A Wave Approach to Signal and Noise Modeling of Dual-Gate MESFET

A new procedure for signal and noise modeling of dual-gate MESFET is described in this paper. The small-signal model is based on two cascoded single-gate MESFET intrinsic equivalent circuits embedded in a network representing device parasitics. The wave interpretation of noise is used for defining the noise parameters of each single gate MESFET. Applying this approach, a CAD oriented procedure for extracting the dual-gate MESFETmodel parameters as well as the noise wave temperatures is developed. Modeled scattering and noise parameter characteristics are comparedto the measured ones and quite a good agreement is observed.     

GaAsFET大信号模型与参数提取

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。     

异质结双极晶体管高频噪声建模及分析

提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响.     

异质结双极晶体管高频噪声建模及分析

提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响.     

线性调频信号和噪声调频信号性能对比分析

介绍了线性调频信号、噪声调频信号和匹配滤波的原理,对线性调频信号和噪声调频信号进行了时频域计算机仿真,并对两种信号加窗前后脉冲压缩的主副比、主瓣展宽等进行了对比分析,总结了两种调频信号的适用性.     

基于宏模型的同步开关噪声仿真分析

同步开关噪声(SSN)对具有上百个输入/输出端口的高性能FPGA系统具有很大的影响,已经成为深亚微米设计所必须考虑的主要问题之一.由于没有考虑电压反馈效应,IBIS模型在仿真SSN时,总是过高估计电源噪声、地噪声和静线噪声.为提高IBIS模型仿真SSN的精度提出了一种改进的方法,利用自研发的工具SSWI(SSN simulation with IBIS)获得了自动IBIS优化模型.利用美国北卡州立大学开发的工具S2IBIS直接从SPICE模型中提取了IBIS模型,与SPICE模型仿真结果验证了该方法的有效性,采用该法可以提高IBIS模型仿真SSN的精度60%～70%.     

智能控制的技术,方法及特点分析

文中通过专家系统，模糊逻辑，神经网络，遗传算法，自适应控制，自组织控制，学习控制及其混合技术的分析，研究了智能控制的各种控制方法及其特点。种种技术的结合及综合交叉结合使得智能控制系统和智能控制器的设计形式呈现丰富多彩的局面。智能控制策略的多样化为智能控制的应用提供充分的保证。     

A Fast Macro-Model for Substrate Coupling and Ground Bounce Induced Substrate Noise Simulation in Mixed Signal VLSI

This paper discusses a novel substrate modeling technique for the simulation of substrate noise in mixed signal VLSI systems. This model yields to easy merger with the SPICE simulation netlist for the complete pre and post layout estimation of substrate noise effects in large mixed signal VLSI chips. Compared to previous numerous efforts in substrate noise modeling ranging from finite element methods (FEM) to boundary elements methods (BEM), this model, based on a finite sheet resistor slicing scheme also incorporates the effect of supply rail bounce due to bonding wire inductances, and, provides realistic estimates of substrate noise effects with a high degree of computational efficiency. Substrate noise simulations were done using a 0.18 m TSMC CMOS process technology using typical process parameters. A differential switched capacitor sample and hold circuit and a linear differential transconductor stage was used for the performance evaluation of this novel substrate model. Simulation results indicate a typical increase in Total Harmonic Distortion (THD) by atleast 6 dB due to the substrate noise effects, which corresponds to a performance loss by around 1-b precision. Also, the substrate noise effects are found to be proportional to the oversampling ratio (i.e., the digital clocking rate with respect to the input signal) and the net number of logic transitions at each register transfer instance in the mixed signal chip.     

非高斯非平稳背景噪声中的信号检测研究

非高斯非平稳噪声的干扰问题在通信过程中是经常出现的。在非高斯非平稳背景噪声下,以前经常使用经典信号检测理论对信号进行检测,很难取得较为理想的效果。基于小波变换以及小波去噪原理,提出一种新的阈值处理方法,该方法能有效地去除噪声,使有用信号能从非高斯非平稳噪声中检测出来。实验结果表明,新方法不但去噪效果明显,而且获得了较高的分辨率和信噪比,检测性能较为理想,是对信号检测理论的一种有效推广。     

信噪比时变情况下的自适应时延估计方法

本文介绍了一种自适应时延估计的改进方法，此方法用于在信噪比时变情况下，对空间上分离的两个传感器所接收的带限信号的时延估计。它的优点在于：当信噪比变化或未知时，它能对时延的变化随时做出估计。文中给出了此方法的估计精度和收敛特性。     

GaAs MESFET/PHEMT大信号建模

大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的Cold FET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.     

混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应

衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能。系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等不同层次衬底噪声耦合效应的抑制方法与技术,同时对将来衬底噪声研究的发展方向以及新思路进行分析与讨论。     

多层封装基板中同步开关噪声研究

文章以栅格阵列封装(land grid array,LGA)模型为研究对象,分析了多层封装基板中的同步开关噪声(simultaneous switching noise,SSN)问题。首先利用频域仿真工具PowerSI得到了键合线和信号布线的S参数模型。然后通过在电路仿真工具HSPICE中加载封装结构的S参数模型和驱动器模型来仿真同步开关噪声。最后在设计中选取在多层基板上添加去耦电容的方式来减小同步开关噪声。仿真结果表明,通过在本LGA多层基板设计中添加110pF容值的去耦电容,可以较好地减少同步开关噪声,满足设计要求。     

合成孔径激光雷达中微弱信号噪声分析与处理

关于合成孔径激光雷达中微弱光电信号的检测技术,分析了PIN光电二极管的主要噪声来源,设计了偏置电路和滤波电路;鉴于高频效应的影响,合理使用电磁屏蔽等措施。实验结果表明PIN电路的设计和电磁屏蔽的使用有效减小系统噪声,提高了信噪比,为合成孔径激光雷达的实际应用提供了依据。     

时分噪声调频干扰性能分析

时分干扰信号是时分多目标干扰和脉冲干扰中干扰信号的基本形式,对于其性能的分析很有意义。通过理论分析和软件仿真得到了时分噪声调频干扰信号的功率谱密度表达式,分析了其干扰功率和干扰带宽,得出时分干扰信号的干扰功率仅和其占空比有关,干扰带宽受干扰脉冲宽度和噪声调频有效调制带宽的影响。该分析方法同样适用于其他形式的时分干扰信号。     

GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析

在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAsHFET/PHEMT器件EEHEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.     

GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析

在分析GaAs HFET／PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上，提出了电荷守恒的EEHEMT1模型，通过Cold FET测量技术，采用在片测试技术，结合窄脉冲测试技术，提出了GaAs HFET／PHEMT器件EEHEMT1大信号模型，实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好．     

CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真

目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大。本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,从而得出通过调整开关上升时间等方法,可以有效降低地弹噪声,降低幅度可达到80％以上。     

强噪声背景下DS-SS信号检测技术

针对如何使直接序列扩频（Direct Sequence-Spread Spectrum，DS-SS）信号检测方法适应更低的输入信噪比，详细分析了平方法、时域相关法、周期谱法和高阶累积量法等现有DS-SS信号检测方法的原理和各自的特点，并应用神经网络、混沌理论和随机振动理论进行微弱DS-SS信号检测的探索。研究表明，上述方法可以用来检测DS-SS信号。     

噪声信号对AMR语音编码器影响的研究

随着移动通信技术的发展,低速率语音编码器的应用越来越广泛,对于噪声对低速率语音编码器的影响也得到广泛的关注.文中研究了噪声信号对AMR语音编码器的影响,实验结果表明噪声信号对低编码速率的基音延迟影响大于对高编码速率语音编解码器的影响.