铝电解电容器阴极箔的后处理和稳定化处理

研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理。硝酸浓度和温度低 ,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定 ,容量衰减快。浓度和温度高 ,侵蚀箔容量损失大 ,侵蚀箔的初始比容低。加入硫脲和六偏磷酸钠可提高铝箔的初始比容。磷酸和钼酸钠迭加处理使侵蚀箔获得高的初始比容和低的容量衰减率 ,磷酸处理形成氧化膜可分为 Al PO4结构的表面层及 Al PO4和部分 Al被 P代替的水合氧化铝的过渡层。钼酸钠处理形成的氧化膜可分为 Al2 (Mo O4) 3结构的表面层及 A12 (Mo O4) 3和部分 Al被 Mo代替的水合氧化铝过渡层     

提高铝电解电容器用腐蚀箔比容的研究

应用X射线对晶体织构度进行分析的技术和X射线极图测定方法,从金属材料的角度出发,研究了多种进口铝箔的再结晶织构,并与国产冷轧铝箔的再结晶织构进行系统的对比,研究了产生高立方织构度的铝箔热处理工艺。其次,在研究铝箔的再结晶晶粒生长时,发现国产LG5Y铝箔的异常晶粒长大,为铝箔生产厂改进轧制工艺提供了分析依据。最后,在铝箔腐蚀理论的分析基础上,结合SEM检测手段,经过大量试验对比,找到了两种较佳的高压箔腐蚀工艺。当形成电压为375V时,达到了0.45μF/cm~2的较高比容值。     

光铝箔热处理对腐蚀箔比容的影响

中高压铝电解电容器用阳极箔的制取是一项综合技术,成品箔技术特性的好坏有赖于光铝箔的制箔技术、热处理(退火)技术和腐蚀技术等是否合理的应用。通过对国产箔两年的研制,我们认为以上诸种技术是互为补充、互相制约的,某一环节技术的失调将造成整个制箔技术水平跌落。本文仅就光铝箔退火技术进行探讨。     

形成前处理对提高铝箔比容的影响

阳极氧化膜是电解电容器的工作介质，其质量的优劣直接影响着铝电解电容器的性能。若在形成前将腐蚀箔在７５℃左右的Ａ溶液（〔Ａ〕≈０．２ｍｏｌ／Ｌ）中浸泡约１０ｍｉｎ，然后在５７０℃左右热处理３ｈ，阳极氧化膜的结构与性能将得到改善，铝箔比容可提高２５％～５０％，而形成电能降低３０％～５０％，从而可有效提高形成效率。     

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅴ.高比容高强度腐蚀箔的获得

用重铬酸铵取代盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液中的铬酸酐,作为第一级电化学处理液,调节重铬酸铵的含量,使国产LG5Y铝箔经扩面处理后的腐蚀箔抗拉强度大于14.7N·cm~(-1),在375V下形成后比容大于0.9μF·cm~(-2)。     

高纯铝光箔化学成分对直流电侵蚀的影响

以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响。通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定量分析,对光箔中化学成分与样品效果进行了分析讨论。结果表明,Cu能增强表面蚀孔的产生,Cu含量相对较低的(25×10–6)光箔侵蚀后适用于制作中压铝电解电容器;Cu含量相对较高的[(50～60)×10–6]光箔侵蚀后适用于制作高压铝电解电容器。     

电极布置对电容器铝箔失重和比容均匀性的影响

研究了ＨＣｌ中５０ Ｈｚ交流电侵蚀下,电解槽电极布置对电解电容器用高纯铝箔的侵蚀均匀性的影响。结果表明, 随电解槽导电石墨电极浸入深度的增加,侵蚀铝箔的失重和比容趋于不均匀分布。随铝箔电解槽石墨间距增大, 侵蚀铝箔的失重和比容趋于均匀分布。直接通电侵蚀铝箔的失重和比容分布均匀性优于铝箔电场通电, 在理论上分析了原因。     

化成前处理对提高铝箔比容的影响

利用化成前引入高介电常数金属氧化物的方法,研究了TiO2涂层对提高铝箔比容的影响。结果表明:腐蚀箔在6%(质量分数)钛酸乙酯的乙醇溶液中,浸泡5 s,然后在450 恒温10 min,在210 V下有机酸化成,阳极氧化膜的结构与性能得到改善,铝箔比容可提高10%,从而可有效提高形成效率。     

铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术进展

综述了近10年来铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术的研究现状与发展趋势。重点评述了sol-gel法、水解沉积法、电化学沉积法及热处理手段等提高阳极箔比容的技术,对上述方法所制备阳极箔的氧化膜生长机理进行了探讨,提出了发挥有效面积S、形成常数K与相对介电常数εr的共同作用是高比容铝阳极箔制备技术的发展方向。     

中高压阳极铝箔直流脉冲电蚀工艺及机理研究

用直流脉冲电源对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了影响腐蚀箔性能的工艺参数条件,探索了隧道孔生长机理.结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,影响腐蚀箔性能的工艺参数有直流脉冲电流密度、脉冲频率、占空比以及脉冲时间等;控制直流脉冲的电流密度峰值在0.8 A/cm2以上、脉冲电流单次通电延续时间在0.53 ms左右,能使铝箔产生纵横交错的隧道孔.     

电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究

采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。     

柠檬酸盐对阳极箔形成速度与比电容的影响

为了提高铝电解电容器用高压阳极箔形成速度与比电容,将水合处理后的腐蚀箔在95℃、2 g/L柠檬酸钠去离子水溶液中浸泡5 min,在530 V电压化成时,形成时间缩短约2 min,化成箔比电容由0.556×10–6 F.cm–2提高至0.584×10–6 F.cm–2,阳极氧化铝膜的结构与性能得到改善。     

电解电容器铝箔横向隧道孔的生长控制

在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面,继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时,隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上,通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理,以及二次侵蚀过程中在中性氯化钠介质中添加复合有机物,达到控制此过程中隧道孔生长方向的目的,使其在原隧道孔的孔壁沿着与铝箔表面平行的方向产生新的隧道孔,这为提高铝箔表面积提出了新的途径,为进一步提高铝电解电容器比容提供了可能性。     

降电压铝箔在缩体产品中的应用

从分析国内外铝箔的质量和特点出发，对制约铝电解电容器体积的铝箔比容作了初步探讨，提出了提高铝箔比容的方法。     

合金阴极箔化学腐蚀氯离子清洗工艺的研究

介绍了合金阴极箔经化学腐蚀后清洗铝箔表面残留氯离子的几种方法 ,比较了各种方法的优缺点 ,提出了清洗不同比容阴极箔的适用方法