氮化镓薄膜制备技术及专用装置

本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备方法和专用设备，它以高纯镓和氮气作源泉物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（500～600℃）下，通过载能镓离化团簇束和N^＋离子束直接在衬底进行化学反应生成氮化镓晶体薄膜。本发明还提出用ZnO作缓冲层实现在Si衬底上生长氮化镓晶体膜，进一步降低了氮化镓薄膜的生产成本。     

磁性形状记忆合金单晶及制备方法

该发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni59＋xFe25-xGa25＋y，其中－2．00≤x≤2．00；3．00≤y≤2．00；x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括：将称好的料盛放在坩埚中，并加入SiO2＋B2O3玻璃，采用提拉法生长Ni590＋xFe25-xGa25＋y单晶。     

一种制备p型ZnO晶体薄膜的方法

本发明公开的制备p型氧化锌晶体薄膜的方法步骤如下：先将衬汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10^-2Pa，然后加热衬底，使衬底温度底表面清洗后放入金属有机化学为350～950℃，控制生长室内部压力在10^-2-10000Pa范围里，用高纯载气将高纯有机锌源输入生长室中，同时将高纯N2O和高纯NO气体输入生长室，有机锌源、N2O和NO的摩尔流量分别为0．1—1×10^3μmol／min、     

采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED处延片

本发明提出一种采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片，该外延片采用阱／中间层／垒结构的新型多量子阱技术，用MOCVD法生长GaN基绿光LED外延片。阱、垒之间的中间层能有效降低InGaN的分解，可在较高生长温度实现高In含量且高质量的InGaN合成。     

陶瓷衬底薄膜太阳能电池的制备

详细分析了陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池在制备过程中由于衬底的引入而导致一系列问题,比如衬底杂质含量过高、热膨胀系数等热力学参数和硅不匹配、沉积过程中杂质扩散以及晶体学参数不匹配导致沉积的硅薄膜晶粒不能长大等.针对衬底可能导致的不利因素给出了解决办法,同时进一步用实验验证了工艺的可行性.     

多晶硅薄膜太阳能电池的衬底材料和制备工艺

研究了太阳能电池的发展历程,详细介绍了多晶硅薄膜太阳能电池的各种工艺,阐述了在实际研究过程中沉积大晶粒多晶硅薄膜的技术路线和工艺,并对多晶硅薄膜太阳能电池的研究趋势做了展望.     

碳纳米管材料的制备及其应用研究进展

碳纳米管是由高度石墨化碳原子组成的管状结构,它的sp2轨道杂化结构使其具有独特的物理及化学性能,如机械强度高、吸附性能好、化学性能稳定、导电性好,在力学、电学和能源存储等方面都具有广泛的应用前景。然而,碳纳米管生长是一个非常复杂的过程,原料组成、制备方法和环境条件都会对碳纳米管的生长速度、形貌和性能产生重要影响。通过调控碳纳米管生长过程可以获得形状不一、性能不同的碳纳米管。本文综述了制备方法、衬底材料、催化剂、生长气氛对碳纳米管形貌和性能的影响,讨论了碳纳米管的生长机理,总结了碳纳米管在能源存储、材料增韧、催化产氢等领域的应用,分析了碳纳米管的制备和可控生长面临的问题及未来发展方向,以期为碳纳米管的可控生长、大规模制备提供参考。     

单晶蓝宝石衬底晶片的化学机械抛光工艺研究

目的设计单晶蓝宝石衬底化学机械抛光的合理方案,探究主要抛光工艺参数对抛光衬底的表面质量和材料去除率的影响,并得到一组材料去除率高且表面质量满足要求的抛光工艺参数。方法借助原子力显微镜和精密天平分别对衬底表面形貌和材料去除率进行分析,采用单因素实验法探究了抛光粒子、抛光时间、抛光压力和抛光盘转速对蓝宝石衬底化学机械抛光的表面质量和材料去除率的影响,并设计合理的交互正交优化实验寻求一组较优的抛光工艺参数。结果在蓝宝石衬底化学机械精抛过程中,在抛光时间为0.5 h、抛光压力为45.09 k Pa、抛光盘转速为50 r/min、SiO_2抛光液粒子质量分数为15%、抛光液流量为60 m L/min的条件下,蓝宝石衬底材料的去除率达41.89 nm/min,表面粗糙度降低至0.342 nm,衬底表面台阶结构清晰,满足后续外延工序的要求。结论采用化学机械抛光技术和优化的工艺参数,可同时获得较高的材料去除率和高质量的蓝宝石衬底表面。     

