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现代工业技术水平的提升,大功率半导体激光器在军事领域与工业领域有着广泛地应用.对功率半导体激光器展开研究,分析其现有的研究进展.本次研究进展的分析,集中在激光器的驱动方法、功率效率、结温与噪声关系以及单管耦合等多方面的研究,对其未来发展提出展望. 相似文献
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半导体激光器驱动电路的光功率控制的研究 总被引:9,自引:6,他引:9
介绍了数字控制式半导体激光器驱动电路的设计,包括温度控制系统和光功率控制系统。该系统以单片机为核心,结合外围电路,以数字控制技术代替以往的模拟电路,易于控制,精度高。对光功率控制系统也以单片机为核心,配合外围的功率采样电路和电流驱动电路.同时使用PD控制算法,控制电源电流,从而控制激光器光功率输出。在PD参数整定时,采用了工程实验法多次实验调试确定参数。建立数学模型,从而实现软件控制。为了提高控制的精度,把功率范围分为9段,对每一段都整定了一组参数,从而将光功率误差控制在0.02W内。所设计的驱动电路精度高,实时性好,达到了设计要求。 相似文献
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半导体激光器稳功率脉冲电源设计 总被引:14,自引:0,他引:14
根据半导体激光器的温度-驱动电流-光功率特性,通过脉冲驱动技术、功率控制技术和抗浪涌技术的综合应用,设计、制作了一种实用的半导体激光器脉冲驱动电源,解决了半导体激光器应用中常见的浪涌冲击问题和宽温度范围内脉冲驱动时的发光功率同步控制难题. 相似文献
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本文采用低频近似的方法,用半经典理论,给出了外腔半导体激光器的场功率谱和线宽公式,理论分析与实验结果是吻合的。 相似文献
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针对采用边发射半导体激光器芯片进行多线集成窄脉冲半导体激光模块设计时,存在激光器芯片的排布位置受限、排列密度受限及发射板光轴方向尺寸较大等问题,研制了高密度封装垂直出射窄脉冲半导体激光模块。首先分析了寄生参数对驱动能力的影响,通过减小寄生电感和寄生电阻以获得高峰值窄脉冲驱动电流;然后进行芯组设计,通过设计侧面金属化陶瓷载体,将激光器芯片电极从陶瓷载体侧面引出,该结构将激光器芯片出光方向旋转90°,实现了激光垂直板面出射和板面自由排布,同时极大地压缩了光轴方向尺寸;最后将芯组和驱动电路进行整体设计,在密集排列的同时兼顾关键电路的均匀布局,实现了16线激光器芯片0.7 mm间隔的高密度排布和垂直板面出光。测试结果显示,模块的单路峰值输出功率约为80 W,脉冲宽度约为6 ns,功率不一致性≤5%。 相似文献
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文中介绍了一款基于AD7896的瞬时峰值电压测量仪的设计.峰值检测是示波器中数据采集的重要方法,优于取样方式和平均方式.采用单片机控制方式,通过对峰值检测仪电路的整体框架的设计,给出了硬件电路各个单元模块的设计原理图,结合硬件设计,得到了软件设计的整体流程图以及中断函数流程图,仪器通过测试,简单易行,测试精度较高. 相似文献
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基于AD8362的射频功率计设计 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了AD公司生产的真有效值功率检测器AD8362的性能和基本原理 ,给出了由单片机PIC16C71控制的基于AD8362的射频小功率计的设计思想 ,同时给出了一个射频小功率计的实现电路 相似文献
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提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。 相似文献
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数字式半导体激光驱动电源控制系统设计 总被引:5,自引:1,他引:5
介绍了一种单片机控制的半导体激光驱动电源控制系统。通过恒流源及光功率反馈控制半导体激光器的工作电流;采用数字式温度传感器测温,半导体制冷器作为制冷元件,对半导体激光器进行恒温控制;同时还采用了一系列的保护措施,从而实现了半导体激光器光功率稳定、可靠、准确输出。 相似文献
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分析直接正交调制技术的边带抑制和本振泄漏问题,基于正交调制上变频原理,采用AD8346芯片,给出一种L波段直接正交变频发射机的设计方案。 相似文献