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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30° 相似文献
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自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD研究和应用现状。 相似文献
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具有GRIN—SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文给出了具有GRIN-SCH结构量子阱激光器的光波导模型和详细的数值计算方法,并计算分析了AlxGa1-xAsGRIN层中Al浓度和GRIN层厚度对等效折射率的影响,给出了GRIN层厚的最佳值范围;给出了宽接触InGaAs/AlGaAsGRIN-SCH量子阱激光器的近场分布三维图形,并由近场分布通过快速傅里叶变换求出了远场分布。计算得到的近、远场分布图形与实际器件测试得到的结果相符合。 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的基本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄渴束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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本文综述了量子阱应变层异质结构的大功率半导体激光器的优化特性,阐述了大功率激光器的一些重要应用,比如用808nm波长的大功率激光器可作为泵浦光源代替庞大的氙灯泵浦系统,还可以用作激光核反应的前级大功率激光漂;大功率半导体激光器发射的波长可以精确地控制在980nm,并能高效率地耗合到光纤中去,有很高的泵浦效率,从而半导体激光泵浦的光纤放大器为光通信技术的发展作了突破性贡献,大功率半导体激光器还在军工 相似文献
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