衬底材料对Ti膜形貌及结构的影响

使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析。结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大。抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi_2的峰存在。     

一种柱状晶辅助选晶制备镍基单晶高温合金的方法

提出了一种采用柱状晶辅助选晶的制备镍基单晶高温合金的方法。采用金相显微镜和电子背散射衍射（EBSD）等方法表征了单晶制备过程中显微组织及晶体取向。结果表明:柱状晶部分熔化,柱状晶边缘回熔界面附近形成大量杂晶,但只有<001>方向偏离定向凝固方向较小的晶粒能够长大。采用柱状晶选晶的方法能够在螺旋选晶器出口处获得<001>方向偏离定向凝固方向小于8°的单晶铸件。     

绒面氧化锌透明导电薄膜及其制备方法

缄面氧化锌透明导电薄膜及其制备方法涉及用于太阳电池的光电材料技术领域，特别涉厦到用于太阳电池的透明导电薄膜设计技术领域．其特征在于，这种薄膜是一种缄面的氧化锌透明导电薄膜。制备该薄膜的方法是磁控溅射方法，其特征在于，溅射气体的压力为3．0Pa-15．0Pa；衬底温度为20℃-400℃。本发明的氧化锌透明导电薄膜具有较高的绒度和表面粗糙度，能够增加光的吸收。     

衬底位置对制备（100）面金刚石薄膜的影响

本文利用5kW微波等离子体装置,在直径22mm的石英上沉积金刚石薄膜。实验研究了衬底在不同位置对沉积金刚石薄膜的质量产生的影响。实验中将2块石英衬底编号为A和B,样品A被放在偏离钼基片台中心5mm的位置,使石英的中间区域偏离等离子体球,而边缘区域处于等离子体球的下方。通过SEM和拉曼光谱表征所沉积的金刚石膜,对比样品A的中间和边缘区域发现中间的区域金刚石膜的质量差且不均匀,边缘区域则长出取向一致的（100）面金刚石。通过分析认为,较高的温度、大的等离子体密、合适的碳源浓度度等条件有利于（100）面金刚石薄膜的沉积。随后改进工艺,将样品B放在基片台中心使其处于等离子体的正下方,并调整生长温度和甲烷浓度,成功的获得了高质量均匀的（100）面金刚石薄膜。     

多晶硅薄膜太阳能电池硅基复合陶瓷衬底的设计与制备

采用复合陶瓷设计的概念,设计多晶硅薄膜太阳能电池用Si,SiC,C的复合陶瓷衬底.在气氛保护烧结炉中烧成,得到的复合陶瓷衬底和Si具有较好的热力学和晶体学匹配性,可以有效的避免在RTCVD工艺下高温沉积和冷却过程中出现的开裂现象,并能得到质量较好的多晶硅薄膜.同时,通过恰当设计Si,SiC和C各组分间的比例,还可以制备具有良好导电性能的陶瓷衬底,这对陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池的制备也有重要的意义.     

