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相似文献
 共查询到8条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
随着城市化进程的发展,城市污泥产量在大幅增长,对城市污泥开展能源化利用,不仅能够缓解生态环境压力,还能够实现污泥中热值的回收利用。综述了国内外学者对城市污泥结构特性的研究成果,分析了中国城市污泥能源化利用现状。污泥的絮体结构导致其水分含量很高,高水分含量使污泥的能源化利用难度增加,因此,改善污泥结构特性是推动污泥能源化利用的有效措施。  相似文献   

2.
利用参数研究方法,对大功率柴油机气缸盖的基本拓扑结构及其气道的参数特性进行了研究,获得了在纯机械负荷下,气缸盖的底板、顶板、中隔板、缸体丝对立墙、进排气道以及进排气侧壁的总体厚度变化对气缸盖整体应力水平的影响规律。  相似文献   

3.
生物油/柴油乳化燃料的稳定性及理化性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用非离子表面活性剂复配,对热解生物油/柴油混合液进行一系列乳化实验,测量乳化油的密度、热值、pH值.以乳化油的稳定性为实验指标,研究乳化剂种类、乳化剂用量、生物油含量对乳化油稳定性的影响.实验结果表明:在乳化温度为40℃(水浴),乳化时间为30min的条件下,以2%用量的Span80和Tween80复配乳化剂乳化生物油含量为20%的生物油/柴油混合液效果最佳.另外,随着生物油含量的增加,乳化油密度逐渐增加,热值与pH值逐渐减小.  相似文献   

4.
通过对稻秆原料进行常规特性分析和EDX元素含量分析,发现钾在稻秆无机元素中占有重要地位。参考原料化学分馏法和土壤中钾的分类与测试方法,给出了对生物质原料及其燃烧产物中钾的定性与定量简易方法。通过程序控温型固定床对稻秆先进行缓慢氧化,然后以100℃为间隔从400~900℃进行成灰,并分别测试其成灰率、有效钾和全钾的份额。结合稻秆原料及其灰中钾的份额分析,进行了稻秆灰中有效钾转化与释放的计算,发现有效钾在700~800℃之间有快速的释放和形态转变。稻秆灰的XRD分析结果表明秸秆灰中钾主要以KCl、K_2SO_4形式存在,得到了钾以盐的形式进行转化与释放的机理。该文中燃烧温度对钾转化与释放的影响规律对设计秸秆电厂时的炉型选择和燃烧参数确定有一定参考价值。  相似文献   

5.
选用松木、杨木、玉米秸秆和稻壳4种生物质为原料,采用3%(体积分数)乙酸溶液进行洗涤除灰后,进行快速热解实验,对比研究酸洗预处理对4种生物质热解焦物理化学特性的影响。结果表明:乙酸酸洗可有效去除松木、杨木、玉米秸秆和稻壳灰分中的大部分无机元素,从而促进热解过程中挥发分的释放、显著改善热解焦的表面化学特性。酸洗可促进热解焦孔隙结构的形成,提高比表面积和总孔容积,但会使平均孔径减小,这表明酸洗主要提高微孔率,对微孔的形成有较大的促进作用。同时,酸洗使得更多的含氧官能团保留在生物质热解焦表面,这种影响对玉米秸秆和稻壳尤为明显。气化焦油的吸附实验结果表明酸洗后热解焦的吸附能力有所增加。  相似文献   

6.
不同络合剂对化学水浴法制备ZnS薄膜性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳电池用ZnS薄膜性能的影响。研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子的络合能力最强,无法生成ZnS薄膜,而以肼与柠檬酸钠为络合剂时,成功制备成ZnS薄膜。结果还表明,采用柠檬酸钠为络合剂,在搅拌条件下制备出的ZnS薄膜适用于CIGS太阳电池的过渡层。最后实验利用FE—SEM、XRD、紫外—可见光吸收谱,透射谱和反射谱研究了ZnS薄膜的性能。  相似文献   

7.
透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。  相似文献   

8.
李素敏  赵玉涛  张钊 《太阳能学报》2007,28(11):1233-1238
室温条件下,采用磁控溅射法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电膜,XRD表明ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。研究了溅射功率、氩气分压、溅射时间及衬底负偏压等溅射工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响,得出最佳溅射参数分别为:功率100W,氩气分压0.1Pa,溅射时间60min,衬底负偏压40V。结果表明:磁控溅射制备的ZnO:Ga膜附着性良好,电阻率为9.4×10~(-4)Ω·cm,可见光透过率为78%。  相似文献   

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