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罗山 《激光与光电子学进展》2004,41(1):18-18
卢瑟福·阿普尔顿实验室科学家已证实,现有的高功率激光器可在核与等离子体物理研究中代替核加速器。一般实验进行的同时,他们使用太瓦激光产生等离子体感生g射线,它具有足够的能量引发核裂变。里弗莫尔实验室的另一研究组则以拍瓦激光获得核裂变。虽然两者的研究有所不同,但均证实有可能产生激光感生核裂变。英国的实验使用了卢瑟福的“火神”激光器,输出波长1054nm,纳秒脉宽,能量2.6kJ,功率高于100TW。使用啁啾脉冲放大产生1ps脉冲,每个脉冲的能量为40~80J。每30分钟发射一个脉冲,每周可发射25~30个脉冲。两家的工作相似,结论也相同。里… 相似文献
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郭明秀 《激光与光电子学进展》2003,40(4):11-13
采用高功率激光成像可以产生适合控制像素的高质量图像。可以使用两种不同的机制来创建这些像素:一种是修正成像层的表面粘滞性,另一种是将材料烧蚀。这些方法可以应用于不同地方,包括创建黑白图像、彩色图像以及金属表面成像等。 相似文献
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存储网络解决方案供应商McDATA日前在中国正式宣布其收购ComputerNetworkTechnology(CNT)后的市场发展战略和产品规划蓝图。收购CNT后,McDATA将原有的IntrepidDirector、Sphereon光纤交换机、EclipseSAN路由器以及安全和管理软件,与CNT的UltraNet延伸产品、Rep-licationAppliance、矩阵交换机及专业支持服务更好的整合,在超高可用性导向器类产品、渠道拓展服务和远距离安全数据传输方面,为用户和合作伙伴提供更好的数据中心专业服务。McDATA全球营销高级副总裁韦恩·莫里斯表示:“此次收购是McDATA加速实施‘全球企业数据… 相似文献
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王琳 《激光与光电子学进展》1986,23(8):45
东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 ℃高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米的输出小晶面上产生2.1瓦功率。砑究者相信可提高到20瓦。该公司将在OTD12中运用这项新技术。 相似文献
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《激光与光电子学进展》2001,(1):16-17
在此领域研究了下列问题:
·激光加工材料的基础;
·激光排除材料(打孔、切割等)技术;
·材料表面的激光改性技术;
·激光焊接工艺;
·控制和测量装置;
·工业应用;
·加工材料用的新型激光器。
大多数报告是有关金属深熔的状态和以切割和焊接为目的的合金状态,反映了世界对这些过程兴趣的提高。 相似文献
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高功率钕玻璃激光系统为了研究强激光辐射与物质的相互作用,以及很多其他的实用目的(热核聚变、同位素分离、X射线激光器等等),在不同的科研中心建造了输出孔径大、辐射亮度高的磷酸盐钕玻璃高功率激光系统[1~6]。但大多数这类已运转的系统都是激光束直径逐级放... 相似文献
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高功率二极管抽运YLF系统采用近场注入、近场输出的离轴双程放大结构,激光头采用微透镜准直LD发出的抽运光,Lensduct汇聚抽运光,并利用匀束器改善抽运光的空间分布,达到对YLF均匀抽运.
对该系统进行了模拟计算,表明系统在注入能量为22 μJ时,输出为180 mJ,系统的净增益约为3000倍,光束畸变很小.
实验研究得知:对激光头单独研究表明,微透镜将LD快轴方向的抽运光由超过40°准直为10°以下,lensduct的耦合效率达到75%,其光-光转换效率为24%;系统的静态损耗为45%,系统的单通增益为9,净增益为3600倍,在注入能量为40 μJ时,输出能量为近150 mJ.(OC18) 相似文献
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为了利用现有方瓦级CO_2激光器获得尽可能高的功率密度,以便进行强激光与物质相互作用研究以及远场试验,我们立足于国内的红外材料,研制了一套高功率强激光准直聚焦系统,已在实验室运转使用并对外开放。 相似文献
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张荣康 《激光与光电子学进展》1980,17(7):30
研究了用低损耗光纤传输高功率激光束(Nd:YAG, λ=1.06徼米)的特性。指出了低损耗塑料包层石英玻璃芯纤维能够传输甚至象160瓦连续激光和120千瓦(峰值)脉冲激光这样的高功率而不会发生任何损伤。至于用光纤传输这种高功率激光的应用,用传输的激光辐照硅衬底巳经实现半导体硅处理。发现处理的硅表面是均匀的,处理的斑点具有清晰的边缘。 相似文献
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高功率高亮度半导体激光器件 总被引:1,自引:2,他引:1
由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域.为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一.进行国内连续808 am两半导体激光迭阵耦合实验.采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2 min×2 mm,总体输出效率大于50%.国内没有对迭阵进行耦合实验的报道.为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中. 相似文献