超晶格

所谓超晶格是指1970年江崎玲於奈博士同R.Tsu博士一起提出的人工超晶格物质而言。它是把两种半导体物质,厚度大约按着电子的德波罗意波长,周期地重叠起来的异质结多层薄膜。这样的物质在自然界是不存在的,它要通过分子束外延(MBE)、有机金属化学汽相淀积(MO-CVD)等晶体生长技术的不断提高才能制备出来。因为这两种技术不仅能进行二维晶体生长,并能控制到单分子层量级。     

超晶格器件

超晶格器件(Super Lattice)不是用天然材料制作的,而是用新的人工超晶格材料作成的器件。它是一种新的功能器件。随着半导体技术的迅速发展,可高精度地制作半导体超薄膜和多层结构。1955年Schrieffer预言电子限制在这种超薄膜中可产生异常性质;1966年Fowler等人发现了在甚低温状态下工作的Si—MOS—FET中电子的驻波状态;60年代后期制成了半导体异质结;1970年江崎等人实现了厚度与电子波长相当的超晶格结构。超晶格结构的形状图示于图1。以后用异质结     

超晶格材料

本文了与当今研究超晶格材料相关的几个重要问题。     

GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料电子态研究

本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料<110>方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了带边状态密度在超晶格每一层的分布情况,计算了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格的能隙随厚度、组份的变化趋势。研究结果表明:薄层超晶格与具有相同化学组份的混晶的电子结构基本相同,能隙边状态密度偏重于分布在超晶格的GaInPAs原子层内。     

低温电镀铁层的XTEM研究

低温电镀铁层的ＸＴＥＭ研究许晓磊王亮扈心坦黑祖昆（大连海事大学，大连１１６０２４）低温电镀铁广泛用于修复受磨损及腐蚀的零部件。镀层与基体的结合强度可达３５．６ｋｇ／ｍｍ２。表面硬度根据要求可达ＨＶ０．１５００—７００。镀铁层较厚，外层晶粒细小，制备完...     

超晶格半导体激光器

南卡罗来纳州立大学和桑迪亚国家实验室已用应变层超晶格制作半导体二极管激光器，其发射波 长约为1 μm。据研制人员说，超晶格方法可以提高二极管激光器设计的灵活性，可以使用与衬底非晶格匹配的化合物。虽然对黄绿波长超晶格激光器的可能性有些推测，但最可能的应用也许是几年后在1.3或1.5 μm波长的集成光路方面。     

半导体超晶格太赫兹倍频器研究

提出一种基于电场驱动的GaAs基微带超晶格高阶谐波产生的太赫兹倍频器,利用平衡方程方法分析了倍频器在磁场下峰值功率输出和在参数空间(E_dc,E_ac)的分布情况。研究表明,在(E_dc,E_ac)的参数平面内,磁场对二次和三次谐波功率的峰值影响不大,但磁场会拓宽谐波输出功率的峰值区域,提高在(E_dc,E_ac)参数空间内输出峰值功率的概率。当E_ac确定时,谐波发射功率峰值的位置会受到直流电场产生的布洛赫振荡频率f_B、交流电场产生的调制布洛赫振荡频率f_MB和磁场引起的回旋振荡频率f_c的影响而发生变化。研究表明,基于半导体超晶格的太赫兹倍频器是很有应用潜力的太赫兹波发生器件。     

超晶格晶格振动的改进的线性链模型

本文证明了只要考虑了次近邻原子间的力相互作用,线性链模型能够统一地、定量地描述超晶格中声学模和光学模的频率和振动模式.理论结果与实验以及其它精确的理论计算符合较好.最后讨论了喇曼散射的强度.     

超晶格雪崩光电二极管

已经提出了几种可以提高载流子离化率比的超晶格雪崩光电管:量子阱雪崩光电管、台阶型雪崩光电管和掺杂量子阱雪崩光电管。这几种器件都主要是利用异质界面带隙突变导致的电子离化几率相对于空穴离化几率的显著增大,从而可以获得低的雪崩噪声和高的增益—带宽乘积。本文概述了这几种器件的结构、工作原理以及结构参量对器件性能的影响。     

超晶格雪崩光电二极管

报道了超晶格雪崩光电二极管的工作原理,结构,特性及其制造工艺。     

超晶格雪崩光电二极管

报道了超晶格雪崩光电二极管的工作原理、结构、特性及其制造工艺。     

半导体超晶格的光电性质

本文介绍了半导体超薄膜中量子效应的基本原理及半导体超晶格的光电性质,结语中概述了其应用。     

化合物半导体超晶格结构

在半导体材料中,人为的周期势场可以改变半导体的物理特性。这一超晶格(Super-lattice)的基本概念是由 Kelclysh 在一九六二年建立的。Esaki 和 Tsu 提出了把厚度相当于德布罗意波长(λ=h(2m~*E)~(1/2)(?)10nm)的两种类型的半导体薄膜依次叠置可以得到实际超晶格的构想。自从 Arthur 和 Cho 等人创立分子束外延(MBE)技术以后,使原子     

更长波长的超晶格激光器

半导体激光器是现代光电子学和光通信的关键部件之一。除运转于中红外（２～２０μｍ）的半导体激光器外，从可见光到近红外（０．５～２μｍ）波长的多数工作对气体传感之类应用（如污染控制和工业、化学过程控制）都是有益的。这些较长波长的激光器主要以铅盐半导体为基...     

应变和成份调制超晶格的CBED研究

由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时,则为也变调制的超晶恪,如In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格。最近我们用会聚束电子衍射(CBED)研究了成份调制的超晶格AlAs/GaAs和应变调制的超晶格In、Ga_(1-x)As/GaAs的运动学和动力学衍射效应。     

量子阱激光器超晶格缓冲层的研究

在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。