B位Sn4+取代铌锌酸钡陶瓷及其介电性能

向铌锌酸钡中添加适量的锡酸钡,使Sn4+取代B位的Zn以改善其介电性能。锡酸钡为立方钙钛矿结构,正值温度系数τC约为+190×10–6℃–1。锡离子的引入会增大钙钛矿晶胞中B位阳离子的平均半径,致使氧八面体阴阳离子间的空隙减小,降低晶格的非简谐相互作用,造成衰减因子γ减小,tgδ降低。当锡酸钡添加量(摩尔分数)为0.226或0.32时,其τC接近于0,τf位于(–5～0)×10–6℃–1。     

锌硼玻璃基低温共烧陶瓷的微波介电性能研究

采用3ZnO-2B2O3玻璃与Al2O3和TiO2复合烧结制备了锌硼玻璃基低温共烧陶瓷复合材料,研究了TiO2/Al2O3质量比对所制复合材料相组成和微波介电性能的影响.结果表明:随着TiO2/Al2O3质量比减少,复合材料中ZnAl2O4相含量增多,TiO2相含量减少,4ZnO·3B2O3相的含量基本不变.随着TiO...     

钛酸锌微波介电陶瓷的改性研究现状

对钛酸锌介电陶瓷的改性研究进行了综述,分析了形成固溶体、生成新的化合物和添加助熔剂对钛酸锌陶瓷的烧结性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,形成无限固溶体的陶瓷主晶相为六方相,微波介电性能优良,但烧结温度偏高;添加助熔剂虽改善了烧结性,但主晶相与加入量及烧结温度有关,微波介电性能随主晶相变化。据此提出了复合改性的设想。     

钛酸锌镁介质陶瓷的制备与介电性能

采用固相合成法制备了Mg0.22Zn0.78TiO3(简称MZT)化合物陶瓷粉体,研究了烧结助剂及Ca O掺杂对MZT介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的Ca O能改善MZT陶瓷的介电性能,加入质量分数为10%烧结助剂,能获得一种能在较低温度下烧结的MZT系瓷料,烧结温度为1 000℃时,测得陶瓷样品的最佳介电性能:相对介电常数约为21,介质损耗小于1.5×10-4,介电常数温度系数符合C0G瓷料的要求。     

不同制备方法对PMN-PT陶瓷相结构与显微结构及介电性能的影响

本文采用熔盐法,传统氧化的混合法和二次合成法制备了0．8PMN-0.2PT陶瓷,研究了它们对其相结构,显微结构和介电性能的影响,结果表明：熔盐法制备的陶瓷不仅能获得纯钙钛矿相结构,而且介电性能更优越。     

钛酸锆-铌酸镁系高频介质陶瓷的制备及介电性能的研究

采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05～0.30)高频介质陶瓷。XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构。瓷片在1 430～1 470℃之间烧结。讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃。在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗。相对介电常数在26～34之间。配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×104。     

CuO对β-BZT陶瓷结构与介电性能的影响

在三元系单斜焦绿石相微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(简称β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其对材料的结构和介电性能的影响。研究发现,添加CuO能降低烧结温度,w(CuO)<0.3%不会导致样品的密度降低和出现第二相,并能很好保持β-BZT的介电性能。w(CuO)为0.1%的样品烧结温度仅为950℃,其微波介电性能参数为:εr约为63,Q约为1191(4.5GHz)。     

添加CuO对Zn_2SiO_4陶瓷微波介电性能的影响

研究了固相添加CuO对Zn1.8SiO3.8陶瓷的烧结温度、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。结果表明,CuO的加入有助于降低Zn1.8SiO3.8陶瓷的烧结温度,Zn1.8SiO3.8陶瓷的烧结温度从1 350℃降到1 000℃。其中掺杂w(CuO)=5%(质量分数)的Zn1.8SiO3.8陶瓷,在1 000℃烧结3h可获得结构致密的烧结体,且微波介电性能达到最佳:介电常数εr=6.5,品质因数与频率之积Q·f=39 373GHz,频率温度系数τf=-48×10-6/℃。     

BNN对BZN系统结构和介电性能的影响

研究了Ba（Ni1／3Nb2／3）O3（BNN）对Ba（Zn1／3Nb2/3）O3（BZN）系统结构和介电性能的影响。系统的主晶相为立方钙钛矿结构的BZNN，并有少量第二相如Ba5Nb4O15，BaNb2O6等。实验表明，引入适量的BNN可以调整BZN的温度系数，且能有效改善其介电性能，当BNN摩尔分数为0．7时，于1450℃，1500℃烧结时性能最好。系统在较高温度下（1550℃）烧结时形成富Nb液相区。     

ZnO—B2O3—SiO2系统的相结构与介电性能的研究

对ZnO-B     

富钛型钛酸锶钡基陶瓷的微观结构与介电性能

采用传统固相法制备Nd2O3掺杂富钛型(Ba0.75Sr0.25) Ti1+xO3(x为摩尔比)陶瓷,通过扫描电镜及LCR测试系统,研究不同x值、Nd2O3掺杂量及烧结工艺对钛酸锶钡基陶瓷微观结构与介电性能的影响。结果表明,随着x值及Nd2O3掺杂量增大,陶瓷试样均出现柱状第二相。当x=0.01且w(Nd2O3)=0.4%时,陶瓷试样经1 250 ℃烧结2 h后,其室温相对介电常数(εr)高达8.67×103,介电损耗(tan δ)仅为7.87×10-3。随着x值及Nd2O3掺杂量增大,陶瓷的居里峰显著移动。     

