电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命

<正>近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p~+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论.     

少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性

提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构.利用普通的p+nn+二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的MLD快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域.     

少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性

提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构.利用普通的p+ nn+ 二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的ML D快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域.     

用微波反射法测HgCdTe中少数载流子寿命

介绍了用微波反射法测量ＨｇＣｄＴｅ中的少数载流子寿命,分析了其测量原理,并与接触式的光电导衰减法进行了比较。     

特制多孔硅的较低的反射率和较高的少数载流子寿命

Solar cell grade crystalline silicon with very low reflectivity has been obtained by electrochemically selective erosion.The porous silicon（PS） structure with a mixture of nano-and micro-crystals shows good antireflection properties on the surface layer, which has potential for application in commercial silicon photovoltaic devices after optimization.The morphology and reflectivity of the PS layers are easily modulated by controlling the electrochemical formation conditions（i.e., the current density and the anodization time）.It has been shown that much a lower reflectivity of approximately 1.42% in the range 380-1100 nm is realized by using optimized conditions.In addition, the minority carrier lifetime of the PS after removing the phosphorus silicon layer is measured to be ～3.19 μs.These values are very close to the reflectivity and the minority carrier lifetime of Si3N4 as a passivation layer on a bulk silicon-based solar cell（0.33% and 3.03 μs, respectively）.     

用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间(trr)、反向恢复软度因子(S)、正向压降(VF)、漏电流(IR)等各个单项性能的影响,以及对trr-S、trr-VF和trr-IR等各项性能综合折衷的影响.这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值.     

用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间( trr)、反向恢复软度因子( S)、正向压降( VF)、漏电流( IR)等各个单项性能的影响,以及对trr- S、trr- VF 和trr- IR 等各项性能综合折衷的影响.这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值.     

双层硅外延片在大功率器件中的应用

主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用，并介绍了具体工艺方法。     

DVI接口在电视机及显示器中的应用

在现代的家庭影院中，常用的视频信号源如PC、DVD、HDTV机顶盒等，它们的数据都是数字的。显示器件如LCD显示器和LCD、LCoS、DLP电视等均采用数字的显示方式。目前，它们之间的连接大都使用模拟方式，如VGA、分量端子等。有一种新型的接口，在数字信号源与数字显示之间的连接使用数字方式，它就是DVI接口。     

硅基光子器件研究进展及其在光陀螺与光通信中的应用

光通信对高带宽要求的不断增强以及计算机芯片对高性能计算的不断需求刺激了硅基光子器件的发展,使之向集成化、低成本方向发展,并取得了一系列重要的理论和技术突破.综述了近期硅光子器件如硅基光源、放大器、光调制器的最新研究进展,并对现有技术在未来光陀螺及光通信中的应用进行了分析和设计.设计了一种三维有源谐振环结构以实现全集成化的谐振式光波导陀螺,展示了硅基光子器件在光陀螺及光通信应用等方面的广阔前景.     

多孔硅电致发光及在显示中的应用

本文研究和讨论了多孔硅的制备及电致发光，并对多孔硅制作欧姆接触作了一些改进，对多孔硅在信息显示中的应用做了展望。     

可编程逻辑器件在电力电子控制技术中的应用

随着电力电子技术的发展,电力电子控制技术逐渐向智能化和高效性方向发展。在电力电子控制技术中的信号处理领域中可编程逻辑器件得到了广泛的应用,可编程逻辑器件具有处理速度快的特点。文章对可编程逻辑器件的特点和应用进行了分析,结合可编程逻辑器件的高速度和高集成性的特点,提出了可编程逻辑器件在电力电子控制技术中的应用的设计方案,对可编程逻辑器件在电力电子控制技术中应用进行了分析和研究。     

椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用

介绍了椭圆偏振光谱（ＳＥ）的原理,给出了椭偏仪在离子注入半导体的辐照损伤研究中的应用和局限。研究表明,结合其它分析手段并建立精细的椭偏模型。椭圆偏振光７谱能定量测量各层结构的厚度、成分、气孔率和光学常数。     

多孔硅制备方法新进展及在微传感器中的应用

对近几年国内外出现的几种多孔硅制备方法和装置．特别是电化学方法如旋转电解槽法、电偶电流法和双电解槽法进行了详细的介绍，并对它们各自的优缺点进行比较和分析，认为电化学刻蚀技术因为其特殊的优势，将在以后的发展中得到更广泛的应用。多孔硅由于其独特的物理、化学和光学性能及技术优势，已经在微传感器领域得到广泛的应用。     

Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展

目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。     

微米硅-石墨-碳负极的制备及在锂离子电池中的应用

硅作为锂离子电池负极的理论比容量是商用碳材料的10倍以上,但是其在循环过程中的巨大体积变化会导致电池负极粉化,形成不稳定的固体电解质界面(SEI)膜,从而阻碍硅负极材料的实际应用.以价格低廉的微米硅作为原材料,石墨和聚丙烯腈作为碳源,采用球磨、液相包覆和热解的方法,制备了微米硅-石墨-碳(Si-G-C)复合材料.所制备...     

多孔硅的光电性质及在太阳能电池中的应用

论述了多孔硅电化学和化学的腐蚀机理以及多孔硅的光电性质,提出多孔硅在太阳能电池应用中存在的一些实际问题。