钙—镧永磁铁氧体的研制

本文对钙—镧永磁铁氧体材料的整个工艺进行了初步探索。实验结果性能达到:B_r=3849Gs,H_c=1903O_e,(BH)_(max)=2.85MGOe。在相同条件下,与锶铁氧体相比,预烧温度低80℃,烧结温度低70℃,球磨时间缩短46%,磨加工成材率提高20%,降低成本10%左右,为产品和新材料开发创造了条件。     

复合助烧剂(B+Bi)对钙镧钴铁氧体结构和性能的影响

通过添加(B+Bi)复合助烧剂制备CaLaCo永磁铁氧体预烧料。对预烧料的晶体结构进行分析,发现添加复合助烧剂可以降低反应所需的预烧温度,提高饱和磁化强度(σ_s),晶粒间的粘连明显减少,并在烧结过程中抑制了主相和晶界相间成分的相互扩散,有利于提升M相成分间相互匹配的程度和相纯度,从而获得了更高的磁体性能。磁性能为：B_r=454 m T,H_cb=334 kA/m,H_cj=393 kA/m,(BH)_max=39.2 k J/m³。     

基于YF30预烧料的La-Co掺杂锶铁氧体的磁性能研究

以市售YF30铁氧体预烧料为基料,采用陶瓷法制备了La-Co掺杂的M型锶铁氧体Sr1-xLaxFe12-xCoxO19(x=0～0.21)。通过X射线衍射和MATEST-2010H永磁(稀土)磁性材料自动测量仪研究La-Co掺杂量对材料结构与磁性能的影响。结果表明,在1210℃烧结时,Sr1-xLaxFe12-xCoxO19(x=0～0.21)均为单一的磁铅石相结构,适量La-Co掺杂明显改善了M型锶铁氧体的内禀磁性能;在1195℃烧结时,Sr1-xLaxFe12-xCoxO19锶铁氧体在x=0.15处获得最佳磁性能:Br=410mT,Hcj=358.0kA/m,(BH)max=32.2kJ/m3。     

湿磨工艺对锶铁氧体预烧料性能的影响

通过传统的陶瓷工艺制备锶铁氧体预烧料,研究了湿磨工艺对锶铁氧体预烧料性能的影响。结果表明,碳酸锶一次湿磨时间对碳酸锶和预烧料粒度影响较大,不同湿磨工艺下预烧料微观结构差异较大,饱和磁化强度随碳酸锶一次湿磨时间的延长先增大后减小。当碳酸锶一次湿磨时间为2.5h时,样品形貌呈六角片状,致密性较好,并且Ms较优,为72.09 A·m2/kg。     

高频宽温低功耗MnZn铁氧体材料的研制

按基本配方Fe2O3∶MnO∶ZnO=52.8∶36.5∶10.7(mol%),加入适量杂质,采用氧化物陶瓷工艺、平衡气氛烧结法,制备了低温度系数、低功耗及优良直流叠加特性的MnZn铁氧体材料.该材料适用于高频开关电源变压器.     

低温烧结高磁导率高直流叠加NiCuZn铁氧体材料

以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V_2O_5,MoO_3,Bi_2O_3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带,在900℃烧结,研究了不同添加剂在烧结过程中的析出物状况,找到了既能实现材料高磁导率、又在烧结后没有析出物的组合添加剂。通过离子取代和晶粒细化获得了低损耗,并使材料满足了抗直流叠加的要求。分析了掺杂对材料损耗、直流叠加特性的作用机理。研究工作为开发此类高频、低功耗、高直流叠加材料提供参考。     

宽温高磁导率软磁铁氧体材料RH15K的开发

采用传统氧化物陶瓷工艺制备锰锌铁氧体,研究了主配方的氧化铁含量、烧结工艺等因素对材料微观结构和磁导率的影响。结果表明,主配方氧化铁含量在52.2 mol%时,可以获得较好的磁导率温度特性;烧结温度1380℃,保温8~12 h,有助于提高起始磁导率;晶粒直径25μm左右和致密的微观结构,可提高材料的起始磁导率。通过优化配方和制备工艺,开发出了宽温、高磁导率锰锌铁氧体材料RH15K,性能如下:起始磁导率μi:15000±30%(25℃,10 k Hz),μi5000(-40℃,10 k Hz),居里温度TC105℃。     

永磁铁氧体工艺技术的新进展

介绍了国内外高性能永磁铁氧体生产最新的La-Co、La-Zn添加技术、晶粒控制技术、分散剂技术,以及生产FB9系列磁粉的特殊混炼工艺等.     

