半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

半导体器件原理及特性教学探讨

模拟电子电路的核心原件是半导体器件，因此对半导体器件原理及特性的掌握至关重要。学生入门便是接触半导体器件知识，通常感觉生僻难懂、学习吃力，对以后器件的应用更是无法得心应手。本文主要介绍作者对这部分内容的教学心得，力主由简到繁，并把半导体器件知识串接起来，让学生便于理解与识记。     

半导体器件流体动力学模型研究

主要讨论了亚微米半导体器件模拟的流体动力学模型方程的建立过程。流体动力学模型由玻尔兹曼传输模型方程的矩推导而来，对玻尔兹曼传输模型采用不同的物理假设和数学近似，可以得到不同形式的流体动力学模型。同时，对各种不同形式的流体动力学模型的相互转换关系进行了系统分析，给出了半导体器件各种输运模型的适用范围等特性，为通用亚微米半导器件模拟软件的模型选择提供了参考依据。     

微电子领域工艺,器件,电路,CAD技术

本文较全面地介绍了微电子工艺模拟、半导体器件模拟、及电子电路模拟在微电子领域中的应用     

77K MOS器件计算机模拟及软件实现

本文分析了半导体器件物理参数的低温模型，对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑，提出了适于低温器件模拟的误差限方法，并将该方法以及低温模型参数插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行数值试验，得到了低温ＭＯＳ器件模拟软件ＤＷＭＯＳ。本文给出了ＤＷＭＯＳ部分运行结果。     

基于遗传算法的半导体器件模型参数提取

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。     

脉冲激光诱发单粒子效应的机理

利用脉冲激光模拟单粒子效应是近年来兴起的一种新型的单粒子效应地面模拟手段, 研究了皮秒脉冲激光与半导体器件相互作用的方式以及诱发单粒子效应的机理, 并针对实验中常用的Nd:YAG和Ti:Sapphire两种激光和硅半导体器件进行了计算及比较分析, 同时根据计算结果提出了模拟实验中脉冲激光参数选择的主要依据和典型的参数范围.     

半导体器件模拟中求解载流子方程的混合算法

针对半导体器件模拟中载流子方程两种基本算法在高注入条件下的不足，提出了一种混合算法。经过理论分析和实际计算表明：这种算法对求解高注入条件下的载流子方程是有效的。     

77K下硅中杂质电离率的计算

用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。     

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，概述了半导体材料的划代，综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展，并展望了未来的发展方向和前景。     

SCR在励磁系统中三相桥式全控整流电路上的应用

从20世纪50年代开始，电力半导体器件不断发展，从半控到全控，低电压到高电压，小功率到大功率。同时，由于电力半导体器件的调节质量高、动作快、调整方便、造价低、噪音低和维护方便等优点，它也应用于越来越多的领域。在电力系统中，电力半导体器件的应用就更加普遍。本只是对电力半导体器件SCR在电力系统励磁调节中的三相桥式全控整流电路上的应用进行分析。     

模拟HBT电流增益截止频率新方法

从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率的定义，模似计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了电流放大系数随频变化的复平面图。     

三维热传导型半导体器件瞬态问题的修正迎风差分格式

考虑了三维传热导型半导体器件瞬态问题，对电场位势和热传导方程给出中心差分格式，对电子和空穴浓度方程给出修正的隐式迎风差分格式，利用线性外推处理不同时间步长，并证明了格式的收敛性。     

带p-n结半导体器件飘流扩散模型的拟中性极限

研究了模拟带p-n结的绝缘半导体器件的双极飘流扩散方程组的德拜长度、消失极限(拟中性极限).同时给出了扩散方程组的极限解.     

微波对半导体器件破坏机理：一维器件模型及稳态处理

本文在半导体器件理论的基础上,建立了微波对半导体件破坏机理研究的一维器件模型,讨论了有关计算机数值模拟的处理技巧,并给出了差分方程组。     

实时仿真在模拟电子线路教学中的应用探索

电子技术是研究各种半导体器件的性能、电路及其应用的学科,应用面极其广泛,具有自身的理论和实践体系,模拟电子线路是电气、电子信息类等专业本科学生必修的一门专业技术基础课.由于半导体器件和模拟电路种类繁多,性能复杂,分析和设计方法具有很强的工程性和实践性,初学者往往感到这门课程很难学.本文对将Multisim仿真软件引入模拟电子线路理论教学中,将复杂电路进行实时的仿真设计和分析,使学生能够直观的了解电路工作原理和更加容易的理解相关概念.通过对授课学生的学习反馈调查,学生反应较好,此方法非常适合模拟电子线路课堂教学.     

静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.     

贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等     

市场趋势

半导体器件外形发展动向半导体外形是半导体器件中的重要组成部分,半导体器件的可靠性很大程度上取决于其外形。为了提高半导体器件的可靠性,要求外形有尽可能小的空间,良好的散热环境、密封的外壳和便于安装在印制板上的连接。近年来,半导体器件外形封装技术主要围绕这四个方面发展,大体包括以下几点:     

有限元三角剖分的自动加密程序

本文研制了有限元三角剖分的自动加密程序。该程序可以被使用者直接用来对其初始三角剖分作局部加密,也可以作为有限元自适应计算系统中的一个模块。文章还给出了一个在半导体器件模拟中的应用实例。