单晶金属衬底上多层石墨烯的可控生长进展

石墨烯作为一种理想的二维材料,具有机械性能好、电阻率低、热导率高等优点,受到人们的广泛关注。特别地,通过调控石墨烯层数可以改变石墨烯的电学性质,如带隙可调、半导体性质、特殊量子行为等,拓展石墨烯在柔性透明电极、高温超导、高性能传感等领域的应用。目前,人们已对金属衬底上高质量单层石墨烯的制备做了很多研究,发现当单层石墨烯覆盖金属衬底时,衬底将失去催化活性,使得高质量多层石墨烯的可控生长变得非常困难。为了制备多层石墨烯,研究人员已经探索了多种生长方法。总结了单晶金属衬底上多层石墨烯两种常见的生长模式,即表面成核控制的层层往上生长和偏析成核控制的层层往下生长,表面成核控制生长包括气源分子束外延、等离子体化学气相沉积等,偏析成核控制生长包括合金衬底偏析、单质金属衬底偏析等。针对多层石墨烯的各种生长方法,分别从成核密度、晶畴尺寸、层厚均匀性等方面进行了分析总结。最后,对该领域的发展趋势进行了展望,有助于为多层石墨烯的可控生长提供新的解决方案,促进多层石墨烯的发展与应用。     

一种实时掺氦生长P型氧化锌晶体薄膜的方法

本发明公开的实时掺氮生长P型氧化锌晶体薄膜的方法，是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时掺氮的。步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10^-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度为350—950℃，将高纯氧源和用高纯载气将高纯有机锌源输入生长室中在衬底上生长氧化锌薄膜，高纯氧源和高纯有机锌源的摩尔流量分别为5～100000μmol／min和0．1～1000μmol／min，同时将用原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室，     

单晶金刚石尖刀制备工艺的研究

介绍了单晶金刚石尖刀的几何参数设计、原材料选择、晶体定向、切割、开坯、装卡、粗磨、精磨和抛光等制备工艺,分析了晶体定向、装卡和研磨等工艺机理,并对制备的金刚石尖刀的刃口锋利度、圆弧半径以及整体状况进行了SEM检测。最后,对我国单晶金刚石尖刀制备技术的发展进行了评述与展望。     

一种热电偶制备方法及其装置

本发明涉及热电偶的制造方法及实施该方法的装置。解决了热电偶制作中工艺复杂、不便于操作，装置价格昂贵，电极材料具选择性，热电偶易出现沾污、脆断等缺陷的问题。本发明的技术方案为：将制作热电偶的两种金属导线截成长度相当的线段，并将两根导线并拢用剪刀剪齐，作为预焊接接点；将调压器的一次侧线圈的两接线端连接交流电源，在调压器的二次侧线圈的两个输出端分别连接被焊接热电偶的非预焊接接点和锡膜电极；锡膜电极置于装有非易燃油的容器内；接通电源，调整调压器的输出电压；将热电偶的预焊接接点接触锡膜，起弧后迅速离开，形成晶亮的小球；从调压器的二次侧线圈上取下热电偶的两金属电极，完成焊接。     

纳米CeO2单晶的制备与热处理对粒径的影响

以Ce(NO3)3·6H2O为铈源、NH3·H2O为沉淀剂,用化学沉淀法通过对陈化时间的控制,制备了单分散的单晶纳米CeO2粒子,并用XRD、TEM、ED、BET、TG-DTA等测试手段对产物的物相结构、形貌和纳米尺度进行了表征.XRD分析表明,制得的纳米CeO2粒子为萤石结构且晶型比较完整. 通过控制热处理的温度和陈化时间可以控制粒子的大小.TEM和ED分析表明产物颗粒基本为球形,分散性较好且为单晶. 通过TG-DTA结果可以断定所制备的前驱体结构式为CeO2·1/2H2O.     

涂层衬底的生产方法

本发明涉及一种方法,用于生产以材料处理的衬底,依此法：a）至少一个衬底被送入到一个抽空的真空接受器（真空室）中;b）待处理的衬底表面被曝露在一种反应气体下,反应气体被吸附在衬底表面上;C）结束衬底表面在反应气体下曝露;d）被吸附在衬底表面上的反应气体起反应,其特征在于;1）带有被吸附的反应气体的衬底表面被置于一个低能量的等离子体放电下,以其在衬底表面上的离子能量E10为0eV〈E10≤20eV,以其电子能量Eeo为0eV〈Eeo≤100eV;2）被吸附的反应气体至少在由等离子体产生的离子和电子的共同作用下起反应。