低频无极灯用宽温低功耗高直流叠加MnZn铁氧体材料

采用传统的氧化物湿法工艺,使用基本配方为Fe2O3:Mn O:Zn O:Ni O=53.5:33:12:1.5(mol%),制备了一种可用于低频无极灯的Mn Zn功率铁氧体材料,分析了材料的起始磁导率、功耗和直流叠加特性。结果表明,得益于组合掺杂,材料具备宽温、低功耗、高直流叠加性能等优良电磁性能。分析了掺杂对改善材料性能的作用机理,为开发此类宽温、低功耗、高直流叠加软磁铁氧体材料提供有益的参考。     

Low temperature cofirable MnZn ferrite for power electronic applications

A new MnZn ferrite tape material for sintering at 900 °C and its performance in power electronic embedded multilayer inductors of several μH inductance are described. The low sintering temperature is achieved by optimizing powder processing and sintering additives. The material is suited for processing within the low temperature cofired ceramics (LTCC) technology and it is particularly compatible with low loss Ag metallization. Although reduced by a factor of two compared to high-temperature sintered material, its relative amplitude permeability of 700 allows for numerous device applications below the Curie temperature of 260 °C. Volumetric losses are not affected by the new material formulation since increased hysteresis losses are compensated by reduced eddy current losses. Power line filters with ceramic integrated inductors and surface mounted capacitors exhibit a current capacity of up to 10 A and a shift in cutoff frequency compatible with the measured B–H curve of the material. By integration of these inductors with conventional dielectric LTCC tapes a strain-induced permeability quenching is revealed and attributed to magnetostriction. Therefore good thermal matching between tape materials is needed, but the effect also permits construction of variometers and pressure sensors without moving mechanical parts.     

基于铁氧体材料(YIG)的微带环行器设计与仿真

以高纯度的Y2O3、Fe2O3为原料,用固相反应法制备Y3FesO12( YIG)材料,通过VSM、SEM、Agilent 4291B对材料样品进行分析、测试.结果表明,所制备的YIG材料介电常数大约为15,饱和磁化强度μ0Ms约180mT.基于该材料设计环行器,利用Ansoft HFSS仿真软件建立三维电磁场仿真模型...     

复合法制备的高性能永磁铁氧体

通过采用La、Co离子取代国内很多永磁铁氧体厂家已经能够生产相当于日本TDK公司FB6系列性能的产品,但存在La、Co添加量大、产品批量性能不稳定等问题。针对这些问题,提出了一种制备高性能永磁铁氧体的新方法——复合法。首先制备一种预烧料,与市购Y30H-2牌号预烧料复合使用,制备而成的最终产品磁性能超出了日本TDK公司的FB6B标准,Br:400~430m T;Hcj:302~398k A/m,与传统工艺制备方法相比La、Co添加量明显减少,降低了生产成本,具有一定的市场竞争力和后续研究潜力。     

锂离子电池用LixMn2O4的高温性能研究

采用固相反应法以工业级原料合成了不同Li/Mn比的 3种锂锰尖晶石氧化物 ,并以循环伏安实验及 5 5℃下的恒流充放电实验考察了Li/Mn比对材料结构和性能的影响。高Li/Mn比的样品具有较好的高温循环性能 ,原因是①Mn3 +的含量降低 ,锰溶解及Jahn -Teller效应受到抑制 ,②充放电过程中结构变化平缓 ,保持了材料结构的稳定性 ;③可逆工作的Li+减少使得充放电过程中晶格体积变化减小 ,同时也提高了材料的抗过充电能力