Sb_2O_3对富钛型钛酸锶钡基陶瓷结构及性能的影响

采用传统固相法制备Sb_2O_3掺杂(Ba_(0.7_Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3系介电陶瓷,通过扫描电镜、X线衍射仪及LCR测试系统,研究不同含量的Sb_2O_3及烧结工艺参数对TiO_2过量的钛酸锶钡体系微观结构及介电性能的影响。结果表明,随Sb_2O_3掺杂量增大,(Ba_(0.7)Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3陶瓷由立方钙钛矿结构单相固溶体转变为多相化合物。在TiO_2过量的(Ba_(0.7)Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3陶瓷中,Sb~(3+)进入钙钛矿晶格A位。Sb_2O_3添加量较大时,(Ba_(0.7)Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3基陶瓷晶粒异常长大,粒径分布不均匀,且有柱状晶粒出现。随Sb_2O_3掺杂量增大,(Ba_(0.7_Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3基陶瓷居里温度及介电常数峰先增大后减小。提高(Ba_(0.7_Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3基陶瓷的烧结温度并延长保温时间有利于改善Sb_2O_3掺杂量较高时(Ba_(0.7_Sr_(0.3))Ti_(1.005)O_3基陶瓷室温的介电性能。     

CMLST-x晶体结构和介电性能研究

采用传统固相反应法制备(16-x)CaO-xMgO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO2(1≤x≤16,简写为CMLST-x)陶瓷,用X-射线衍射(XRD)和扫描电镜研究其晶体结构及微观形貌。在高频下,CMLST-x陶瓷随MgO取代量从1增大到16,介电常数rε从112.1降为38.6。且在取代量x=12时,rε=42.6,介电损耗最小值为0.001 2。     

A和B位替代对BaO-Ln2O3-TiO2陶瓷性能的影响

介绍了A位、B位及A、B位共同替代对BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷性能的影响。指出A位替代和A、B位共同替代能有效改善陶瓷的性能,单纯B位替代不利于陶瓷性能的改善。A、B位替代影响陶瓷的性能与大的溶限因子和电负性差异有关,但其机理和替代前后的固溶体结构还有待进一步研究。     

Zn-Nb-O微波介质陶瓷的结构与性能研究

采用传统固相反应法制备(1-x)(0.7ZnNb2O6-0.3Zn3Nb2O8) xZnAl2O4 (摩尔分数x=0~10%,ZZZ)微波介质陶瓷,研究了其物相组成、晶体结构及微波介电性能。结果表明,ZZZ材料能在1 150 ℃烧结成瓷,形成了ZnNb2O6、Zn3Nb2O8和ZnAl2O4共存的复相结构,无其他新相生成。在微波频率下,ZZZ陶瓷的介电常数为21~24,品质因数与频率之积(Q×f)为30 000~85 000 GHz。随ZnAl2O4含量的增加,ZZZ陶瓷的微波介电常数、Q×f值及谐振频率温度系数均减小,温度稳定性提高。     

(1-x)LaAlO_3-xSrTiO_3陶瓷结构及介电性能研究

采用固相法制备了钙钛矿型(1-x)LaAlO_3-xSrTiO_3介质陶瓷,研究了其烧结特性、显微结构和介电性能。结果表明,随SrTiO_3含量增加,陶瓷主晶相由三方相变化为正交相,再到立方相;相对介电常数εr、谐振频率温度系数τf随SrTiO_3含量增加而增加,介电损耗tanδ与陶瓷相结构转变有关。当x=0.46,且在1 550℃烧结4h,试样晶粒发育良好,结构致密,晶界清晰,可得介电性能εr=35.7,tanδ=3.01×10~(-4),τf=-14.6×10~(-6)/℃。     

中温烧结(Ca0.61,Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3微波介质陶瓷制备及介电性能

研究了添加不同CuO-H3BO3含量的(Ca0.61, Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3(CNT)陶瓷的烧结行为和介电性CuO-H3BO3 能促使陶瓷在1050 ℃致官烧结而不严重破坏其介电性能.添加5wt% CuO-H3BO3的CNT陶瓷在1050 ℃烧结后具有良好的微波介电性能: εr=92,Q×f =9 250 GHz,τf=+139×10-6/℃.     

Pb/Bi复掺对Y2O3-2TiO2微波介质陶瓷性能的影响

研究了PbTiO3和Bi2Ti2O7复合掺杂对新型的具有中介电常数的Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷物相组成、介电性能和烧结温度的影响。结果表明,掺杂后的陶瓷材料主晶相仍为A2B2O7型烧绿石结构,未发现第二相,Bi3+和Pb2+共同占据Y3+所在的A位。Pb/Bi复合掺杂有效降低了陶瓷的烧结温度,当w(PbTiO3)=2%和w(Bi2Ti2O7)=8%时,烧结温度降低为1 260℃,且陶瓷具有较好的介电性能,即介电常数rε≈64,介质损耗tanδ≈3.6×10-3,品质因数与频率的乘积Q×f≈2 438 GHz。