自动带焊、丝焊、倒装焊等方法,将裸露的集成电路芯片直接贴装在电路板上的一项技术。倒装芯片是COB中的一种(其余二种为引线键合和载带自动键合),它将芯片有源区面 相似文献
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微波多芯片组件中的微连接 总被引:2,自引:2,他引:0
实现微波多芯片组件(MCM)电气互连的微连接技术是MCM组介绍微连接的三种基本方式丝焊键合、凸点倒装和载带贴装,侧重介绍了各连接方式的优势和连接形式并进行了分析. 相似文献
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激光-MIG复合焊接工艺参数对焊缝形状的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
本文以激光-MIG复合焊焊接工艺参数对焊缝形状的影响为出发点,对复合焊进行了初步的研究。实验研究了激光与电弧之间的距离、离焦量、焊接速度、送丝速度、电弧的类型以及激光的倾斜角度等工艺参数对复合焊焊缝的熔深熔宽的影响。实验表明,激光与电弧之间的距离(DL A)对复合焊的熔深影响较大,在DL A为2mm时,熔深达到最大。离焦量主要是通过影响能量密度来影响熔深和熔宽,在离焦量为+2mm时熔深达到最大,不同于单独激光焊负离焦时熔深最大。焊接速度有一个合适的范围,在这个范围内随着焊接速度的增加,熔深熔宽减少。送丝速度对复合焊的焊缝形状影响最大,送丝丝度较小时焊缝形状类似于单独激光焊;送丝速度过大电弧等离子体屏蔽激光,焊缝形状类似于MIG。激光的倾斜角度对复合焊的焊缝熔深熔宽也有一定的影响,当激光的倾斜角度为10oC时,熔深达到最大熔宽最小。 相似文献
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混合电路装配工艺过程中产生的溶剂残余物,剩余的光刻胶,氟离子和树脂崩溢都会使器件表面污染,影响芯片粘接和丝焊强度。利用等离子清洗技术能够清除混合电路键合区上的有机污染物,本文通过引用三种不同直径焊丝的实验数据来说明混合电路在键合前使用氩气等离子清洗前后丝焊键合拉力平均值和失效模式,从这些数据中可以得出结论:等离子清洗能大大提高混合电路产品的产量和质量。最后对氩气和氧气等离子两种清洗工艺进行了比较。 相似文献
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从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。 相似文献