热载流子退化对MOS器件的影响

介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验，针对具体的工艺线，提取了MOS管加速寿命试验的模型参数，以阈值电压变化10mV为失效判据，分别对0．8μm和0.6μm工艺线的热载流子注入效应进行了评价。整个测试过程由程序控制，设备精度高，使用简便，适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价。     

华润上华推出高性价比0．25微米Scalable BCD工艺平台

华润上华科技有限公司宣布已完成0．25微米ScalableBCD工艺平台开发,其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求,进一步提高了华润上华BCD系列工艺平台的技术优势。华润上华的0．25微米ScalableBCD工艺平台为0．5微米前段制程与0．25微米后段制程,由之前0．25微米24VBCD工艺平台延伸而来,     

0.18μm晶体管的可靠性技术

在0．18μm及其以下的晶体管中,如果半导体生产厂不积极进行内建可靠性设计,就不能向用户提供更大规模的LSI。在0．35μm以上的晶体管中,无论是nMOS还是pMOS都是采用把概电极掺杂在n+中的n－n栅工艺。虽然有工艺简单的优点,但是,也存在pMOS的阈值电压控制难的缺点。为了把pMOS的阈值电压控制在0．5V左右,必须在n沟的沟道表面导入浅浅的p层。通常,p层用离子注入法形成,但是,在实际的工艺中,p层的厚度要达到0．1μm以下是相当困难的。因此,一旦晶体管的有效沟道长度达到0．ZUm左右,晶体管的穿通与亚阈值系数就会发生恶化…     

垂直导电VMOSFET阈值电压的设计与工艺控制

本文讨论了VMOS场效应功率晶体管阈值电压的设计和工艺控制问题,同时介绍通过半导体工艺参数的统一调整有效控制阈值电压的方法.     

和舰12英寸晶圆锁定0．15微米工艺

苏州和舰科技可望在2005年年初完成12英寸晶圆生产线，据悉已经与前后段设备商完成议约，最快今年下半年可以完成无尘室等前段设备机台移入，初期以0．15微米铝导线工艺投产。现阶段在既有8英寸厂展开0．15微米铝导线工艺，锁定北美手机用DSP、显卡芯片与FPGA等产品线为工艺开发重点；至于0．13微米工艺进度，须视先进工艺市场需求而定。     

采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压

采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.     

S2C与Phyljnks一起为中国带来高速PHY IP的解决方案

S2C日前宣布与Phylinks，一起在中国推广一系列的PHY IP。Phylinks的IP产品包括了PCI Express Gen1，Gen2；SATA Gen1，Gen2；USB1．1，2．0．OTG：IEEE 1394a，以及高速的SerDes PHY。Phvlinks的IP已经被应用到世界上超过2000万颗基于不同工艺的芯片中，这些工艺范围从0．25微米到65纳米。     

2010年前中国将成为全球IC制造中心

有消息称，Applied Materials亚洲区总裁Davidwang日前表示，在未来的3年内，中国将建立30家硅晶片工厂。其中绝大多数将基于0．25微米和0．13微米制造工艺。     

中小批量ASIC加工线提高成品率的研究

本文以中国华晶中央研究所1．0微米工艺线为例，探讨了国内中小批量ASIC加工线提高成品率所考虑的几个因素，并介绍了电话机拨号电路9145在开发阶段，为提高成品率所面对的几个问题及解决方法。     

0．5μm OTP工艺开发与器件特性研究

文章对0．5μm一次编程存储器（OTP）存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究。在一定的编程条件下,编程0．1ms时器件的阈值电压能够大于6V,控制栅或漏极加电压10s时阈值电压退化量小于0．1V,因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求。通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅（ONO）的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施,存储单元的数据保持能力能够大于10年。     

宏力半导体建国内首个O．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage,ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升,     

力旺推出高电压制程OTP

力旺电子宣布完成0．15微米高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。在达成此项里程碑后，力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6微米、0．5微米、0．35微米、0．25微米、0．22微米、0．18微米与0．15微米的制程技术。     

工艺制造

中芯国际上海12英寸生产线6月装机；茂德获准在大陆投建采用0．18微米工艺晶圆厂；BCD采用先进BiCMOS工艺生产单路低电压运算放大器；华虹NEC获Cypress 0．13微米NVM工艺授权；     

华虹NEC 0．162微米CIS工艺成功进入量产

上海华虹NEC电子有限公司日前宣布成功开发了0．162微米CMOS图像传感器（CIS162）工艺技术,已进入量产阶段。华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0．162微米纯逻辑工艺,1．8V的核心器件,3．3V的输入输出电路。经过精细调整集成了4个功能晶体管和光电二极管的像素单元可以提供超低的漏电和高清优质的图像。而特别处理的后端布线工艺保证了像素区高敏感性,     

一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法

随着器件特征尺寸的缩小,热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响,传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法,可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。 本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制,使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。     

中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台

中芯国际宣布推出其1．2伏低功耗嵌入式EEPROM的平台，与其0．13微米低漏电工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时，能提高数据的安全性。     

Total Dose Radiation-Hard 0.8μm SOI CMOS Transistors and ASIC

介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0．8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性，该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad（Si）的总剂量的关系来表征．实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于320mV，nMOS器件在开态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于120mV，器件在总剂量1Mrad（Si）辐射后没有观察到明显漏电，在总剂量500krad（Si）辐射下专用集成电路的静态电流小于5pA．     

华润微电子8英寸晶圆生产线建成投产

华润微电子6月5日举行了8英寸晶圆生产线落成暨投产典礼，该8英寸生产线现预期在2010年上半年第一期目标产能为3万片8英寸晶圆，至2012年，第二期目标产能将达6万片。华润微电子称，这是国内首条完全依靠自有资金和技术建设的8英寸生产线。该8英寸生产线由华润微电子所属无锡华润上华科技有限公司经营，以模拟应用为核心，与更多附加功能如高压、非挥发瞰己舷体整合。产品主要应用于消费电子、通信、电脑周边与汽车电子。目前，该8英寸生产线可提供0．35微米和0．5微米模拟工艺平台。2009年底将提升至0．16微米，并计划在2010年实现0．11微米的生产能力。     

1.0微米工艺线多品种ASIC快速加工平台技术

本文叙述了建立1．0微米工艺线多品种ASIC快速加工平台的必要性，介绍了建立加工平台技术的几个要素，重．杰介绍了加工平台技术中多工艺模块的实现过程、工艺质量扣快速加工的保证措施，最后给出了ASIC快速加工平台的实践结果，该ASIC快速加工平台目前基本满足国内广大用户的流片加工需求，已取得了令人满意的效果。     

1微米电路的纵向剖析──扫描电镜在IC中的应用

集成电路复杂性日益提高，条宽控制越来越细，意味着要采用比光学显微镜更高分辨率的手段来观察与芯片功能休戚相关的微电路形貌。随着1．OPm及亚微米工艺的研究与应用，人们对检测工艺提出了越来越高的要求。在诸如侧壁、角度、形貌等方面，原有的平面检测工艺已经不能满足要求，只有借助扫描电镜，对样品进行剖面分析，才能满足1微米工艺检测的要求。因此，随着工艺的发展，扫描电镜在IC中的作迅也就日益突出，成为不可缺少的重要检测手段。一、扫描电镜的工作原理扫描电子显微镜简称扫描电镜（ScanningElectronMicroscope，SEM）。扫…